“硅基器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1266716个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制备方法和应用-CN201410553135.0在审
发明人：陈弘;贾海强 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长
半导体器件及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基光电器件集成方法-CN200910091402.6有效
发明人：李运涛;俞育德;余金中 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电器件集成方法，该方法包括：在硅衬底上制备电子学器件；在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层；在二氧化硅层上制备多晶硅；在多晶硅上制备硅光子学器件；刻蚀过孔，淀积金属实现电学互连本发明提供的硅基光电器件集成方法所采用的工艺均为微电子标准工艺，易于实现，合格率高，且集成度高，单片集成，易于封装，尤其适合于高速电子学器件与光学器件集成芯片的制备。
一种光电器件集成方法

[发明专利]碲化镉基光伏器件及其制造方法-CN200780022009.0无效
发明人： D·E·卡佐里斯;B·朱 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及碲化镉基光伏器件及其制造方法。碲化镉(CdTe)基光伏器件包括含有镉和碲化物的CdTe层。CdTe基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层。由于衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层，其既是挠性的，又足以抵抗超过350℃和经常超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。
碲化镉基光伏器件及其制造方法

[发明专利]有源光缆器件-CN201710968556.3在审
发明人：李冰;杨伟松;丁靓 -专利权人：上海信及光子集成技术有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种有源光缆器件。该有源光缆器件包括：透镜组模块；硅基V型槽；以及设置在所述硅基V型槽内的一根或多根光纤，其中所述透镜组模块具有第一对准结构，所述硅基V型槽具有与所述第一对准结构配合的第二对准结构，所述硅基V型槽与所述透镜组模块对准，所述一根或多根光纤通过所述硅基V型槽耦合到所述透镜组模块。通过本发明公开的有源光缆器件能够提高有源光缆器件中光纤的主模耦合效率，降低装配的成本和繁琐度。
硅基V型槽透镜组光缆对准结构多根光纤模块对准耦合效率耦合到主模装配光纤配合

[发明专利]异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法-CN201710400399.6有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括硅基载体层、硅基外框层、硅基引线保护层、硅基盖板层、衰减器、射频芯片和滤波器；本发明针对射频组件中因为应用多颗不同工艺的不同衬底材料的芯片使得组件体积庞大的问题，设计一种异质集成的硅基射频微系统结构，使得不同工艺的不同衬底材料的芯片集成在同一硅基衬底上，同时在硅基基板上直接加工衰减器和滤波器等无源器件来实现有源射频器件和无源射频器件的异质集成，最后整体单元作为一个整体进行系统级封装
集成射频系统结构及其制作方法

[发明专利]一种GaN基级联型功率器件及其制备方法-CN201910928826.7在审
发明人：王洪;武智斌;周泉斌;高升 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基级联型功率器件及其制备方法，功率器件包括引脚框架，所述引脚框架包括基岛，与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚；基岛的上表面连接PCB板，所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘，凹槽焊盘的上表面连接硅基器件，第二凹槽的上表面连接GaN功率器件；PCB板上表面设有焊盘，硅基器件与焊盘电气连接，焊盘与栅极电极引脚电气连接，GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接；PCB板上表面还设有通孔，硅基器件与GaN功率器件分别和通孔电气连接。GaN基级联型功率器件的制备工艺简单、易于实现、散热性能好。
焊盘引脚电气连接上表面功率器件硅基器件基岛漏极电极引脚框架栅极电极级联型通孔散热性能源极电极制备工艺制备

[实用新型]一种硅基滤波芯片器件-CN202021213101.4有效
发明人：张丽丽;罗振东 -专利权人：深圳市前海派速科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型适用于通信技术领域，提供了一种硅基滤波芯片器件，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；所述第一谐振器位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。该硅基滤波芯片器件可以形成调节传输零点，优化了硅基滤波芯片器件的选择性。
一种滤波芯片器件

[发明专利]硒化铟铜基光伏器件及其制造方法-CN201210056628.4无效
发明人： T·D·巴纳德;Y·哈尔莫图;H·哈坦纳卡;M·伊藤;D·E·卡佐里斯;M·苏托;B·朱;L·M·伍兹;J·H·阿姆斯特龙戈;R·M·里贝林 -专利权人：道康宁公司;ITN能量系统公司;道康宁东丽株式会社
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及硒化铟铜基光伏器件及其制造方法。硒化铟铜(CIS)基光伏器件包括CIS基太阳能吸收层，所述CIS基太阳能吸收层包括铜、铟和硒。CIS基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层、以及金属箔层。由于硅氧烷层和金属箔层的存在，衬底既是挠性的，又足以抵抗超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。
硒化铟铜基光伏器件及其制造方法

[发明专利]硒化铟铜基光伏器件及其制造方法-CN200780022327.7无效
发明人： T·D·巴纳德;Y·哈尔莫图;H·哈坦纳卡;M·伊藤;D·E·卡佐里斯;M·苏托;B·朱;L·M·伍兹;J·H·阿姆斯特龙戈;R·M·里贝林 -专利权人：道康宁公司;ITN能量系统公司;道康宁东丽株式会社
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及硒化铟铜基光伏器件及其制造方法。硒化铟铜(CIS)基光伏器件包括CIS基太阳能吸收层，所述CIS基太阳能吸收层包括铜、铟和硒。CIS基光伏器件进一步包括衬底，所述衬底包括由硅氧烷组合物形成的硅氧烷层、以及金属箔层。由于硅氧烷层和金属箔层的存在，衬底既是挠性的，又足以抵抗超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。
硒化铟铜基光伏器件及其制造方法

