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- [发明专利]一种SiGe沟道的形成方法-CN202211022413.0在审
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成鑫华
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-08-25
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2022-12-09
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H01L21/336
- 本发明提供一种SiGe沟道的形成方法，位于硅衬底上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层上的硅层；硅层上覆盖有硬掩膜层；在硬掩膜层上形成凹槽区域，凹槽区域将硅层的上表面暴露；在凹槽区域形成SiGe薄膜；SiGe薄膜上表面形成有自然氧化层；在反应腔中进行氢气氛围的预处理以去除自然氧化层；在反应腔中进行氨气氛围的预处理以去除自然氧化层，在氨气氛围中对所述SiGe薄膜上表面进行热处理；对SiGe薄膜上表面进行氧化，形成致密氧化层。本发明的方法可有效去除SiGe表面的自然氧化层，并通过后续工艺形成质量更为致密的氧化层，降低SiOx层和SiGe之间的缺陷密度以及SiOx自身的平带电压，提高器件性能。
- 一种sige沟道形成方法
- [发明专利]高介电常数金属栅的制造方法-CN202210097274.1在审
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归琰;成鑫华;姜兰
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-01-27
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2022-05-13
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H01L21/8234
- 本发明公开了一种高介电常数金属栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上沉积高介电常数层；步骤二、形成第一阻档层；步骤三、沉积非晶硅盖帽层；步骤四、预处理，控制预处理的温度和氧气的流量使非晶硅盖帽层的表面产生氧化；步骤五、进行尖峰退火处理以吸收高介电常数层中的氧元素，利用尖峰退火处理结合非晶硅盖帽层的表面被氧化的结构抑制在尖峰退火处理中出现硅成核以及硅晶长大，以有利于后续非晶硅盖帽层的去除；步骤六、对非晶硅盖帽层进行无硅残留的去除并同时避免损伤第一阻档层。本发明对高介电常数层的第一阻档层顶部的非晶硅盖帽层在吸氧后进行无硅残留去除，同时能避免损伤第一阻档层，最后能提高器件的可靠性。
- 介电常数金属制造方法
- [发明专利]栅氧的形成方法-CN202010780587.8在审
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成鑫华;尹俊
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-08-06
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2022-02-18
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H01L21/28
- 本发明公开了一种栅氧的形成方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层，依次对浅沟槽形成区域的硬质掩膜层和半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽；步骤二、进行带倾角离子注入在浅沟槽侧面顶部注入离子形成顶角区；步骤三、在浅沟槽中填充场氧并去除硬质掩膜层；步骤四、进行热氧化在有源区的表面形成栅氧；在栅氧的热氧化过程中，顶角区中注入的离子使顶角区的热氧化速率增加，使栅氧在所述顶角区的表面的厚度增加并从而使栅氧在顶角区的具有圆化形貌。本发明能改善栅氧的形貌，从而能提高器件的击穿电压和可靠性。
- 形成方法
- [发明专利]晶圆产品源漏退火工艺的监控方法-CN202011291535.0在审
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姜兰;成鑫华;沈耀庭
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-11-18
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2021-02-26
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H01L21/66
- 本发明公开了一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法，包括：步骤一、在当前晶圆上设置多个测试单元，在当前晶圆上完成晶圆产品的源漏注入，源漏注入也同时注入到测试单元中；步骤二、采用应力记忆技术形成一层应力氮化硅；步骤三、进行源漏退火工艺；步骤四、去除应力氮化硅层；步骤五、测试多个测试单元的方块电阻并形成当前晶圆上的测试单元方块电阻面内分布并进而得到源漏退火工艺在当前晶圆上的当前晶圆温度面内分布；步骤六、根据当前晶圆温度面内分布调整晶圆产品的源漏退火工艺以提高下一晶圆温度面内分布的均匀性。本发明能及时对源漏退火工艺的温度面内分布进行监控，能提高晶圆产品的电阻和工作电流的均匀度，提高晶圆产品良率。
- 产品退火工艺监控方法
- [发明专利]一种提升栅氧膜厚均匀性的方法-CN202010992800.1在审
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周春;沈耀庭;成鑫华
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-09-21
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2021-01-08
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H01L21/28
- 本发明提供一种提升栅氧膜厚均匀性的方法，在N个衬底样品上进行离子注入，形成阱区；分别在N‑1个衬底样品阱区表面掺杂相同能量、不同剂量的氮离子形成氮掺杂层；对N‑1个衬底样品退火以激活氮掺杂层中的氮离子；分别在没有氮掺杂层的衬底样品阱区上及N‑1个衬底样品的氮掺杂层上生长栅氧；量测栅氧的膜厚和均匀度；选择均匀度最佳氮离子注入剂量用于新产品的栅氧生长。本发明采用氮离子掺杂改变衬底表面吸热能力从而降低其对氧化的敏感度，进而在相同的温度和时间下生长的氧化膜厚度差异变小，均一性变好的特征，并且进一步地，在氮掺杂能量一定的条件下，在上述膜厚允许的范围内优化出栅氧均匀度最佳的氮掺杂剂量，来控制后续产品的栅氧生长。
- 一种提升栅氧膜厚均匀方法
- [发明专利]栅氧的形成方法-CN202010780596.7在审
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成鑫华
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-08-06
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2020-12-04
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H01L21/28
- 本发明公开了一种栅氧的形成方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层，对浅沟槽形成区域的硬质掩膜层进行刻蚀形成第一开口，对半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽；步骤二、进行刻蚀使第一开口扩大为第二开口；步骤三、以硬质掩膜层为掩膜进行第一次离子注入在第二开口侧面和浅沟槽侧面之间的有源区顶部区域中注入离子；步骤四、在浅沟槽中填充场氧并去除硬质掩膜层；步骤五、进行热氧化在有源区的表面形成栅氧；在栅氧的热氧化过程中，顶角区中注入的离子使顶角区的热氧化速率增加，使栅氧在所述顶角区的表面的厚度增加并从而使栅氧在顶角区的具有圆化形貌。本发明能改善栅氧的形貌，从而能提高器件的击穿电压和可靠性。
- 形成方法
- [发明专利]改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法-CN202010691619.7在审
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成鑫华
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-07-17
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2020-11-03
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C23C16/34
- 本发明公开了一种改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，每个循环过程步骤如下：步骤S1，通入第一气相前驱体；步骤S2，吹扫多余的第一气相前驱体；步骤S3，第一次通入第二气相前驱体；步骤S4，第二次通入第二气相前驱体；步骤S5，吹扫多余的第二气相前驱体；其中，每个循环过程中需要的所述第二气相前驱体的体积V0与第一次通入的第二气相前驱体的流量为S1、通入时间为T1以及第二次通入的第二气相前驱体的流量为S2、通入时间为T2的关系为：V0＝S1×T1+S2×T2；S1＞S2。本发明在保证每个循环过程沉积的薄膜厚度不变的前提下，有效降低炉管内前驱体残留气体的浓度差异，减少炉管内不同位置的硅片残气沉积导致的膜厚差异，改善硅片之间的厚度差异。
- 改善炉管工艺硅片薄膜厚度差异方法
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