专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]稳流装置-CN201410365759.X有效
  • 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2014-07-29 - 2020-02-14 - G05D7/00
  • 本发明揭示了一种稳流装置,包括:缓冲部、输出端部及弹性连接件。缓冲部具有缓冲腔、开设有进液口的进液端及开设有出液口的出液端。输出端部位于缓冲部的出液端的一侧,输出端部具有输出口。弹性连接件连接输出端部与缓冲部的出液端。输出端部与缓冲部的出液端之间具有一间隙,该间隙的大小通过弹性连接件的伸缩调节,缓冲腔中的液体一部分从输出端部的输出口输出,另一部分从该间隙溢出。当输出端部受到液体挤压时,弹性连接件拉伸,输出端部与缓冲部的出液端之间的间隙变大,液体通过该间隙溢出的量增大,当输出端部受到液体的挤压力变小时,弹性连接件收缩,输出端部与缓冲部的出液端之间的间隙变小,液体通过该间隙溢出的量变小。
  • 装置
  • [发明专利]半导体晶圆的测量装置及方法-CN201510080885.5有效
  • 金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2015-02-15 - 2020-02-07 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种半导体晶圆的测量装置和方法。该测量装置包括,探头、驱动轮和承载架,其中的探头包括电涡流探头,而承载架包括滑轨和旋转环,滑轨的形状与旋转环相匹配;用于测试的晶圆安放在旋转环上,晶圆与旋转环的相对位置被旋转环与所述晶圆的边缘相接触的部分所限定,旋转环带动晶圆在滑轨上转动且在转动过程中晶圆和旋转环无相对滑动,旋转环的转动由驱动轮驱动;电涡流探头分为发射探头和接收探头,发射探头和接收探头在测量晶圆时非接触的分设于晶圆的正反两面,发射探头和接收探头均垂直地指向晶圆所在的平面且二者始终共线,以保证接收探头接收到发射探头产生的激励信号。本发明同时还公开了使用该种测量装置对晶圆进行测量的方法。
  • 半导体测量装置方法
  • [发明专利]镀铜减薄一体化装置-CN201410190951.X有效
  • 金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2014-05-07 - 2019-12-24 - H01L21/768
  • 本发明揭示了一种镀铜减薄一体化装置,包括基架,基架内设置有承载台、镀铜腔、快速清洗腔、抛铜腔及硅片夹持装置,硅片夹持装置从承载台上夹取硅片,然后携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺,最后将完成镀铜工艺、快速清洗工艺及抛光减薄工艺的硅片卸载在承载台上。本发明通过将镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔集成在同一基架内,并由同一硅片夹持装置携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内进行相对应的工艺加工,减少了机械手取、放硅片的次数,提高了工艺效率。
  • 镀铜一体化装置
  • [发明专利]双面气相刻蚀装置-CN201410512991.1有效
  • 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2014-09-29 - 2019-12-24 - H01L21/67
  • 本发明涉及半导体加工领域,更具体地说,涉及一种半导体硅片的双面气相刻蚀工艺。本发明提出了一种硅片的双面气相刻蚀装置,包括刻蚀腔,该刻蚀腔分别与输气系统和排气系统相连,刻蚀腔内刻蚀气体的进出及流通由输气系统后排气系统控制,在该装置的刻蚀腔内设置有至少3个导向轮,刻蚀过程中,导向轮位于与硅片重合的平面且沿着硅片的径向向内卡位,以将硅片卡持固定,导向轮分布于硅片的边缘位置处;导向轮中至少有一个与驱动装置相连并在该驱动装置的作用下发生滚动以带动所述硅片,硅片由导向轮传动而旋转;输气系统与喷嘴连接,喷嘴在硅片的侧方喷气,喷嘴喷出的气体流经硅片的正反两面。本发明还提出了一种双面气相刻蚀的方法。
  • 双面刻蚀装置
  • [发明专利]一种防掉落的半导体清洗装置-CN201510081989.8有效
  • 吴均;程成;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2015-02-15 - 2019-12-24 - B08B3/12
  • 本发明涉及半导体生产和制造领域,更具体地说,涉及到一种防掉落的半导体清洗装置。该防掉落的半导体清洗装置包括:固定模组和喷头,以及声波发生器和位移探测器,其中,声波发生器与喷头搭配运作,该位移探测器包括固定端和测量端,其中位移探测器的固定端被固定在所述固定模组上,位移探测器的测量端为可伸缩的,声波发生器压紧位移探测器的测量端且与固定模组固定,该位移探测器感应测量端的伸缩量以检测所述声波发生器是否松动。采用本发明提供的半导体清洗装置,能够防止其中的声波发生装置掉落,从而避免了晶圆被砸碎的情况发生。
  • 一种掉落半导体清洗装置
  • [发明专利]共轴调节装置及使用该装置的共轴调节方法-CN201510081687.0有效
  • 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2015-02-15 - 2019-12-24 - H01L21/68
  • 本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明提供了一种共轴调节装置,用于在半导体设备中对晶圆固定盘和喷头进行共轴调节,该共轴调节装置包括晶圆固定盘、定位板、定位座、喷头以及激光器件;其中的晶圆固定盘能够在竖直方向上升或下降,并在水平方向沿着X轴、Y轴平移,晶圆固定盘上开有定位孔,用于安装定位板;定位板的下方设置有遮挡物,该遮挡物上开有至少两条狭缝,两条狭缝的相交线在晶圆固定盘的中心轴Z上;其中的喷头开有安装孔,定位座通过安装孔和定位柱安装于喷头,定位座上搭载有激光器件的发射部和接收部。
  • 调节装置使用方法
  • [发明专利]均匀气流装置-CN201410366171.6有效
  • 杨宏超;V·纳其;金一诺;张怀东;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2014-07-29 - 2019-12-20 - H01L21/67
  • 本发明揭示了一种均匀气流装置,包括:导气管,导气管中空形成气体腔,在导气管的侧壁和底端开有出气孔,出气孔与气体腔连通,气体腔连接到气体输送管道,导气管沿高度方向具有数个安装槽,每两个安装槽之间为一段,每一段中具有不同数量的出气孔。数个引导片,分别安装在导气管的外壁上的安装槽中,数个引导片具有不同的面积,引导片引导从导气管的不同的段中输出的气流,沿不同的引导片流至引导片的边缘之后向下,由不同的段中输出的气流在该均匀气流装置的下方形成各自的气流区域,气流区域的正投影面积与对应段中出气孔的数量相关。
  • 均匀气流装置

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