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[发明专利]半导体器件和用于密封半导体元件的可固化有机硅组合物-CN201480029204.6有效
发明人：宫本侑典;吉田宏明 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件通过采用固化有机硅密封镀金引线或基板以及半导体元件而获得，其中所述固化有机硅是硅氢加成反应可固化有机硅组合物的固化产物，所述硅氢加成反应可固化有机硅组合物至少包括：(A)在分子中具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷，(B)在分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的有机氢聚硅氧烷，(C)与硫原子键合并且具有硅原子键合可水解基团的有机硅化合物，以及(D)铂基硅氢加成反应催化剂；并且所述半导体器件在吸湿回流测试后表现高度可靠。
半导体器件可固化有机硅组合物硅氢加成反应有机硅固化硅原子键合氢原子密封半导体元件有机氢聚硅氧烷有机硅化合物有机聚硅氧烷半导体元件硅原子键合可水解基团镀金引线固化产物回流测试原子键合铂基基板吸湿烯基催化剂密封表现

[发明专利]一种硅基液晶器件-CN202011134105.8在审
发明人：李爱源;熊培成;吴梓荣;陈嵘;洪俊斌 -专利权人：深圳秋田微电子股份有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基液晶器件，包括液晶盒和灌入所述液晶盒的液晶层，所述液晶盒包括导电玻璃和衬底，所述导电玻璃和衬底贴合设置，靠近所述导电玻璃设有第一取向层，靠近所述衬底依次设有像素层、反射光栅层及第二取向层反射率决定了硅基液晶器件的插入损耗大小，高反射率硅基液晶器件具有低插入损耗。
一种液晶器件

[发明专利]用于LCOS的混合驱动方法和集成电路-CN200510093378.1无效
发明人：樊斌;邵剑心 -专利权人：晶荧光学科技有限公司
申请日： 2005-08-23 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种以混合驱动方式驱动硅基液晶显示器件的方法，包括：接收与像元相对应的亮度值信号；将亮度值信号与第一阈值进行比较；如果亮度值信号大于或等于第一阈值，则确定进入数字驱动方式，如果亮度值信号小于第一阈值，则确定进入模拟驱动方式，其中：数字驱动方式通过固定电压，改变脉宽的方式，驱动硅基液晶显示器件；模拟驱动方式通过固定脉宽，改变电压的方式，驱动硅基液晶显示器件。
用于 lcos 混合驱动方法集成电路

[发明专利]一种硅基成像器件-CN201210168412.7无效
发明人：李阳 -专利权人：广东普加福光电科技有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种硅基成像器件，包括主体，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜。所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。本发明可有效地增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，延长硅基成像器件的寿命，提高紫外光区到可见光区的转化率和膜的光学稳定性。
一种成像器件

[实用新型]一种硅基成像器件-CN201220243055.1有效
发明人：李阳 -专利权人：广东普加福光电科技有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种硅基成像器件，包括主体，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜。所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。本实用新型可有效地增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，延长硅基成像器件的寿命，提高紫外光区到可见光区的转化率和膜的光学稳定性。
一种成像器件

[发明专利]一种硅基探测器及其制备方法-CN202211419156.4在审
发明人：许高博;闫乙男;殷华湘;丁明正;孙朋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基探测器，其在不改变衬底厚度的前提下对器件的p+注入区进行设计和处理，并进行碳注入，增加产生电子‑空穴对以及产生雪崩效应的面积，从而增大器件的击穿电压，提高器件的抗辐照性能。与传统硅基探测器相比，不需要通过离子注入得到保护环，减小了边缘电场对器件性能的影响，并且可以在形成阵列时拥有较小的死区面积，提高集成密度，进而提高探测效率。本发明还涉及所述硅基探测器的制备方法。
一种探测器及其制备方法

[发明专利]用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物-CN200780006355.X有效
发明人： T·陈;B·哈克尼斯;江南博司;加藤智子;森田好次;村上正志;寺田匡庆;吉武诚;M·卡明斯;A·W·诺里斯;M·豪厄尔 -专利权人：陶氏康宁公司;陶氏康宁东丽株式会社
申请日： 2007-02-01 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C08G77/52 文献下载
摘要：一种组合物，包含：(I)链烯基官能的含苯基的聚有机基硅氧烷，Si-H官能的含苯基的聚有机基硅氧烷，或其组合；(II)具有特定分子量的氢二有机基甲硅烷氧基封端的低聚二苯基硅氧烷，具有特定分子量的二有机基甲硅烷氧基封端的低聚二苯基硅氧烷通过施加组合物到光源上，接着固化，制备发光器件。组合物提供具有适合于用作发光器件的包封剂的机械性能的固化材料。
用硅氧烷包封发光器件用于制备硅氧烷固化组合

