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[发明专利]一种电子阻挡层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310906427.7有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电子阻挡层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述电子阻挡层包括周期性层叠设置的过渡层、第一电子阻挡子层以及第二电子阻挡子层；其中，所述过渡层为GaN层、第一电子阻挡子层为Ga2O3层、第二电子阻挡子层为MgO层；或所述过渡层为GaN层、第一电子阻挡子层为MgO层、第二电子阻挡子层为Ga2O3层。本发明解决了现有技术中的外延片由于内量子效率低而导致发光效率低的问题。
一种电子阻挡及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310906430.9有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明提供一种抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述抗静电能力改善层包括周期性依次层叠设置的基层、保护层、第一核心层、第二核心层以及准备层；其中，所述基层为InGaN层、保护层为GaN层、第一核心层为Ga2O3层、第二核心层为Ga2O3与GaN的渐变层、准备层为GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片抗静电能力差的问题。
抗静电能力改善及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310861182.0在审
发明人：刘兆;李敏华;詹宇;李永同 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧依次排布的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，第二型半导体层背离衬底一侧依次设置有SiO2电流阻挡层、ITO电流扩展层和一电极，在保持ITO电流扩展层用于电流扩展的同时，在第二型半导体层和ITO电流扩展层之间除SiO2电流阻挡层之外的区域设置多个SiO2反射部，使得有源层发出的射向ITO电流扩展层的至少部分光可以被SiO2反射部所反射，进而从衬底背离外延叠层的一侧(出光侧)射出，减少ITO电流扩展层对光的吸收，增加向LED芯片出光侧的反射光，提高LED芯片发光效率。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种正装高压LED芯片及制作方法-CN202310909288.3在审
发明人：刘兆;李敏华;谢维娜;叶佩青 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种正装高压LED芯片及制作方法，该正装高压LED芯片设置的晶胞隔离槽将外延层划分为多个晶胞，每个晶胞都是设置有第一凹槽，在该外延层背离衬底一侧依次设置有布拉格反射层与金属反射层；当该正装高压LED芯片进行发光时，晶胞隔离槽处会产生轴向光，由于晶胞隔离槽背离衬底一侧的布拉格反射层的厚度较薄，所以会导致晶胞隔离槽处出现漏光，此时金属反射层可以将晶胞隔离槽处产生的轴向光反射进芯片内部，从而避免轴向光从晶胞隔离槽散发出去，减少了漏光的出现，反射进芯片内部的光会从该正装高压LED芯片的背面或者侧面发出，从而增大该正装高压LED芯片侧面的出光角度。
一种高压 led 芯片制作方法

[发明专利]一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法-CN202111181609.X有效
发明人：王莎莎;崔晓慧;林继宏;聂虎臣;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸铋上转换发光材料及其制备方法，上转换发光材料具有式Ⅰ通式：Bi1.99Er0.01YbXLiYSiO5；其中，0＜X≤0.015，0Y≤0.08。本发明提供的材料将Er3+离子、Yb3+离子掺入硅酸铋晶体中，不会改变晶体结构；通过Yb3+离子的掺杂浓度实现对上转换发光强度的调控，且红绿光比值也同时被调控；Li+离子的掺入也不会引起晶格结构改变，只能使晶体颗粒尺寸发生变化；而这种掺杂还会导致局域晶体场的对称性降低，使之更适合稀土离子4f电子跃迁，进而使得发光强度得到增强。
一种稀土离子掺杂硅酸转换发光材料及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310893402.8在审
发明人：李敏华;卢瑶;詹宇;李永同;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧沿背离衬底的方向设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、电流阻挡部、布拉格反射镜部和金属电极，电流扩展层覆盖布拉格反射镜部、电流阻挡部以及第二型半导体层，第二型半导体层、电流阻挡部、布拉格反射镜部以及金属电极依次内缩，且在垂直于衬底所在平面的方向上，电流阻挡部、布拉格反射镜部以及金属电极对应设置，使得有源层发出的射向金属电极的光不仅可以被布拉格反射镜部所反射，提高电极反射率，还可以从电流阻挡部和布拉格反射镜构成的两道台阶之间透过，增加电极附近的出光率，总体上减少金属电极对光的吸收和遮挡，提高LED芯片的出光效率。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装常压LED芯片及其制备方法-CN202310817590.6在审
发明人：杨谏;李敏华;付鸿飞;何安旺;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装常压LED芯片及其制备方法，该倒装常压LED芯片利用绝缘膜层将倒装常压LED芯片全部包围起来，仅保留两个凹槽用于设置P电极和N电极，在后续焊接时能防止焊料溢出，与N型半导体层和P型半导体层连通而导致漏电等问题，可以达到与常规DE工序相同的作用，因此在本发明中无需采用DE工序，进而无需缩小P型半导体层的面积，提高了倒装常压LED芯片的发光面积；并且形成绝缘膜层的成本比DE工序成本低，进一步降低制备成本；绝缘膜层还能在封装后隔绝水汽进入，提高倒装常压LED芯片的可靠性；此外对边缘MESA做图形化处理，原本光路径为侧面出光的光经过图形化DBR后会变成背面出光，进而提高背面光强。
一种倒装常压 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202310906428.1在审
发明人：霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过设置由若干二维的AlN子层周期性交替生长而成的空穴传导层，且在空穴传导层中引入碱土金属元素Mg、Ca、Zn、Sr掺杂，使二维AlN子层实现P掺杂，提供空穴，同时由于磁性粒子的引入，可以在AlN结构中引入浅受主杂质能级，由于浅受主杂质能级的引入，更有利于空穴电离和传导，从而提高深紫外LED的发光效率。
一种深紫 led 外延生长方法芯片