[发明专利]一种碳基集成电路设计自动化平台构建方法及相关装置-CN202310357732.5在审
发明人：尹明会;李志强;张卫华;刘宏伟;周欢欢;王晨;尤云霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳基集成电路设计自动化平台构建方法，可用于集成电路领域，该方法包括：基于碳基MOS器件的测量参数，对经典MOS器件模型进行参数拟合得到碳基MOS器件对应的碳基器件模型；基于碳基工艺流程和硅基工艺流程，建立碳基工艺设计工具包；基于碳基版图层，构建与硅基布局布线工具兼容的碳基标准单元库模型；基于碳基器件模型、碳基工艺设计工具包、碳基标准单元库模型以及硅基集成电路设计自动化系统，构建碳基集成电路设计自动化平台由此，可以借助现有的硅基集成电路设计自动化系统构建碳基集成电路设计自动化平台，实现碳基集成电路设计的自动化，以较低的成本解决了碳基集成电路设计效率低下等问题。
一种集成电路设计自动化平台构建方法相关装置

[发明专利]硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备-CN201610293100.7有效
发明人：伞海生;周鹏 -专利权人：厦门纵能电子科技有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G01K11/26 文献下载
摘要：硅‑玻璃‑硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备，涉及传感器。传感器为硅‑玻璃‑硅三明治结构，压力传感器集成在上层的硅基感压薄膜上，温度传感器集成在底部的硅基底上，硅基底与上层通过玻璃框架隔离。制造方法：制备硅基底；制备硅基感压薄膜；硅基底、硅基感压薄膜与玻璃框架键合形成三明治结构空腔；以SOI晶圆片中的掩埋氧化硅层为腐蚀自停止层刻蚀SOI晶圆片的衬底层，留下SOI晶圆片的器件层作为压力传感器的硅基感压薄膜；在硅基感压薄膜上刻蚀四个电极区域，刻蚀区域为温度传感器和压力传感器电极区域的上方，分别以玻璃框架与硅基感压薄膜键合的界面和硅基感压薄膜上的镶嵌电极为刻蚀停止层；阵列器件裂片后得单个器件。
玻璃结构表面波温度压力集成传感器制备

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件及其制备方法-CN201911377413.0在审
发明人：叶成;乔辉;何光友;任清江;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，硅基OLED微显示器件包括含CMOS驱动电路的硅基板，所述硅基板上设有由下到上依次设置的阳极层、OLED显示器件、封装层、滤光层和水汽阻隔膜。本发明通过优化结构设置，之后通过硅基板CMP减薄，将微显示器件总厚度控制在100μm左右，重量是市场上现有微显示器件的1/13，极大得解决了微显示器件的轻薄化问题。
一种 oled 显示器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件的制作与封装方法-CN201710137813.9在审
发明人：季渊;沈伟星 -专利权人：南京迈智芯微光电科技有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种以集成有CMOS电路的单晶硅为基板的有机电致发光器件封装方法，利用原子层沉积技术对硅基有机电致发光器件进行封装保护，形成稳定可靠的硅基有机发光微型显示器，提高寿命，降低封装成本，同时，本发明也提供基于该种低成本封装方法的硅基有机电致发光器件的制作方法，包括在硅晶片上制作硅基驱动电路，在硅基驱动电路的表层依次制作多层薄膜有机材料和薄膜金属，以及利用原子层沉积工艺在反应室中对硅基有机电致发光器件的外表面沉积致密保护薄膜等步骤。
一种有机电致发光器件制作封装方法

[发明专利]一种硅基WDM接收器件及其制备方法-CN202011249407.X有效
发明人：冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基WDM接收器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备光波解复用器，包括：在所述SOI晶圆上定义光波解复用器区域；在所述光波解复用器区域形成增透膜和电介质材料层，所述增透膜位于所述电介质材料层的一侧；在所述电介质材料层的另一侧形成光栅，在所述光栅与所述电介质材料层之间形成反射膜；制备硅基光波导、探测器和硅基光膜转换器；在所述光波解复用器所述硅基光波导、所述探测器和所述硅基光膜转换器的表面形成保护膜本申请的硅基WDM接收器件及其制备方法，通过引入电介质材料实现非热敏光波解复用器，可以降低器件的光学折射率和热光系数，提高器件性能，有助于减小集成器件的体积、降低成本。
一种 wdm 接收器件及其制备方法

[实用新型]非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪-CN201620719319.4有效
发明人：黄帆;许明;初宁;邹诚;韩捷飞 -专利权人：超视界激光科技（苏州）有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪，包括用于放置台、光源、探测器、信号放大器、锁相放大器、处理控制单元、函数发生器，函数发生器与电光源连接，当硅基光电器件放置于所述放置台上时，硅基光电器件位于所述的光源与探测器之间通过探测得到的幅值以及探测得到的相位与原来的相位进行对比得到相位差，并通过相应的计算公式计算得出少数载流子寿命参数，在更换不同规格的硅基光电器件时不需要进行校准即可直接使用，将硅基光电器件置于光源与探测器之间，能够很好的减少光源对检测的影响，提高测量的准确性，通过多点式的探测，很容易得到少数载流子寿命的分布图，进而判断硅基光电器件的生产质量，提高检测的效率。
接触光电器件少数载流子寿命检测