[发明专利]一种硅基真实RGB显示器件及显示装置-CN202110419974.3在审
发明人：李维维;刘胜芳;赵铮涛;吕磊;许嵩;李雪原 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基真实RGB显示器件及显示装置，所述硅基真实RGB显示器件的空穴传输层、空穴阻挡层之间设置发光层；所述发光层包括红光光学补偿层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；其中，所述红光光学补偿层设置在空穴传输层的之上但所述空穴传输层的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上、或所述共用蓝光发光层设置在所述空穴阻挡层之下；可解决现有硅基真实RGB显示器件性能较低、寿命较短的问题，且本发明的器件结构中无需设置电荷产生层(CGL)，有利于降低硅基中的串扰问题。
一种真实 rgb 显示器件显示装置

[发明专利]一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器-CN202310298664.X在审
发明人：刘力;袁平 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括：将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元；在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱，以改变设计区域的拓扑结构；定义品质因数描述设计器件性能的优劣；设计梯度逆向设计算法计算每个像素单元的刻蚀孔径的梯度信息此设计算法也可以应用于其他硅基器件的制造，提高设计效率；并首次提出梯度逆向设计方法应用于设计模斑转换器，实现了尺寸仅为12μm×2.4μm的硅基模斑转换器，具有尺寸小、高集成度、制备简单等优势。
一种硅基模斑转换器逆向设计方法

[发明专利]用于制造包含应力层的半导体器件结构的方法-CN201010245483.3有效
发明人：王新鹏;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造包含应力层的半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，该前端器件结构包括硅基衬底和形成在硅基衬底上的栅结构；在栅结构上形成具有图案的掩蔽层；以掩蔽层作为掩膜，蚀刻硅基衬底，以在硅基衬底的将要形成源根据本发明的方法能够通过动态地调节蚀刻凹槽的源气体的流速比来改善蚀刻的均匀性，从而改善凹槽的剖面轮廓，进而提高半导体器件的整体电学性能。此外，该方法还能够与传统CMOS制造工艺相兼容。
用于制造包含应力半导体器件结构方法

[发明专利]一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004367.7有效
发明人：张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaNHEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面 sisn 外延 algan gan hemt 制备方法

[实用新型]一种硅基真实RGB显示器件及显示装置-CN202120799393.2有效
发明人：李维维;刘胜芳;赵铮涛;吕磊;许嵩;李雪原 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基真实RGB显示器件及显示装置，所述硅基真实RGB显示器件的空穴传输层、空穴阻挡层之间设置发光层；所述发光层包括红光光学补偿层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；其中，所述红光光学补偿层设置在空穴传输层之上但所述空穴传输层的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上、或所述共用蓝光发光层设置在所述空穴阻挡层之下；可解决现有硅基真实RGB显示器件性能较低、寿命较短的问题，且本实用新型的器件结构中无需设置电荷产生层(CGL)，有利于降低硅基中的串扰问题。
一种真实 rgb 显示器件显示装置

[发明专利]一种降低硅基氮化镓材料中镓扩散引起的射频损耗的方法-CN202110870325.5在审
发明人：杨学林;沈波;马骋;刘丹烁;蔡子东;陈正昊 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低硅基氮化镓材料中镓扩散引起的射频损耗的方法。在高阻硅衬底上进行外延生长前，通过预先进行的一炉AlN生长，对反应室中喷淋头和石墨盘等用AlN进行覆盖，从而有效阻挡了残余Ga向硅衬底中的扩散，进而降低了硅衬底和外延层界面处因Ga杂质引入的空穴造成的寄生电导，降低了硅基氮化镓射频器件的射频损耗。本发明方法能够有效抑制GaN材料在硅衬底上的外延过程中因残余Ga向硅衬底扩散带来的射频损耗，将对提高硅基氮化镓射频器件的性能发挥重要作用。
一种降低氮化材料扩散引起射频损耗方法

[发明专利]GaN基功率器件及其制备方法-CN201811227070.5在审
发明人：张卫;卢红亮;黄伟;蒋西西 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为GaN基功率器件及其制备方法。本发明采用p型多晶硅作为漏极，通过漏极的空穴注入，实现两种载流子同时导电，实现电导调制，从而降低器件的导通电阻R_on，并利用两种载流子的电负性相吸，有效减小器件的表面漏电和提高击穿电压另外，本发明采用P型多晶硅栅极和漏极集成电路工艺实现增强型GaN基功率器件，以支持未来的硅基GaN量产化技术。
功率器件漏极载流子制备半导体器件技术空穴集成电路工艺漏电导通电阻电导调制击穿电压降低器件电负性增强型导电硅基减小量产相吸

[发明专利]一种硅基APD红外敏感增强的方法-CN201410034337.4有效
发明人：孙芳魁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种硅基APD红外敏感增强的方法，属于光电探测器件制造领域。所述方法在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底进行飞秒辐照掺杂工艺。本发明利用飞秒激光在SF6气体氛围下辐照硅片使得其在近红外区域的红外敏感度显著增强，在1064nm波段的量子探测效率从原来13%提高到30%，拓展了硅基APD吸收光子的截止波长，可使硅基APD器件在近红外微弱信号探测
一种 apd 红外敏感增强方法