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[发明专利]LED芯片制备方法及LED芯片-CN202310016484.8在审
发明人：刘兆;黄斌斌;梅震;陈从龙;章兴洋 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，通过对衬底上的外延层执行光刻，形成DE边与mesa边齐平的mesa/DE沟槽，执行第一次ISO光刻，将外延层表面沉积的SiO2绝缘层图形化后沉积透明导电薄膜层，执行第二次ISO光刻，将透明导电薄膜层上沉积的第一金属膜层图形化，执行两次DBR光刻，将具有第一金属膜层的外延层表面沉积的DBR层图形化并形成切割道，执行光刻，将图形化的DBR层上沉积的第二金属膜层图形化，通过二次光刻技术，能够将切割道中的SiO2和DBR刻开，避免了在切割和劈裂时引起破碎，提高了LED芯片的可靠性，且DE边与mesa边齐平增大了LED芯片的有效面积或外延层上的有效颗粒数。
led 芯片制备方法

[发明专利]掩膜组件及LED芯片的制备方法-CN202211286011.1在审
发明人：黄斌斌;刘兆;梅震;章兴洋;陈从龙 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩膜组件及一种LED芯片的制备方法，通过设计包括载片台、多个盖片以及盖板的掩膜组件，将晶圆放置在载片台的载片槽中，并在载片槽周围环绕设置的盖片槽中放置盖片，使得盖片覆盖晶圆，同时盖片被盖板压住以防止移动，从而在晶圆上沉积预设膜层时，以盖片为掩膜版，通过盖片上阵列排布的多个第一开孔，在晶圆上形成阵列排布的多个类三棱锥形的微结构，使得晶圆表面为粗化表面，而不会对晶圆中的半导体层产生损伤，可适用于对正装LED芯片表面进行粗化，且不会造成其较薄的P型半导体层的损伤，并无需额外的制备工序，不增加制作成本，提高正装LED芯片的发光效率。
组件 led 芯片制备方法

[发明专利]一种LED芯粒及LED制作方法-CN202211031633.X在审
发明人：黄斌斌;梅震;章兴洋;陈从龙;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种LED芯粒及一种LED的制作方法，该LED芯粒中，所述外延结构包括至少两个外延单元，不同外延单元的出光侧设置有不同的光线转换结构，从而使得所述外延结构中不同外延单元对应区域可以出射不同颜色的光线，进而实现一个LED芯粒实现至少两种颜色的光线出射，在应用于背光mini LED时，可以替换至少两个单色LED芯粒，减小所述LED芯粒作为背光时增加的封装尺寸，从而减小背光mini LED的尺寸，有利于背光mini LED的应用。而且，本申请实施例所提供的LED芯粒中，所述外延结构包括至少两个外延单元，尺寸较大，可以降低在所述外延单元的出光侧形成光线转换结构的工艺难度。
一种 led 制作方法

[发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202210390035.5在审
发明人：梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆刻蚀方法，首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽，从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀时，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下，刻蚀槽的上顶宽均不超过相邻芯粒之间的台面间距，不损失芯粒，也不影响芯粒排布，降低芯片制作成本。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种高压LED制作方法以及高压LED-CN202210445105.2在审
发明人：梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种高压LED制作方法以及高压LED，该制作方法包括：提供衬底；在衬底表面形成外延结构；刻蚀外延结构形成电极图形和沟槽；形成第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；形成透明导电层、金属层和绝缘层；第一阻挡层覆盖沟槽侧壁、沟槽裸露的衬底以及外延结构部分表面，避免透明导电层与沟槽裸露的P型层、有源层和N型层接触；第二阻挡层覆盖电极图像的刻蚀沟道侧壁、刻蚀沟道裸露的N型层和外延结构部分表面，避免透明导电层与电极图形刻蚀沟道裸露的P型层、有源层和N型层接触，有助于降低形成透明导电层时的线宽，并且绝缘层覆盖第一阻挡层，增加覆盖沟槽的钝化层的厚度，抑制高压LED漏电，并提高抗湿气侵蚀能力。
一种高压 led 制作方法以及

[发明专利]一种半导体发光器件及其制作方法-CN202111555665.5在审
发明人：黄斌斌;梅震;章兴洋;李青鑫;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件及其制作方法，在对切割道镂空处进行刻蚀时使得切割道处裸露衬底，进而能够使得不同器件之间相互隔离，最终能够对第一电极及相应的第二电极进行通电进行电性检测，无需制备特殊的待测器件，进而提高了半导体发光器件的制作良率。
一种半导体发光器件及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201921323564.3有效
发明人：毕东升;章兴洋;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底、层叠于衬底之上的外延层以及与外延层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：还包括多个交替排列的电流阻挡层和电流扩展层，所述电流阻挡层具有多个间隔分布的阻挡部，每一所述电流扩展层两侧的电流阻挡层的阻挡部错位排列。本实用新型采用具有间隔分布的阻挡部的电流阻挡层和电流扩展层交替层叠，可以扩展电流，改善电流拥挤现象。
电流阻挡层电流扩展层本实用新型间隔分布外延层阻挡衬底电流拥挤现象半导体领域发光二极管错位排列电性连接交替层叠交替排列

[实用新型]一种高压发光二极管芯片-CN201920832752.2有效
发明人：蔡家豪;徐凯;章兴洋;毕东升;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压发光二极管芯片，至少包括：衬底和在所述衬底上的发光叠层；所述发光叠层包括多个通过沟道电性隔离的发光元件，发光元件包括依次层叠的N型层、发光层和P型层；金属桥接线，位于沟道的上方，电性连接相邻的发光元件；其特征在于：所述沟道内填充透光绝缘材料层，所述所述透光绝缘材料层包括折射率不同的第一透光绝缘层和第二透光绝缘层。本实用新型通过在沟道内填充由高折射率透光绝缘材料层和低折射率透光绝缘材料层，从而增强发光二极管芯片的抗老化能力，增加芯片的发光面积，提高芯片的出光效率。
透光绝缘材料发光元件沟道本实用新型透光绝缘层发光叠层芯片衬底填充发光二极管芯片高压发光二极管出光效率低折射率电性连接高折射率依次层叠发光层沟道电金属桥抗老化折射率接线发光隔离

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