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[发明专利]一种超结IGBT功率器件及制备方法-CN202310383697.4在审
发明人：吴玉舟;禹久赢 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该功率器件包括：衬底、第一外延层、第二外延层和非均匀沟槽；第一外延层设置于衬底正面，第二外延层设置于第一外延层远离衬底的一侧，非均匀沟槽沿第二外延层远离第一外延层的表面向第二外延层内部延伸；第一外延层包括：至少一个第一N型区和P型柱；P型柱与第一N型区交替排布；非均匀沟槽包括：深沟槽和浅沟槽；深沟槽与浅沟槽交替排布，深沟槽的宽度大于浅沟槽，且深沟槽贯穿第二外延层，底部与P型柱相接触。
一种 igbt 功率器件制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210120215.1在审
发明人：刘振强;廖宏魁 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括基底与深沟槽隔离结构。深沟槽隔离结构设置在基底中，且不电连接至任何元件。深沟槽隔离结构包括散热层与介电衬层。散热层设置在基底中。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有掠过栅极的集成电路图像传感器单元-CN201811473257.3有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：掠过栅极晶体管包括垂直栅极电极结构，该垂直栅极电极结构由延伸到衬底中的第一电容性深沟槽隔离和延伸到衬底中的第二电容性深沟槽隔离形成。掠过栅极晶体管的沟道位于第一和第二电容性深沟槽隔离之间。每个电容性深沟槽隔离由沟槽形成，该沟槽衬有绝缘衬垫并填充有导电或半导电材料。
具有掠过栅极集成电路图像传感器单元

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202110912397.1在审
发明人：杨瑞坤;赵立新 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器的形成方法，该方法包括：提供具有正面和背面的半导体衬底，并刻蚀正面形成第一沟槽；通过至少一次外延工艺，填充所述第一沟槽，并使所述第一沟槽交叉区域的开口封闭，形成第一孔洞；所述第一孔洞用于后续工艺形成图像传感器的背面深沟槽隔离结构本发明实施例可以平衡背面深沟槽隔离结构的线宽，以及均匀的背面深沟槽隔离结构的深度。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法-CN202010989073.3有效
发明人：刘张李;蒙飞;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，所述深沟槽隔离结构的形成方法包括：执行第一刻蚀工艺，去除部分厚度的结构层，以在所述结构层中形成至少一个隔离沟槽；执行第二刻蚀工艺，去除所述隔离沟槽底部剩余厚度的所述结构层，以使所述隔离沟槽在厚度方向上贯通所述结构层；在所述隔离沟槽中填充介质层，以形成深沟槽隔离结构。在执行第二刻蚀工艺时，可以去除在所述第一次刻蚀工艺的过程中产生的副产物，由此，可以避免所述副产物的污染；进一步的，在半导体器件的制造方法中，采用本发明提供的深沟槽隔离结构的形成方法形成深沟槽隔离结构，在半导体器件的形成方法中
深沟隔离结构形成方法半导体器件

[发明专利]相变存储器沟槽隔离结构的制作方法-CN201010508926.3有效
发明人：李凡;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种相变存储器沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底依次包含有阱区、外延层、衬垫氧化层与第一硬掩模层；图形化第一硬掩模层，以第一硬掩模层为掩膜，刻蚀衬垫氧化层与外延层以形成浅沟槽开口，所述浅沟槽开口的深度至少超过外延层底部；在半导体衬底上形成沟槽介电材料，所述沟槽介电材料填满浅沟槽开口并覆盖第一硬掩模层；平坦化半导体衬底表面，移除第一硬掩模层；在半导体衬底上依次形成第二硬掩模层与第三硬掩模层；部分刻蚀第三硬掩模层、第二硬掩模层、外延层及浅沟槽隔离区以形成深沟槽开口，所述深沟槽开口与浅沟槽开口的延展方向相垂直；移除第三硬掩模层；在深沟槽开口中填充介电材料以形成深沟槽隔离区。
相变存储器沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT器件及其制造方法-CN202010702279.3有效
发明人：许海东 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域，本发明的沟槽型IGBT器件设有两种不同深度的沟槽结构，两种沟槽结构按一定的优化规则排列，典型的排列规则为每两个相邻深沟槽结构之间有1~3个短沟槽结构。短沟槽内形成栅氧和多晶硅，短沟槽内多晶硅与栅极金属相连成为栅极多晶，深沟槽内同样形成栅氧和多晶硅。本发明通过短沟槽结构底部通过注入形成N型CS层，CS层分布稳定，能够获得具有很好的存储电荷效果，使得器件具有优良的正向导通特性；在深沟槽结构下进行了P型注入，有效增强了器件的耐压特性和EAS能力；制造时将高温制程移到深沟槽结构形成之前
一种沟槽 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种深沟槽结构及其制作方法-CN201110433625.3有效
发明人：王飞;毛文铭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽制作方法，包括：在N+硅基底上第一次定义沟槽刻蚀区；进行第一次刻蚀制作沟槽；在沟槽中填充P+单晶硅，形成第一沟槽；第二次定义沟槽刻蚀区；进行第二次刻蚀制作沟槽；在第二次刻蚀制作沟槽中填充N-单晶硅，形成第二沟槽；注入制作P阱。本发明还公开了一种深沟槽结构。本发明的深沟槽制作方法通过两次沟道填充能避免采用厚N-外延衬底制作超级结器件，能降低超级结器件生产成本。
一种深沟结构及其制作方法

