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[发明专利]一种六边形结构的复合电池热管理系统-CN202310015388.1有效
发明人：罗丁;吴子豪;杨学林;代德明;张露露 -专利权人：三峡大学;楚能新能源股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：一种六边形结构的复合电池热管理系统，包括电池组模块、第一、第二电池组支撑模块，第一、第二电池组支撑模块为密闭且内部中空的六边形结构，其上分布有与电池单元大小相匹配的孔洞，电池组模块中电池单元紧密嵌入孔洞中，电池组支撑模块内部中空部分填充有相变材料。第二电池组支撑模块外壁贴附有热电模块。第一液冷模块、第二液冷模块包含循环泵、内部充满冷却介质的液冷板。第二液冷板将外壁贴附有热电模块的第二电池组支撑模块紧密包围起来。中心部署模块连接电池组模块，中心部署模块连接电源模块。本发明系统将相变与主动电池热管理系统的液冷、热电元件相耦合，通过改变通入热电模块中电流的方向可以同时满足电池组的散热和预热要求。
一种六边形结构复合电池管理系统

[实用新型]既有建筑新增拉索与周边混凝土梁的连接装置-CN202320966447.9有效
发明人： 杨学林;周平槐;丁浩;郜海波;李晓良 -专利权人：浙江省建筑设计研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： E04G23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种既有建筑新增拉索与周边混凝土梁的连接装置，包括环箍在周边混凝土梁上的外包钢，外包钢侧壁的中部垂直设置有耳板，耳板的下端开设有用于连接新增拉索的穿孔；所述外包钢与周边混凝土梁之间通过锚栓连接。本实用新型提供的一种既有建筑新增拉索与周边钢混凝土梁的连接装置，只需通过抱箍外包钢，在原有周边混凝土梁上建立新增拉索的连接装置，操作方便，不损伤原有混凝土梁，通过外包钢增强了混凝土梁的承载力。
既有建筑新增周边混凝土连接装置

[发明专利]提高功率和性能的P型、N型半导体混联阵列式热电器件-CN202310907350.5在审
发明人：罗丁;杨学林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明涉及提高功率和性能的P型、N型半导体混联阵列式热电器件，包括基底、多个热电偶和导电片，每个热电偶包括i个并联的P型热电半导体、j个并联的N型热电半导体，每个热电偶的P型热电半导体、N型热电半导体分别经导电片并联，再通过导电片将热电偶内并联的P型热电半导体组与并联的N型热电半导体组串联，同一个热电偶的热电半导体位于不同行或者不同列时，用于热电偶内并联或串联连接的导电片为L形。本发明采用多个P型热电半导体内部并联后再与内部并联的N型热电半导体串联的混联式连接方式，解决了P型、N型半导体材料参数不一致引起的整体输出电流受限问题，实现了热电器件更高的输出功率和性能。
提高功率性能半导体阵列热电器件

[发明专利]一种调节AlN异质外延面内应力的方法-CN202311121195.0在审
发明人：张立胜;沈波;许福军;贺钟冶;杨学林 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N30/04 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种调节AlN异质外延面内应力的方法。本申请的调节异质外延面内应力的方法，包括以下步骤：1）在衬底背面沉积一层预制应力膜，得到背面带有预制应力膜的衬底；所述预制应力膜的材料与目标外延膜的材料相同；2）在无氧环境下，将背面带有预制应力膜的衬底进行退火处理；3）所述退火处理后，在背面带有预制应力膜的衬底的正面进行目标外延膜的沉积。本申请通过背部预制应力膜和退火处理的配合，能够抵消目标外延层受到的一部分甚至全部的面内应力，从而降低目标外延膜的翘曲度，减少或避免裂纹的产生。
一种调节 aln 外延内应力方法

[实用新型]一种精密水准仪用大视角条码尺-CN202320361126.6有效
发明人：王戈;王振;于晨超;杨学林;王鹏;张亮亮;闫德庆;李利;徐玥;姚永涛;贾俊杰 -专利权人：天津铁三院实业有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精密水准仪用大视角条码尺，包括杆体，所述杆体外部设置有标贴，所述标贴表面设置有条码刻度，所述条码刻度与杆体的轴线空间垂直，所述条码刻度在杆体的外壁处呈环状布设，所述杆体上端设置有对杆体进行调平的调平结构。本实用新型通过杆体作为与观测墩的安装件，通过上固定件、下固定件将标贴固定在柱型的杆身上，标贴中的条码刻度呈圆环状从而增大视角，通过杆体顶部的调平结构能够方便的对杆体进行安装过程的调平，保证杆体处于竖直状态。本实用新型为水准仪提供了一种大视角的条码尺，提高了测量效率，缩短了测量时间，本实用新型能够广泛的适应于水准仪测量。
一种精密水准仪视角条码

