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[发明专利]厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法-CN202110381198.2在审
发明人：陈仙;张培健;洪敏;廖希异;王妍;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，该制备方法包括步骤：制备Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制顶层硅层的厚度；在Si/SiO2/Si复合结构衬底上制备柔性电子器件层；利用化学腐蚀工艺去除Si/SiO2/Si复合结构衬底中的底层硅层。本发明通过控制Si/SiO2/Si复合结构中顶层硅层的厚度来控制柔性电子器件的总厚度，并利用腐蚀液体对Si与SiO2不同的腐蚀速率实现底层硅层的完全去除，从而制备出厚度可控、背面无微缺陷的硅基超薄柔性晶圆；采用普通硅片进行加工，成本较低，且兼容标准COMS工艺，适合硅基超薄柔性电子器件的大规模批量制备；采用化学腐蚀方法去除底层硅层，可有效避免常规机械减薄工艺产生的微缺陷残留，有效提升了硅基超薄柔性电子器件的可靠性。
厚度可控晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法

[发明专利]硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法-CN202110313173.9在审
发明人：陈龙;程静云;商延卫;马旺;陈祖尧;袁理 -专利权人：聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅‑氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法，硅‑氮化镓复合衬底包括硅基底、浅沟槽隔离结构、III‑N族外延结构及第二硅层；硅基底包括第一硅层；浅沟槽隔离结构位于硅基底上且贯穿第一硅层；III‑N族外延结构位于第一硅层的表面包括GaN沟道层及AlGaN势垒层且位于浅沟槽隔离结构的外侧；第二硅层位于第一硅层的表面且位于浅沟槽隔离结构的内侧。本发明可在同一平面集成硅基及氮化镓基的复合衬底，进一步可制备共平面集成硅‑氮化镓复合器件，从而在晶圆制造阶段实现硅器件和氮化镓器件共平面、小间距片上互联，解决不同材料器件互联的寄生效应问题，且可节省占板面积，提高集成度及集成器件的性能。
氮化复合衬底器件制备方法

[发明专利]混合取向技术中静态随机存储器及写入冗余度改善的方法-CN201310491998.5无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种混合取向技术中的静态随机存储器，包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底和（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底；浅沟槽隔离，间隔设置在所述硅基衬底内；NMOS器件，设置在所述硅基衬底之第一衬底上；PMOS器件，设置在所述硅基衬底之第二衬底上；上拉晶体管，为PMOS晶体管，并设置在所述硅基衬底之第一衬底上。本发明通过对所述NMOS器件采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，对所述PMOS器件采用（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底，对所述上拉晶体管采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底
混合取向技术静态随机存储器写入冗余改善方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610886290.3在审
发明人：王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]硅基显示面板及其制备方法、显示装置-CN202210933880.2在审
发明人：刘玉龙;季渊 -专利权人：南京昀光科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基显示面板及其制备方法、显示装置。硅基显示面板具有红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板包括：硅基驱动板；发光器件层和封装层，位于硅基驱动板的同一侧，且封装层封装发光器件层；彩色滤光层，位于封装层远离硅基驱动板的一侧；彩色滤光层包括分别位于红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区的第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；微透镜层，位于彩色滤光层远离硅基驱动板的一侧，被配置为分别汇聚透过第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层的光；微透镜层内设置有散射粒子。本发明的技术方案能够提高出光率，进而提高硅基显示面板的显示发光亮度和显示均一性。
显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]一种基于硅基OLED低温下的亮度自适应补偿方法-CN202211611978.2在审
发明人：张雨程;殷照;高红佳;陈鑫;朱鹏;丁进 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基OLED低温下的亮度自适应补偿方法，硅基OLED屏驱动芯片上集成了温度采集电路和加热控制电路；硅基OLED屏通过绝缘导热胶贴装在PCB驱动背板上，并通过金属丝键合在一起，玻璃覆合在OLED屏上；硅基OLED屏驱动芯片上温度采集电路采集硅基OLED屏的温度，再传输至加热控制电路，加热控制电路控制所述PCB驱动背板上的加热电路工作，加热电路产生的热量传输至硅基OLED屏驱动芯片上，本发明针对COB封装的硅基OLED器件，通过在低温环境下对OLED微显示屏进行加热，可以使COB封装的硅基OLED器件的发光亮度在低温环境下和在常温环境下达到相同的效果。
一种基于 oled 低温亮度自适应补偿方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件-CN202011355663.7有效
发明人：袁成;蔡小若 -专利权人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明属于微型显示技术领域，具体为一种高亮高色域的硅基OLED微显示器件。本发明的硅基OLED微型显示器无需制备彩色滤光片，通过对应像素层的调节可以实现RGB及其他各种颜色OLED发射，在保证硅基OLED微型显示器高PPI的条件下，可以大幅提高现有技术中制作的硅基OLED的亮度和效率，在相同亮度条件下，降低硅基OLED显示器件的功耗，同时可以大幅改善现有技术中白光OLED加彩色滤光片方案中色域不佳的问题。
一种 oled 显示器件