[发明专利]深沟槽隔离结构的制备方法-CN202310736059.6在审
发明人：唐念;刘文虎;张青;张拥华;李荷莉 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一个衬底，且在所述衬底上刻蚀出若干个初沟槽，所述初沟槽以第一深度探入至所述衬底；在所述初沟槽上沉积多晶半导体材料，和/或非晶半导体材料的中间转换层，所述中间转换层覆盖所述初沟槽的侧壁和槽底；将所述中间转换层氧化为中间氧化层，且以所述中间氧化层作为硬掩膜刻蚀所述初沟槽，得到以第二深度探入至所述衬底的深沟槽；在所述深沟槽内填充隔离材料以形成隔离层。本申请在深沟槽隔离结构形成过程中，采用中间转换层消除半导体衬底表面的晶向差异，使得对应不同晶面的半导体衬底上的介质层厚度更为均匀，满足后续工艺对均匀性的需求。
深沟隔离结构制备方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法以及像素阵列-CN202210764693.6在审
发明人：欧育伶;许家荣;魏嘉余;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该半导体装置可包括该半导体装置的该单光子雪崩二极管与一相邻单光子雪崩二极管之间的一全深沟槽隔离(FDTI)结构。该全深沟槽隔离可与使该单光子雪崩二极管与该相邻单光子雪崩二极管隔离相关联。该全深沟槽隔离结构可包括该基板的该背表面处的一浅沟槽隔离(STI)部件。该全深沟槽隔离结构可包括该基板的一前表面处的一深沟槽隔离(STI)部件。
半导体装置及其形成方法以及像素阵列

[发明专利]一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置-CN201710058602.6在审
发明人：姚国峰;陆珏;张海芳;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述方法包括：提供包括像素区的第一晶圆，所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合；在与所述像素区相对的所述第二表面中形成若干间隔的深沟槽；在所述深沟槽的表面形成隔离层；形成填充所述深沟槽的导电材料层，以与所述隔离层和所述第一晶圆形成电容器。在所述方法中在所述第一晶圆的背面形成深沟槽，并在所述深沟槽中形成导电材料层，通过所述设置可以降低串扰和暗电流。
晶圆深沟槽背照式图像传感器导电材料层第二表面第一表面电子装置隔离层像素区电容器表面形成相对设置暗电流串扰填充制造背面

[发明专利]用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构-CN202011470484.8在审
发明人：臧辉;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离DTI结构。用于CMOS图像传感器的半导体结构包含具有第一侧及第二侧的半导体衬底。光电二极管安置于所述半导体衬底中接近于所述第一侧。深沟槽隔离结构围封所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构从所述第二侧朝向所述第一侧延伸。所述深沟槽隔离结构包含安置于所述深沟槽隔离结构朝向所述第一侧的第一端处的光吸收区域。
用于 cmos 图像传感器深沟隔离 dti 结构

[发明专利]Y-型深沟槽的蚀刻方法以及深沟槽隔离结构的制作方法-CN202010723349.3在审
发明人：杨扬;任丙振;李虎子 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种Y‑型深沟槽的蚀刻方法，所述Y‑型深沟槽包括V‑型顶部和位于所述V‑型顶部下方的I‑型底部，所述方法包括：通过使蚀刻气体渐变在待蚀刻基底上蚀刻出所述V‑型顶部；以及通过使蚀刻气体保持恒定在所述本发明通过简单地控制蚀刻气体(特别是蚀刻气体的流速)通过两步蚀刻步骤蚀刻出特殊形状的Y‑型深沟槽。本发明提供的Y‑型深沟槽的蚀刻方法实施简单，易于控制，无需对现有设备进行过多改造，而且两步蚀刻步骤之间转换简单。此外，本发明还提供一种深沟槽隔离结构的制作方法以及一种在基底上形成倾斜槽的干蚀刻方法。
深沟蚀刻方法以及隔离结构制作方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202210041224.1在审
发明人：郑有宏;李静宜;方钰翔;夏于耀;蔡敏瑛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种用于形成集成芯片的方法，包括：在衬底内形成包括第一掺杂类型的多个图像感测元件；实行第一移除工艺以在衬底内形成多个深沟槽，多个深沟槽将所述多个图像感测元件彼此隔开；实行外延生长工艺以在多个深沟槽内形成包括第一材料的隔离外延前体且在多个深沟槽内及隔离外延前体的多个侧壁之间形成包括第二材料的光吸收层，第二材料不同于第一材料；对光吸收层及隔离外延前体实行掺质活化工艺，以形成包括与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的掺杂隔离层；以及利用隔离填充结构来填充多个深沟槽的多个剩余部分。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]IGBT器件的制造方法及IGBT器件-CN202210515987.5在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;张泉;尹强;肖超;田俊;杨毓龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线
igbt 器件制造方法