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[发明专利]一种基于悬浮二维材料及异质层悬挂质量块的加速度传感器-CN202010852720.6有效
发明人：范绪阁;丁洁 -专利权人：范绪阁
申请日： 2020-08-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于悬浮二维材料及异质层悬挂质量块的加速度传感器，其特征在于，悬浮二维材料及异质层悬挂质量块作为弹簧‑质量块系统及跨导器结构使用；悬浮二维材料及异质层的所用材料主要包括石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼、二硒化钨、二硒化钼、二硫化钨、二硒化铂等过渡金属二硫属化物；外在所施加的加速度（例如沿Z轴方向）使悬挂质量块的悬浮二维材料及异质层形变与应变（例如沿Z轴发生），进而使压阻的悬浮二维材料及异质层的电阻发生变化大的悬挂的质量块、高压阻系数的二维材料及异质层的使用与六方氮化硼作为封装层大幅度提高了器件的灵敏度、分辨率、检测极限与产率，避免了器件性能的降解。
一种基于悬浮二维材料异质层悬挂质量加速度传感器

[发明专利]一种PtSe2-CN202011186185.1有效
发明人：张晗;林志滔;张家宜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器，包括硅基底以及设置于所述硅基底上的二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上设有二硒化铂层，所述二硒化铂层上设有CsPbI3钙钛矿量子点层；所述二硒化铂层上还设有对电极，所述对电极设于CsPbI3钙钛矿量子点层的两侧本发明还提供了PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器的制备方法和应用。本发明PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器利用二硒化铂的高迁移率弥补钙钛矿量子点光电探测器响应慢的缺陷，同时钙钛矿量子点的高光吸收效率也弥补了二硒化铂光吸收率低的问题，通过将二硒化铂与钙钛矿量子点的互补作用，优化了PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器的导电性和光响应特性。
一种 ptse base sub

[发明专利]一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用-CN202211345253.3在审
发明人：胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触
一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用

[发明专利]二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法-CN201811267225.8在审
发明人：谢超;王迪;马梦茹;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n‑型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。
硒化光电探测器接触电极钯薄膜绝缘层硅异质结硅基制备电流开关比覆盖绝缘层硅基底表面欧姆接触区域覆盖底电极上表面下表面异质结基区铺设响应覆盖

[发明专利]二硒化铂薄膜/n-型锗异质结近红外光探测器及其制备方法-CN201811267218.8在审
发明人：谢超;李晶晶;王莉;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化铂薄膜/n‑型锗异质结近红外光探测器及其制备方法，其是以n‑型锗基底为光电探测器的基区，在n‑型锗基底的下表面设置n‑型锗基底电极，上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化铂接触电极，在二硒化铂接触电极上铺设二硒化铂薄膜，二硒化铂薄膜一部分与二硒化铂接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型锗基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。
硒化铂薄膜锗基接触电极异质结绝缘层近红外光探测器光电探测器制备覆盖绝缘层欧姆接触区域覆盖底电极上表面下表面响应度基区铺设响应覆盖

[发明专利]基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备-CN201810226345.7在审
发明人：李奎龙;王文佳 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备，该光探测器包括硅衬底和设置于硅衬底上面的二氧化硅氧化层，二氧化硅氧化层上设置有p型黑磷层，p型黑磷层上面设置有n型硒化铟层，p型黑磷层和n型硒化铟层构成范德瓦尔斯p‑n异质结；n型硒化铟层上设置有漏极电极，所述p型黑磷层上设置有源极电极，硅衬底上与二氧化硅氧化层相对的一面设置有栅极电极。本发明中n型硒化铟与p型黑磷形成p‑n异质结，界面处内建电场可以实现电子和空穴载流子的快速分离，减小载流子复合几率进而减小器件暗电流，有利于降低探测器噪声和提高响应速度。
黑磷硒化铟异质结二氧化硅氧化层范德瓦尔斯光探测器硅衬底二维减小制备空穴载流子载流子复合快速分离漏极电极内建电场源极电极栅极电极暗电流界面处探测器噪声响应

[发明专利]一种波导集成的发光二极管-CN202111145683.6在审
发明人：潘安练;陈舒拉;杨鑫 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。
一种波导集成发光二极管

