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[发明专利]晶圆背面清洁设备以及晶圆背面清洁方法-CN201110298519.9有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：发明提供了一种晶圆背面清洁设备以及晶圆背面清洁方法。根据本发明的晶圆背面清洁设备包括：布置在晶圆下方的气体发射喷射器(11)，所述气体发射喷射器(11)配置有朝向晶圆下表面的喷气嘴(44)，用于向晶圆下表面喷射气体(33)。所述晶圆背面清洁设备还包括沿晶圆半径方向布置的移动轨道(22)，其中所述气体发射喷射器(11)布置在所述移动轨道(22)上，以便在晶圆半径方向上移动。通过利用根据本发明的晶圆背面清洁设备，提供了一个向晶圆下表面喷射气体的气体发射喷射器，从而可以清除晶圆背面颗粒以降低曝光失焦。
背面清洁设备以及方法

[发明专利]晶圆背面清洗干燥装置、晶圆背面清洗干燥系统及方法-CN201711347994.4在审
发明人：舒福璋;史霄;佀海燕;田知玲;陶利权 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆背面清洗设备技术领域，尤其是涉及一种晶圆背面清洗干燥装置、晶圆背面清洗干燥系统及方法。该晶圆背面清洗干燥装置，包括晶圆夹紧装置、第一驱动装置及喷射机构，晶圆夹紧装置用于承载晶圆；第一驱动装置用于驱动晶圆夹紧装置转动；喷射机构用于对晶圆的背面进行清洗干燥；喷射机构包括喷嘴，且喷嘴对晶圆的背面的喷射路径由晶圆的背面的中心逐渐移动到晶圆的背面的边缘该晶圆背面清洗干燥系统，包括所述的晶圆背面清洗干燥装置。本发明能够实现对整个晶圆的背面进行清洗干燥，装置结构简单，并且可以根据需要实现清洗干燥的区域的重叠，从而达到晶圆背面的有效清洗干燥，改善晶圆背面的清洗干燥效果。
晶圆清洗干燥晶圆背面清洗干燥装置夹紧装置喷射机构背面第一驱动装置喷嘴喷射路径清洗设备整个晶圆装置结构种晶转动承载驱动移动

[发明专利]一种晶圆背面的检测方法、检测设备及其应用-CN201811095324.2在审
发明人：罗肖飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面的检测方法、检测设备及其应用，其中，检测设备包括晶圆背面检测装置、边缘区域吸盘及中心区域吸盘；晶圆背面检测装置位于晶圆背面下方与晶圆平行设置；边缘区域吸盘用于吸附晶圆背面边缘区域，并显露晶圆背面中心区域；中心区域吸盘用于吸附晶圆背面中心区域，且中心区域吸盘的水平截面不大于晶圆背面中心区域。晶圆背面的检测方法通过边缘区域吸盘、中心区域吸盘分别吸附晶圆背面的边缘区域及中心区域，并通过晶圆背面检测装置检测晶圆背面边缘区域及中心区域的形貌。可获得晶圆背面的具体形貌，准确的判断晶圆背面的杂质的位置及大小，降低生产成本、提高生产效率、节约人力资源及提高产品质量。
一种背面检测方法设备及其应用

[实用新型]一种晶圆划片系统-CN202123253739.8有效
发明人：倪洽凯;柳坤;王嘉炜 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆划片系统，包括：晶圆背面检测装置、晶圆清洗装置及晶圆划片装置；晶圆背面检测装置用于对待划片的晶圆进行背面检测，判断晶圆背面是否干净；晶圆清洗装置用于对背面不干净的晶圆进行清洗；晶圆划片装置用于对背面干净的晶圆进行划片通过上述晶圆划片系统，在进行划片前，利用晶圆背面检测装置判断晶圆背面是否存在微尘和/或异物，若存在则进一步转移到晶圆清洗装置中进行清洗，最终将不存在微尘和/或异物的晶圆转移到晶圆划片装置中进行划片；保证晶圆在划片时背面不存在有微尘和/或异物，避免在划片时出现晶圆碎裂的情况，提高了晶圆划片的良率。
一种划片系统

