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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]深沟槽填充方法-CN201210251945.1有效
发明人：王雷;李伟峰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽填充方法，包括步骤：在衬底上形成深沟槽；对衬底表面进行表面预处理；对衬底进行加热处理；在衬底表面喷吐纯水进行预浸润；在衬底表面形成第一层光刻胶；对第一层光刻胶进行热回流。本发明通过在衬底表面涂胶后，对光刻胶软烤之前，增加一个对光刻胶进行热回流的工艺，由于热回流时光刻胶中溶剂成分较多，所以光刻胶的流动性较好，通过加热能使光刻胶产生回流，从而能够增加深沟槽的顶部边角处的光刻胶的厚度，能加强对沟槽顶部边角处的保护；能够在通过两次光刻刻蚀不同深度的沟槽工艺中对深沟槽进行保护，防止在深沟槽的顶部形成缺陷，能提高器件的电性能。
深沟填充方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法-CN201610822429.8有效
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，栅极结构的深沟槽中形成有未完全填充深沟槽的底部介质层和多晶硅间隔离介质层；由多晶硅间隔离介质层所围区域组成源沟槽；位于深沟槽顶部的底部介质层被自对准刻蚀掉的区域形成栅沟槽；在栅沟槽所对应的深沟槽的顶部的侧面形成有栅介质层；在栅沟槽中形成有多晶硅栅，在源沟槽中形成有源多晶硅，多晶硅栅和源多晶硅的多晶硅同时形成。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能在降低器件的阈值电压的同时降低器件的栅源漏电；能大幅度简化工艺流程从而降低工艺成本；能提高频率特性并具有较大的工作电流密度。
屏蔽沟槽功率器件及其制造方法

[发明专利]具有深沟槽隔离结构的方法及半导体结构-CN201480040611.7有效
发明人： T·塔穆拉;B·胡;S·彭德哈卡尔;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：晶体管阵列(300)的密度通过在半导体材料(114)中形成一个或多个深沟槽隔离结构(312，314)来增加。深沟槽隔离结构(312，314)横向围绕阵列(300)中的晶体管。深沟槽隔离结构(312，314)限制掺杂物的横向扩散和电子载流子的横向移动。
具有深沟隔离结构方法半导体

[发明专利]RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法-CN201410848305.8在审
发明人：蔡莹 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，该方法是将用于填充金属实现源端、沟道和衬底连接的超深沟槽的版图阵列设计成错位交叉排布形式。该方法通过将超深沟槽设计成错位交叉排布方式，避免了超深沟槽在同一方向上的隔断或者硅片内同一方向上的应力过大，从而缓解了硅片的翘曲度，有效地降低了硅片减薄过程中碎片的产生。
rfldmos 器件阵列版图深沟排列方法

[发明专利]气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET-CN202111319000.4在审
发明人：李文军;陈凌兵;管灵鹏;王健 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：超级结MOSFET包括在第一导电类型的重掺杂衬底上的第一导电类型的轻掺杂外延层，在外延层中形成深沟槽。所述深沟槽具有在所述深沟槽的表面上形成的具有厚度梯度的绝缘层。靠近深沟槽侧壁的外延层的一个或多个区域掺杂第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反。最后，在外延层中形成MOSFET器件结构。
气体掺杂深沟超级高压 mosfet

[发明专利]深沟道MOSFET-CN201910139397.5在审
发明人：罗志云;王飞;潘梦瑜 -专利权人：恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了深沟道MOSFET及制造方法，所述深沟道MOSFET包括：衬底、形成于衬底上的外延层、在所述外延层上形成的深沟槽、在深沟槽内的源极多晶硅和栅极多晶硅，所述源极多晶硅和栅极多晶硅之间通过深沟槽内的栅极氧化层隔离，栅极多晶硅在沿着深沟方向与和栅极氧化层接触的部分形成平滑过渡的栅极氧化层弧边。本发明实施例中的深沟道MOSFET，大大改善了现有技术存在的漏电问题，得以实现高密度高性能的功率MOSFET。
深沟 mosfet

[实用新型]深沟道MOSFET-CN201920234709.6有效
发明人：罗志云;王飞;潘梦瑜 -专利权人：恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了深沟道MOSFET，所述深沟道MOSFET包括：衬底、形成于衬底上的外延层、在所述外延层上形成的深沟槽、在深沟槽内的源极多晶硅和栅极多晶硅，所述源极多晶硅和栅极多晶硅之间通过深沟槽内的栅极氧化层隔离，栅极多晶硅在沿着深沟方向与和栅极氧化层接触的部分形成平滑过渡的栅极氧化层弧边。本实用新型实施例中的深沟道MOSFET，大大改善了现有技术存在的漏电问题，得以实现高密度高性能的功率MOSFET。
深沟道栅极多晶硅栅极氧化层深沟槽本实用新型多晶硅外延层衬底源极高密度高性能功率MOSFET 漏电问题平滑过渡弧边深沟隔离

[发明专利]一种深沟槽二氧化硅填充方法及晶圆-CN202110656968.X在审
发明人：刘凡;李虎子;张林 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽二氧化硅填充方法，包含：步骤一，一次填充，向深沟槽内填充第一剂量的二氧化硅；步骤二，高温密化，对第一剂量的二氧化硅进行加热；以及步骤三，二次填充，向深沟槽内填充第二剂量的二氧化硅。该深沟槽二氧化硅填充方法在第一道填充和第二道填充之间增加一道高温密化步骤，使得衬底中的位错缺陷得以消除。本发明同时提供一种包含使用该方法加工的深沟槽的晶圆。
一种深沟二氧化硅填充方法

