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[发明专利]用于半导体器件的金红石介质材料-CN99124827.9无效
发明人： A·迈克尔斯 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-11-17 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：根据本发明形成半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底中提供深沟槽，深沟槽具有下部，通过用介质层作衬里，在深沟槽中形成介质层，该介质层包括钛。一种半导体器件包括具有形成于其中的沟槽的衬底；形成于沟槽中且容性耦合到衬底的存储节点；及形成于存储节点和衬底之间的沟槽中的介质层，该介质层作为沟槽下部的衬里，其中介质层包括氧化钛。
用于半导体器件金红石介质材料

[发明专利]一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法-CN201210311691.8无效
发明人：王新;朱怀宇 -专利权人：成都瑞芯电子有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法，所述晶体管下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）。
一种具有沟槽源极场板 trench mosfet 晶体管及其制备方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202210771708.1在审
发明人：董立群;肖海波;林率兵;戴辛志 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制作方法，包括：半导体衬底、光电二极管、深沟槽隔离结构、第一P型深阱和第二P型深阱。深沟槽隔离结构围封光电二极管，深沟槽隔离结构的相邻边的交叉处断开。第一P型深阱包括深阱块，深阱块在半导体衬底上的投影覆盖深沟槽隔离结构的交叉处断开端部在半导体衬底上的投影。第一P型深阱的结构采用一个光罩就可形成降低了成本。深沟槽隔离结构的相邻边的交叉处断开，使白像素得到很大改善；同时，第一P型深阱离子注入弥补了深沟槽隔离结构刻蚀形成沟槽过程中造成的等离子体损伤进一步减少了白像素，提高像素质量；而且深阱块提供了深沟槽隔离结构的交叉处断开区域的电学隔离
图像传感器及其制作方法

[发明专利]电容性器件和其制造方法-CN202110259087.4在审
发明人：林恩硕;柯升;林基富;林哲毅;李承宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种深沟槽结构，可形成于电容性器件的多个电极之间。深沟槽结构可形成为具有相对于使用金属刻蚀终止层来形成的沟槽结构来说得以增加深沟槽结构的体积的深度、宽度和/或纵横比。因此，深沟槽结构能够填充有更大量的介电材料，这增加电容性器件的电容值。此外，可通过省略金属刻蚀终止层来减小电容性器件的寄生电容。因此，深沟槽结构(和金属刻蚀终止层的省略)可增加电容性器件的灵敏度，可增加电容性器件的湿度传感性能，和/或可增加在其中包含电容性器件的器件和/或集成电路的性能。
电容性器制造方法

[发明专利]带分段深沟槽的深沟槽隔离-CN202111219226.7在审
发明人： B·胡;Y·邵;J·K·艾瑞诗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)具有位于衬底(108)中的沟槽结构(116)的第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。第二沟槽(104)与第一沟槽(102)分隔开小于第一沟槽(102)的第一沟槽宽度(118)并且小于第二沟槽(104)的第二沟槽宽度(120)的沟槽空间(106)。沟槽结构(116)包括具有第一导电类型的掺杂护套(148)，其接触并横向围绕第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。掺杂护套(148)从顶表面(114)延伸到隔离层(110)，并横跨沟槽空间(106)从第一沟槽(102)延伸到第二沟槽(104)。第一区域(150)与第二区域(152)由第一沟槽(102)、第二沟槽(104)及掺杂护套(148)分隔。
分段深沟隔离

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010280457.8在审
发明人：施宏霖;刘珀玮;杨宗谕;吴云骥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体结构可包括：高电压区；第一深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘；及第二深沟沟槽隔离结构，使半导体结构的高电压区与多个低电压区电绝缘。第一深沟沟槽隔离结构可包括多个介电性侧壁间隔件及位于介电性侧壁间隔件之间的导电性填充材料部分。第二深沟沟槽隔离结构可仅包含至少一种介电材料且可包括介电性深沟沟槽填充结构，所述介电性深沟沟槽填充结构具有与所述多个介电性侧壁间隔件相同的材料组成且具有大于介电性侧壁间隔件的侧向厚度且小于介电性侧壁间隔件的侧向厚度的两倍的侧向厚度
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法-CN201210378133.3有效
发明人：成鑫华;许升高;程晓华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法，包括如下步骤：⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形；所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的；⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽；⑶对深沟槽进行填充。本发明通过改变深沟槽图形的形状，采用具有旋转对称性的图形或组合图形，保证硅片在对称的方向上的接触界面面积基本相等，从而保证硅片上各个方向的应力对称分布，确保不会在某一个方向上的应力过大。
一种改善硅片曲度深沟制造方法

[发明专利]互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及影像传感器的形成方法-CN201810662951.3有效
发明人：江彦廷;陈春元;曾晓晖;王昱仁;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
互补金属氧化物半导体影像传感器形成方法