[发明专利]反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法-CN202310687123.6在审
发明人：梅松;霍丽艳;崔晓慧;林继宏;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法，所述LED结构包括：第一衬底、反射金属层、绝缘介质层和外延层；其中，所述反射金属层为Ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种LED结构采用Ag基反射金属层，Ag基反射金属层的反射率比Au基反射金属层的反射率高，能够提高LED结构的光电效率，且采用Ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层面向所述Ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的接触面积，从而提升了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。
极性薄膜 algainp led 结构及其制备方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及发光二极管-CN202310029173.5有效
发明人：刘兆;吴洪浩;霍丽艳;翁聪;崔晓慧 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括N极性组合层，N极性组合层包括依次层叠设置的N极性的N型GaN层、N极性的多量子阱层以及N极性的P型GaN层；N极性的多量子阱层包括周期性依次交替设置在N极性的N型GaN层上的势垒层和势阱层，势垒层和势阱层均为AlGaN层，势阱层中Al的组分含量为35%‑65%，势垒层中Al的组分含量为35%‑90%，N极性的N型GaN层和N极性的P型GaN层的生长温度均为800℃‑1400℃，N极性的多量子阱层的生长温度为1000℃‑1300℃。本发明解决了现有技术中的外延片的开启电压而导致发光效率低的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202310120804.4有效
发明人：刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过依次生长N极性转换层和图形化石墨层，其中，所述N极性转换层的材料为GaN，且靠近图形化石墨层的一侧为氮面，由于图形化石墨层的材料为石墨烯，石墨烯中的碳原子和N极性转换层氮面的氮原子可以根据范德瓦尔斯力结合，通过这样的方式将其应用于Micro‑LED或Mini‑LED中，可以更轻松地实现与衬底的剥离，另外，在部分子石墨烯块的中心位置开设有通孔，该通孔用于将N极性转换层部分裸露，目的在于在通孔处形成晶种，便于后续生长的GaN材料可以更好的在石墨烯表面沉积。
一种 led 外延生长方法芯片

[发明专利]一种LED及其制备方法-CN202110895672.3有效
发明人：陈德伪;翁启伟;刘英策;刘宇轩 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED及其制备方法，以镂空区和边缘镂空区处填充的光刻胶层为保护结构，以在外延片上蒸镀金属反射层和保护层，而后去除光刻胶层。本发明提供的技术方案，仅需要一次光刻工艺即可得到最终的金属反射层和保护层，使得LED制备方法的流程简单。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法-CN202310440820.1在审
发明人：梅松;林继宏;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法，该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。
基于 sic 衬底 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]一种尾气回收装置-CN202310456742.4在审
发明人：吴广博;尚谷;张静;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B3/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种尾气回收装置，包括依次连接的加压设备、气体吸附分离器、缓冲设备和纯化器，以对尾气进行回收净化；加压设备用于将尾气压入气体吸附分离器，气体吸附分离器用于吸附尾气中的水分和杂质，缓冲设备用于储存和释放尾气，纯化器用于对尾气进行纯化处理。本发明利用尾气回收装置实现对尾气中的氢气进行回收。
一种尾气回收装置

[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310035020.1在审
发明人：黄斌斌;陈从龙;梅震;王亚杰;刘兆 -专利权人： 江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，与现有高压LED芯片的工艺制程中，先深刻蚀形成隔离沟槽再沉积电流扩展层不同，在本申请所提供的LED芯片的制备方法中，先沉积电流扩展层，再深刻蚀形成隔离沟槽，从而无需对深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层进行刻蚀，避免深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层难以蚀刻干净以及电流扩展层因过刻蚀导致发光面积减小的问题，有利于减少LED芯片的漏电异常，增大电流扩展层的发光面积，并且，对电流扩展层的刻蚀以及形成台面区的台面刻蚀采用一次刻蚀工艺完成，大大简化工艺流程，降低芯片制作成本，而且不需要考虑台面区和电流扩展层的套刻问题，有利于进一步增大电流扩展层的发光面积。
led 芯片制备方法

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