[发明专利]隔离具有部分垂直信道记忆单元的主动区的方法-CN03143024.4有效
发明人：张明成;陈逸男;吴国坚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-06-12 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明提供一种隔离具有部分垂直信道记忆单元的主动区的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底包含有二深沟槽，深沟槽内分别形成有一深沟槽电容，且深沟槽电容低于半导体基底表面；接着，于深沟槽间形成一突出柱状的主动区
隔离具有部分垂直信道记忆单元主动方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610340133.2有效
发明人：杨承 -专利权人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括深沟槽电容区以及逻辑区，所述深沟槽电容区的衬底中包括至少一深沟槽，所述深沟槽内设置有第一电极，所述第一电极所在的衬底上方设置有引出电极本发明提供的半导体器件的制备方法能够将深沟槽电容的制备工艺整合到逻辑电路的制备工艺中。
半导体器件制备方法

[发明专利]衬底接触蚀刻工艺-CN201680045942.9有效
发明人： D·W·哈曼;T·E·里里伯瑞治;A·阿里 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：在所描述的示例中，具有深沟槽(112)的半导体器件(100)具有形成在深沟槽(112)的侧壁(122)和底部(124)上的介电衬垫(120)。预蚀刻淀积步骤没有从深沟槽(112)的底部(124)移除大量的介电衬垫(120)。两步工艺法的主蚀刻步骤在深沟槽(112)的顶部处保持保护性聚合物(136)的同时，移除在深沟槽(112)的底部(124)处的介电衬垫(120)。随后移除保护性聚合物(136)。
衬底接触蚀刻工艺

[发明专利]一种深沟槽隔离结构-CN201711071285.8在审
发明人：景蔚亮;王本艳;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种深沟槽隔离结构，形成于一衬底之上的有源区结构之间的一沟槽内，沟槽及深沟槽隔离结构向下延伸至衬底中；包括覆盖沟槽内壁及底部的绝缘层，以及填充覆盖绝缘层后的沟槽的一填充层；还包括接触结构，连接填充层的上表面；金属层，形成于接触结构的上方并与接触结构连接，用于接收外部电场以改变填充层中的电位；能够通过改变深沟槽隔离结构中填充层的电位，进而阻止电荷隧穿进入填充层，以及避免深沟槽隔离结构底部的等离子损伤而残留的电荷形成的导电通道
一种深沟隔离结构

[发明专利]一种等宽水泥土造墙机的一种实施方法-CN201610468375.X在审
发明人：刘玉燕 -专利权人：刘玉燕
申请日： 2016-06-25 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： E02F5/08 文献下载
摘要：一种等宽水泥土造墙机的一种实施方法，喷浆装置对每一个旋切盘不间断地喷入稀泥浆；多个旋切盘在转动中将土体旋切搅拌成浓泥浆，长轴一上的多组旋刀组和长轴二上的多组旋刀组在转动中将多个旋切盘与沟槽壁之间的土体旋切搅拌成浓泥浆；浓泥浆从深沟槽内流出，成深沟槽；制造深沟槽开始，制造沟槽系统在地面以上，工作过程中，推拉缸体伸长，制造沟槽系统钻进地下一定深度，造墙机在向右运动的过程中，其左边地下造成等宽的地下深沟槽，在此沟槽内浇筑混凝土即成地下混凝土墙
一种水泥土造实施方法

[发明专利]一种深沟道隔离槽的制备方法-CN201110347244.3有效
发明人：李晓莹;李光涛;乔大勇;任森;张艳飞;康宝鹏 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明针对MEMS技术中机械连接但是电绝缘的需求，公开了一种深沟道隔离槽的制备方法。该方法步骤：抛光硅片；光刻；DRIE形成深沟槽2，所述深沟槽2为等腰倒梯形，槽侧壁与竖直方向夹角θ满足1°≤θ≤5°；氧清洗；在深沟槽2侧壁表面和硅片表面生成二氧化硅绝缘层3；填充多晶硅层4。本发明的有益效果是：直接用DRIE将硅片刻蚀成倒梯形的深沟道隔离槽，避免了各向同性刻蚀中Notching现象，能够保证深沟槽底部可以填满。由于深沟槽的形状为倒梯形，开口处依然比槽中间部分大，在沉积多晶硅的过程中也不会出现开口处堵住因而造成缝隙的情况。
一种深沟隔离制备方法

[发明专利]深沟槽电容器及其制造方法-CN202211203210.1在审
发明人：赵常宝;叶国梁;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种深沟槽电容器及其制造方法，所述深沟槽电容器包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，从衬底第一表面朝向衬底内部形成有深沟槽，在垂直于衬底第一表面的截面上深沟槽侧壁包括依次交替连接的至少一个第一侧壁和至少一个第二侧壁，第一侧壁垂直于衬底的第一表面，第二侧壁具有突出部，突出部相背于第一侧壁在所述衬底内部向远离垂直于衬底第一表面的法线方向突出；介电材料层与导电材料层，依次交替共形地形成在深沟槽内以形成深沟槽电容器，导电材料层与所述衬底之间以及相邻导电材料层之间通过介电材料层电性隔离
深沟电容器及其制造方法

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