[发明专利]用于深沟槽隔离的对准标记形成方法、半导体器件结构-CN202110152991.5有效
发明人：赵德鹏;李佳龙;黄鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于深沟槽隔离的对准标记形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底表面形成对准介质层；在对准介质层形成对准标记图案和深沟槽图案，对准标记图案位于对准标记区，深沟槽图案位于器件区；保护对准标记区，并根据深沟槽图案刻蚀衬底形成深沟槽；在衬底上形成硅外延层，并对衬底进行CMP处理；保护对准标记区，并去除器件区的对准介质层；对衬底进行CMP处理，去除器件区上高于衬底表面的硅外延层，并令对准标记区表面保留预定厚度的对准介质层和硅外延层；解决了目前传统深沟槽工艺中对准标记容易影响工艺质量的问题
用于深沟隔离对准标记形成方法半导体器件结构

[发明专利]一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件-CN201910937475.6有效
发明人：魏家行;陶心怡;李宁波;李胜;张弛;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
一种通电耐压能力宽禁带半导体整流器件

[发明专利]深沟槽超级PN结结构及其形成方法-CN200910054261.0无效
发明人：龚大卫;马清杰;邵凯 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提出一种深沟槽超级PN结结构，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在单一厚外延层中的深沟槽，深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；形成在深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在深沟槽中的氧化层和多晶硅。
深沟超级 pn 结构及其形成方法

[发明专利]深沟槽超级PN结结构及其形成方法-CN200910054260.6无效
发明人：龚大卫;马清杰;邵凯 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施例提出一种深沟槽超级PN结结构，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在单一厚外延层中的深沟槽，深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；形成在深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在深沟槽中的氧化层。
深沟超级 pn 结构及其形成方法

[发明专利]具有周边深沟槽保护环和接地环的碳化硅悬浮结MOSFET器件-CN201711400459.0在审
发明人：袁俊;黄兴;倪炜江;孙安信;耿伟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有周边深沟槽保护环和接地环的碳化硅悬浮结MOSFET器件，该器件的外延层中分布着一层或多层掩埋构造的多个悬浮P+区构成的均匀离散结构，器件的周边JTE或者场限环到划片道之间设置有若干个深沟槽保护结构；深沟槽保护结构垂直穿透均匀离散结构。本申请通过在碳化硅MOSFET器件元胞中结合掩埋悬浮结构和与其相连的周边深沟槽保护结构，能进一步增强悬浮结MOSFET器件的耐压能力和抗干扰能力，减少边缘漏电。该申请的器件结构的周边深沟槽还可以作为seal ring保护芯片内部有源区，使划片的损伤裂纹等终止在沟槽区域，多个深沟槽保护环也可以有助于防止水汽和离子对于芯片有源区域的侵蚀，有利于增长器件的可靠性。
深沟槽保护结构悬浮离散结构接地环碳化硅掩埋碳化硅MOSFET 抗干扰能力漏电保护芯片垂直穿透沟槽区域耐压能力器件结构器件元胞悬浮结构水汽场限环划片道外延层源区域多层划片源区离子申请损伤芯片侵蚀

[发明专利]提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法-CN202310074492.8在审
发明人：贾仁需;王宝剑;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法，方法包括：在外延层上刻蚀若干深沟槽；在每个深沟槽内沉积氧化层；其中，在每个深沟槽内沉积的氧化层呈U型结构；在每个U型结构内沉积多晶硅源极；刻蚀氧化层和多晶硅源极，使每个深沟槽内氧化层的厚度低于多晶硅源极且多晶硅源极的厚度低于外延层；在多晶硅源极的周围沉积一层薄薄的氧化层；在每个深沟槽的氧化层上沉积多晶硅栅极；对深沟槽外的外延层进行P型离子注入形成低浓度体区
提升屏蔽沟槽 mos 器件安全工作能力结构制备方法

[发明专利]沟槽型场效应晶体管的制作方法-CN202211374240.9在审
发明人：陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型场效应晶体管的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上外延生长第一掺杂类型的外延层；于外延层上刻蚀形成至少一深沟槽；向外延层的表面进行第二掺杂类型的离子注入，注入的离子进入深沟槽底部达预定深度以形成注入区，第二掺杂类型为与第一掺杂类型相反的掺杂类型；于深沟槽的内表面依次形成栅氧化层以及多晶硅栅；向外延层进行离子注入以使外延层的上部形成为第二掺杂类型的体区；向位于深沟槽一侧的体区进行离子注入以形成源区。本发明在没有额外地增加光掩模的前提下，于所述深沟槽底部引入注入区，扩展了耗尽区的面积，降低了深沟槽底部拐角处的峰值电场，从而提高击穿电压，且不会明显增加制造成本。
沟槽场效应晶体管制作方法