[发明专利]背面晶圆切割-CN200780026413.5无效
发明人：理查·S.·哈洛斯;卢可伟 -专利权人：伊雷克托科学工业股份有限公司
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：由刻划制程用于刻划具有减少或没有损坏或碎片至或在个别集成电路上的半导体晶圆(410)的系统与方法。该半导体晶圆(410)从其背部(430)刻划。在某一实施例，紧接在背部研磨制程后但在移除背部侧研磨带(426)前刻划晶圆(410)背部(430)。因此，防止自刻划制程产生的碎片在该晶圆(410)上部表面(412)沉积。为决定相对晶圆(410)背部(430)的切割巷或道(424)的位置，建构光(434)以照射晶圆(410)的上部(412)，该光穿过该研磨带(426)与晶圆(410)。侦测自晶圆(410)背部(430)的光(434)，并绘制相对背部(430)的道图。然后用锯(444)或激光切割晶圆(410)背部(430)。
背面切割

[发明专利]一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法-CN201910020620.4在审
发明人：黄玉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法，清洗设备包括：可旋转承载台，位于晶圆中心下方，用于固定支撑及旋转所述晶圆；喷嘴，设置于晶圆边缘区下方或所述晶圆外侧下方，用于向所述晶圆的背面边缘区喷射清洗液，以清洗所述晶圆的背面边缘区。本发明的一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法能清除晶圆背面边缘区微粒，有效清洗晶圆背面，减少清洗过程中对晶圆背面的损伤，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。
一种背面边缘清洗设备方法

[发明专利]晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置-CN202011145090.5在审
发明人：苏亚青;张守龙;季芝慧;谭秀文;叶斐;陈裕 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置。其中晶圆背面减薄方法包括：提供待进行背面减薄的晶圆；对所述晶圆的背面进行至少一次湿法刻蚀，去除覆盖在所述晶圆背面的膜层，露出硅表面；通过太鼓减薄工艺，对露出硅表面的晶圆进行背面磨削减薄，使得在所述晶圆背面的边缘形成太鼓环晶圆背面减薄装置用于执行如该晶圆背面减薄方法。本申请提供的晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置，可以解决相关技术中由于太鼓环在晶圆边缘形成阻挡，晶圆背面不同膜层的磨削碎屑无法正常排出，从而影响磨削砂轮的问题。
背面方法装置

[发明专利]一种晶圆研磨方法-CN202011627236.X在审
发明人：熊伟 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止真空吸附部件对晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对晶圆的双面进行研磨；晶圆载出步骤：将晶圆载出研磨腔室。本发明在晶圆研磨工艺之前增加晶圆背面清洗步骤，通过施加清洗液、毛刷摩擦的物理清洗方式，使得前序工艺残留的切割液和颗粒物更多的从晶圆背面去除，从而有效保持晶圆背面的清洁，避免后续晶圆因真空吸附部件与晶圆背面之间存在残留颗粒物而造成晶圆背面缺陷，从而有效改善研磨工艺的效果和晶圆的品质，提高产品良率。
一种研磨方法

[发明专利]一种晶圆加工设备、晶圆加工方法及其应用-CN201811025346.1在审
发明人：吴明锋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆加工设备、晶圆加工方法及其应用，晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块；工作台用于吸附晶圆，且晶圆具有凸出于工作台的晶圆背面边缘区域；背面研磨模块位于晶圆的下方，与晶圆背面边缘区域相接触，用以对晶圆背面边缘区域进行研磨。利用背面研磨模块去除晶圆背面上的污染物，改善晶圆背面的清洁度以及平整度，避免晶圆背面的污染物对设备的污染以及由于污染物造成的晶圆背面的不平整，导致晶圆在传输过程中的脱落以及制程工艺过程中设备的报警，同时减少设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中晶圆背面上的污染物发生破裂及脱落的风险，提高产品良率。
一种加工设备方法及其应用