[发明专利]一种用于钠离子电池负极的黑磷复合材料及其制备方法与应用-CN202310901013.5在审
发明人：颜波;陈龙锋;裴丰;张露露;杨学林 -专利权人：三峡大学;湖北宜化化工科技研发有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于钠离子电池负极的黑磷复合材料及其制备方法与应用，属于电化学材料制备与应用技术领域。所述黑磷复合材料由黑磷、Na‑β(β″)‑Al2O3和导电剂碳组成，所述黑磷、Na‑β(β″)‑Al2O3和导电剂碳的质量比为6‑8：1‑3：1‑2。本发明通过将黑磷、Na‑β(β″)‑Al2O3和导电剂碳进行球磨，制备复合材料，实现了在电池负极材料中离子/电子导电网络一体化构筑。本发明制备的复合材料中，黑磷能与碳和Na‑β(β″)‑Al2O3形成致密的接触，可有效提升黑磷复合材料的离子和电子电导率，同时能够形成P‑C、Al‑P和P‑O‑C键改善黑磷储钠结构稳定性。
一种用于钠离子电池负极黑磷复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有三维电子/离子传质通道的黑磷复合负极片的制备方法-CN202310901029.6在审
发明人：颜波;陈龙锋;裴丰;张露露;杨学林 -专利权人：三峡大学;湖北宜化化工科技研发有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有三维电子/离子传质通道的黑磷复合负极片的制备方法，属于钠离子电池技术领域。所述制备方法包括：S1、在惰性气体保护下，将黑磷、β″‑Al2O3和导电剂碳进行球磨，得到即得黑磷/β″‑Al2O3/导电剂碳复合负极材料；S2、在室温搅拌条件下，将丁苯橡胶、羧甲基纤维素钠和阳离子聚丙烯酰胺按照一定质量比溶解于水中，得到粘结剂；S3、将所述黑磷/β″‑Al2O3/导电剂碳复合负极材料、乙炔黑导电剂和所述粘结剂按照一定质量比混合均匀后，涂覆在集流体上，干燥，得到黑磷复合负极片。本发明的方法可显著提高黑磷作为钠离子电池的倍率和循环性能。
一种具有三维电子离子传质通道黑磷复合负极制备方法

[发明专利]一种用于超长混凝土结构的诱导缝结构及其施工方法-CN202310387291.3在审
发明人：高超;杨学林;任涛;瞿浩川 -专利权人：浙江省建筑设计研究院
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： E04B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超长混凝土结构的诱导缝结构及其施工方法，旨在提供一种能够有效控制混凝土结构的开裂位置，并进行精确定位补强，从而保证诱导缝处的混凝土结构的耐久性和防水性能的用于超长混凝土结构的诱导缝结构及其施工方法。它包括：应力释放管,应力释放管埋设在混凝土结构内，应力释放管包括左右两块释放半管，左右两块释放半管之间能相互分离，左右两块释放半管之间围成的空间构成应力释放管的内腔；注浆导管，注浆导管埋设在混凝土结构内，注浆导管的一端与应力释放管的内腔连通，注浆导管的另一端与混凝土结构的表面连通或伸出到混凝土结构表面的外侧。
一种用于超长混凝土结构诱导结构及其施工方法

[发明专利]一种高位下挂式双向交叉斜连廊钢桁架结构及组装方法-CN202310809825.7在审
发明人：王震;叶俊;赵阳;杨学林;程俊婷;瞿浩川;全冠 -专利权人：浙大城市学院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： E04C3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高位下挂式双向交叉斜连廊钢桁架结构及组装方法，包括：下挂式钢桁架、侧向支撑结构、交叉斜连廊、交叉边界结构和两侧主体结构；两侧主体结构之间为中部大跨区，下挂式钢桁架设于中部大跨区顶部，下挂式钢桁架连接两侧主体结构形成整体结构，交叉斜连廊吊挂在下挂式钢桁架下方的中部大跨区吊挂层。本发明的有益效果是：可以实现外部双向交叉斜坡道连廊布置及幕墙造型、底部大空间高位连廊通道功能的下挂式钢桁架结构体系设计及承载；实现双向交叉吊挂斜坡连廊构造，通过两侧主体结构进行竖向支撑而构成整体受力模型，减轻自重和控制抗侧、抗扭刚度，实现底部大空间、高位交叉斜坡连廊建筑造型及功能。
一种高位下挂式双向交叉斜连廊钢桁架结构组装方法