[发明专利]一种硅基器件的半导体高低温测试装置-CN202210208574.2在审
发明人：吴泽斌;林志阳;王世锐 -专利权人：厦门特仪科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基器件的半导体高低温测试装置，包括盒体、密封盖及设置在盒体和密封盖构成密封空腔内的高低温测试治具；高低温测试治具包括从下往上依次设置的底座、半导体高低温块和测试夹持座；所述底座设置在盒体空腔的底部，所述半导体高低温块内设有可调整温度的半导体，所述测试夹持座供待测试的硅基器件安装。本发明提出的硅基器件的半导体高低温测试装置，能够实现在高低温情况下测试硅基器件，提高测试效率，且操作简单，设备成本低。
一种器件半导体低温测试装置

[发明专利]含有硅芴基和芴基结构的化合物及含有该化合物的电致发光器件-CN201811382861.5在审
发明人：马仲勋;张麟;邝志远;夏传军 -专利权人：北京夏禾科技有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：公开了一种新型含有硅芴基和芴基结构的化合物。所述化合物为同时含硅芴基和芴基的三芳胺化合物，可用作电致发光器件中的空穴传输材料和电子阻挡材料。这些新型化合物能提供更好的器件综合性能。还公开了一种包含所述化合物的电致发光器件和化合物配方。
含有硅芴基结构化合物电致发光器件

[发明专利]基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法-CN201710534425.4有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法，包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层，第一层硅基载体层之上设置有钼铜载体，钼铜载体之上设置有射频芯片，射频芯片通过引线键合与第二层硅基外框层实现信号互连，在第二层硅基外框层与第三层引线保护层上均设置有用于信号互连的硅通孔，第二层硅基外框层通过硅通孔与第三层硅基引线保护层实现电气互联，射频传输线从第三层硅基引线保护层引出。本发明解决了传统封装工艺复杂、生产效率不高、封装器件的体积和质量都比较大的问题，实现微波器件的可靠密封。
基于硅通孔结构硅基微系统气密封装制备方法

[发明专利]一种自封装温度自监测热红外发射芯片及其制备方法-CN202310887313.2在审
发明人：伞海生;李志伟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种自封装温度自监测热红外发射芯片及其制备方法，包括硅基发光薄膜和玻璃基底；所述玻璃基底设有空腔，并与硅基发光薄膜通过阳极键合密闭；所述硅基发光薄膜同时也作为芯片有源结构的封装薄膜，实现芯片自封装目的；硅基发光薄膜从下至上包括加热电阻和测温电阻、隔离氧化硅层、硅器件层、红外辐射层；加热电阻与测温电阻设于隔离氧化硅层的表面，并密封于玻璃基底的空腔中，分别通过掩埋电极连接电极焊盘与外部相连，实现原位监测硅基发光薄膜的温度并避免加热电阻和测温电阻的氧化；隔离氧化硅层设于硅器件层的表面，红外辐射层置于硅器件层的另一表面；玻璃基底的背面和空腔底部设有红外反射层，用于把加热电阻产生的红外光反射回加热电阻。
一种封装温度监测红外发射芯片及其制备方法

[发明专利]具有栅极结构的半导体器件及其制造方法-CN200710143804.7无效
发明人：成敏圭;梁洪善;赵兴在;金龙水;林宽容 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅极结构的半导体器件及其制造方法，其中所述半导体器件的栅极结构包含中间结构，所述中间结构包含钛层和硅化钨层。所述方法包括形成多晶硅基电极。在所述多晶硅基电极之上形成包含钛层和硅化钨层的中间结构。金属电极形成在所述中间结构之上。
具有栅极结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]硅基注氧电容型电光调制器-CN201610752753.7有效
发明人：王敏娟;周林杰;陆梁军;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：一种硅基注氧电容型电光调制器，从下到上依次为：硅衬底、二氧化硅下包层、n型轻掺杂单晶硅层、二氧化硅隔离层、p型轻掺杂单晶硅层、二氧化硅上包层和金属电极层。本发明采用氧离子注入隔离技术，可实现硅基光子器件与硅基微电子器件的集成。所述的电容调制部分采用单晶硅波导，波导传输损耗更小，本发明具有结构简单、易设计制备和成本低的特点。
硅基注氧电容电光调制器

[实用新型]一种硅基OLED微显示芯片的减反射封装结构-CN201921847282.3有效
发明人：吴忠厚;晋芳铭;王登峰;邓琼 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种硅基OLED微显示芯片的减反射封装结构，硅基CMOS驱动电路上设有OLED层，所述OLED层上设有封装层，所述封装层上设有减反层，所述减反层上方为盖板玻璃。本实用新型在目前已有的硅基OLED微显示器件制成上，仅调整或增加封装膜层的材料和厚度，无需新增额外的工序与制成，可以有效的减小硅基OLED微显示器件的反射率，具有工艺简单，性能提升明显等特点。
一种 oled 显示芯片反射封装结构

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210054460.7在审
发明人： D·迈因霍尔德;S·比塞尔特 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供硅基衬底；在衬底上沉积氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在衬底上沉积结晶硅层；基于多晶硅层制造电子器件；将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层上。
用于制造半导体器件方法