[发明专利]晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法-CN202110469812.0有效
发明人：顾佳灵;吴天祺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法，浸没式光刻机包括移送装置、晶圆工作台、多个E‑pin升降机构和晶圆背面清洁装置，其中，晶圆背面清洁装置包括气体喷射器，并配置有多个朝向晶圆背面的喷气通道，用于向晶圆背面喷射气体。本发明通过在浸没式光刻机增设晶圆背面清洁装置实现对晶圆背面进行清洁，降低曝光失焦率，另外，可避免晶圆背面上的颗粒粘在E‑pin升降机构与晶圆背面接触端，进一步降低与E‑pin升降机构接触区域内的晶圆背面的曝光失焦率，提升产品一次良率，且可减少对昂贵的晶圆工作台的污染，从而降低对晶圆工作台的清洁频率，避免对晶圆工作台造成损坏，降低生产成本。
背面清洁装置浸没光刻方法

[实用新型]一种晶圆加工设备-CN201821444624.2有效
发明人：吴明锋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆加工设备，晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块；工作台用于吸附晶圆，且晶圆具有凸出于工作台的晶圆背面边缘区域；背面研磨模块位于晶圆的下方，与晶圆背面边缘区域相接触，用以对晶圆背面边缘区域进行研磨利用背面研磨模块去除晶圆背面上的污染物，改善晶圆背面的清洁度以及平整度，避免晶圆背面的污染物对设备的污染以及由于污染物造成的晶圆背面的不平整，导致晶圆在传输过程中的脱落以及制程工艺过程中设备的报警，同时减少设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中晶圆背面上的污染物发生破裂及脱落的风险，提高产品良率。
晶圆晶圆背面背面研磨边缘区域污染物工作台工艺过程加工设备种晶晶圆加工设备本实用新型清洁度产品良率传输过程减少设备维护保养研磨对设备平整度去除吸附制程平整破裂报警污染

[实用新型]一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备-CN201821535715.7有效
发明人：罗肖飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，其中，检测设备包括晶圆背面检测装置、边缘区域吸盘及中心区域吸盘；晶圆背面检测装置位于晶圆背面下方与晶圆平行设置；边缘区域吸盘用于吸附晶圆背面边缘区域，并显露晶圆背面中心区域；中心区域吸盘用于吸附晶圆背面中心区域，且中心区域吸盘的水平截面不大于晶圆背面中心区域。可获得晶圆背面的具体形貌，准确的判断晶圆背面的杂质的位置及大小，降低生产成本、提高生产效率、节约人力资源及提高产品质量。
晶圆背面中心区域吸盘晶圆形貌边缘区域检测设备检测装置吸附本实用新型平行设置人力资源生产效率水平截面检测显露节约

[发明专利]晶圆切割制程-CN201110179147.8有效
发明人：陈崇龙 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种晶圆切割制程，其是先提供晶圆。晶圆具有正面与背面。然后，于晶圆的正面贴附研磨贴片，并预切割晶圆的背面，以于晶圆的背面上形成多个切割道。接着，研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度与切割道的深度。之后，于晶圆的背面贴附切割贴片，并切割晶圆的正面，以形成多个彼此分离的芯片。
切割

[发明专利]晶圆背面减薄方法-CN200710046484.3无效
发明人：黄河;高大为;蒲贤勇;毛剑宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种晶圆背面减薄方法，包括，对于晶圆背面进行研磨达到研磨停止厚度；去除两片晶圆粘合时或晶圆置于支撑载体上时的晶圆边缘间隙范围的晶圆圆周边缘；对于晶圆背面进行研磨达到减薄厚度。所述晶圆背面减薄方法由于解决了晶圆背面减薄时容易使晶圆边缘发生弯曲甚至断裂的问题，从而提高了晶圆减薄的质量。
背面方法

[实用新型]一种晶圆背面边缘区清洗设备-CN201920034201.1有效
发明人：黄玉辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆背面边缘区清洗设备，清洗设备包括：可旋转承载台，位于晶圆中心下方，用于固定支撑及旋转所述晶圆；喷嘴，设置于晶圆边缘区下方或所述晶圆外侧下方，用于向所述晶圆的背面边缘区喷射清洗液，以清洗所述晶圆的背面边缘区本实用新型的一种晶圆背面边缘区清洗设备能清除晶圆背面边缘区微粒，有效清洗晶圆背面，减少清洗过程中对晶圆背面的损伤，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。
背面边缘晶圆清洗设备种晶本实用新型晶圆背面清洗产品良率固定支撑晶圆边缘晶圆中心清洗过程喷嘴边缘区承载台可旋转清洗液制程喷射损伤

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