[发明专利]一种阳离子掺杂的锰酸钾材料的制备方法-CN202310292366.X在审
发明人：高林;王晓刚;颜波;陶华超;张露露;杨学林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阴阳离子掺杂的锰酸钾材料的制备方法。具体过程是：将碳酸铵、聚乙烯吡咯烷酮、氯化锰和乙酸锗（氯化钙、乙酸钴、硒粉或磷酸二氢铵）按一定比例加到去离子水中配制成均匀溶液，然后转移到反应釜进行水热处理。反应结束后抽滤烘干，然后将烘干后的样品与柠檬酸钾按照一定比例研磨混合。最后，将混合均匀的样品置于马弗炉中进行煅烧得到阳离子掺杂的锰酸钾材料。其作为锌离子电池正极材料，相较于未进行阳离子掺杂的锰酸钾，表现出更加优异的电化学性能。
一种阳离子掺杂锰酸钾材料制备方法

[发明专利]一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法-CN202310604790.3在审
发明人： 杨学林;沈波;吴俊慷;杨鸿才;王豪捷;刘伟 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH3处理；接着生长单晶GaN厚膜材料，最后将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离，形成GaN自支撑衬底。该方法充分利用了陶瓷衬底与GaN热膨胀系数匹配的优点，并利用二维材料层为GaN的生长提供有序的六方结构，通过等离子体处理和/或NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题，实现了高质量GaN自支撑衬底的制备。基于引入的二维材料层，可采用剥离技术将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离下来，基于成熟的产业链还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。
一种利用陶瓷衬底生长 gan 支撑方法

[发明专利]一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法-CN202310599840.3在审
发明人： 杨学林;沈波;吴俊慷;张立胜;陈正昊;付星宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法，首先在陶瓷衬底表面沉积填充材料，然后研磨抛光，获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并对其表面进行等离子体处理和/或原位NH3处理；最后生长单晶III族氮化物厚膜外延层。本发明不仅实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶材料，还充分利用陶瓷衬底与III族氮化物热膨胀系数匹配的优点，实现了低热失配的高质量厚膜外延，并通过等离子体处理和/或原位NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题。陶瓷衬底优异的热导率也为高压大电流大功率器件的应用提供了便利，基于成熟的产业链，还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。
一种陶瓷衬底生长 iii 氮化物外延方法

[发明专利]P型、N型半导体混联式热电器件及其参数确定方法-CN202210934276.1有效
发明人：罗丁;杨学林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明涉及P型、N型半导体混联式热电器件，包括基底、多个热电偶和导电片，每个热电偶包括i个并联的P型热电半导体、j个并联的N型热电半导体，每个热电偶的P型热电半导体、N型热电半导体分别经导电片并联，再通过导电片将热电偶内并联的P型热电半导体组与并联的N型热电半导体组串联，同一个热电偶的热电半导体位于不同行或者不同列时，用于热电偶内并联或串联连接的导电片为L形。本发明还公开了混联式热电器件的参数确定方法。本发明采用多个P型热电半导体内部并联后再与内部并联的N型热电半导体串联的混联式连接方式，解决了P型、N型半导体材料参数不一致引起的整体输出电流受限问题，实现了热电器件更高的输出功率和性能。
半导体混联式热电器件及其参数确定方法

[实用新型]一种逆作法钢管凝土柱外置声测管结构-CN202320483942.4有效
发明人：丁勇祥;杨学林;孙海伟;黄亚均;史阳;周平槐;游建华;梅晓峰;游鹏超;陈凯;田照庆 -专利权人：中建三局集团（浙江）有限公司;中建三局第三建设工程有限责任公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： E02D33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种逆作法钢管凝土柱外置声测管结构，涉及桩基施工技术的领域，其包括钢管柱和声测管，声测管固定在钢管柱的外周侧壁上，声测管紧贴钢管柱的侧壁且为面与面接触。本申请具有方便逆作法一柱一桩施工中声测管安装的效果，声测管结构不会方案与混凝土桩的浇筑。
一种作法钢管凝土柱外置声测管结构

[发明专利]一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法及射频器件-CN202210084709.9在审
发明人： 杨学林;沈波;张立胜;许福军 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法，预先在高阻Si衬底上通过物理气相沉积(PVD)生长一层溅射的AlN薄膜，随后在PVD‑AlN薄膜上采用MOCVD进行后续GaN基材料的外延生长。本发明利用PVD工艺低温快生长速率的优势削弱Al扩散行为，并且使Si衬底被AlN覆盖，从而减少反应室在前一次外延生长过程中残留的Al和/或Ga向Si衬底的扩散，因此起到降低Si衬底中的Al和/或Ga杂质浓度、降低损耗的作用，无需生长三元合金过渡层，有效解决Si上GaN在射频器件应用中面临的射频损耗问题。
一种获得损耗 si gan 基材方法射频器件

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