[发明专利]一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法-CN202210283293.3在审
发明人：张跃;王利华;张铮;张敬书;卫孝福;陈匡磊;高丽;于慧慧 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够在正栅电场条件下利用石墨炔和二氧化硅绝缘层对双极性二维二硒化钨进行p掺杂和n掺杂，形成的p‑n结可以获得较大的整流比且整流性能稳定；该整流器通过对二维二硒化钨同时进行n型掺杂和p型掺杂，使所述二维二硒化钨在水平方向形成p‑n同质结，从而使其输出电流随着输入漏源电压的正负分别呈现高电平和低电平，实现整流器功能该整流器通过石墨炔薄膜和二氧化硅绝缘层同时与部分二维二硒化钨接触连接，在硅栅电极施加的正向栅电场作用下实现p型和n型掺杂，从而形成同质结。
一种电荷俘获二维水平同质整流器制备方法

[发明专利]二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料的制备及应用-CN202111533841.5有效
发明人：喻学锋;吴列;杨帆 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明属于材料领域的异质结复合材料技术领域，尤其是二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料的制备及应用。本发明提通过制备二维硒化铋纳米片进一步构建二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料，将纤维磷分散于有机溶剂中，加入铜盐和二维硒化铋纳米片，加热反应，即得二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料。二维磷化亚铜/硒化铋异质结复合材料以二维硒化铋纳米片为基底，基底上覆盖二维磷化亚铜纳米带，该复合材料能在空气环境中能够保持两个月之久，同时利用磷化亚铜在近红外的吸收，增强了材料在近红外长波段(1100nm
二维磷化硒化铋异质结复合材料制备应用

[发明专利]一种碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法与应用-CN202111419739.2有效
发明人：彭祥;徐宝钗;谢松 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法与应用，制备方法包括步骤：将镍盐配制成镍盐溶液，将预处理后的碳布置入镍盐溶液中，并滴加碱性溶液，静置反应后得到氢氧化镍层状纳米片基底；将含硒化合物、还原剂A配置成水热溶液A，将氢氧化镍层状纳米片基底置于水热溶液A中，经第一次水热反应后得到硒化镍基底；将碲盐、还原剂B配制成水热溶液B，将硒化镍基底置入水热溶液B内，经第二次水热反应后得到碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂。本发明制备的碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂为二维层状结构，结构稳定，能降低电解水的过电势，有效的提升电解水的催化效率。
一种修饰碲化镍硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用-CN201810634837.X在审
发明人：李晓干;李欣宇;王明峰;顾丁;刘航 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，提供一种基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料本发明采用热氧化法获得一种新型异质结复合纳米材料，原材料获取方便、价格低廉、制备异质结过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。本发明利用二硒化锡和二氧化锡异质结复合纳米材料制作的二氧化氮传感器工作温度为120℃，可以实现材料与硅基微电子相集成。
异质结二氧化氮气体复合纳米材料气敏材料传感器二氧化锡加热基板制备工艺涂覆硒化制备二氧化氮传感器纳米材料技术二维半导体热氧化法工艺流程硅基微电子应用制作

[发明专利]氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用-CN201510776094.6在审
发明人：秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列在室温检测二氧化氮气体上的应用。在室温下氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列对5ppm级别的NO₂气体具有的响应灵敏度是单纯氧化钨纳米线灵敏度的7-9倍，响应时间小于3s。
氧化钨氧化钒异质结纳米阵列作为材料应用

[发明专利]一种提高单层GaSe光催化性能的方法-CN202211003332.6在审
发明人：葛传鹏;邓洪祥;祖小涛 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：包括S1、单层硒化镓的优化：首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作。使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。
一种提高单层 gase 光催化性能方法

[发明专利]一种氮掺杂多级孔碳负载纳米钴基异质结复合材料及其制备方法和应用-CN202311193852.2在审
发明人：马晓涛;文晨旭;刘海强;刘焕;张衡;袁振;张西涛;朱荣振;刘建路 -专利权人：山东海化集团有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种氮掺杂多级孔碳负载纳米钴基异质结复合材料及其制备方法和应用。所述的氮掺杂多级孔碳负载纳米钴基异质结复合材料包括基体和负载在基体上的纳米钴基异质结。本发明通过高温煅烧柠檬酸盐、氯化锌和含氮化合物制得氮掺杂多级孔碳材料，而后在氮掺杂多级孔碳材料上复合钴盐，通过硒化硫化过程直接将钴盐转化为二硒化钴‑二硫化钴异质结。将所述复合材料应用于锂硫电池，二硒化钴‑二硫化钴异质结综合了各自在锂硫电池中的作用，异质结构与多硫化锂较强的极性作用提高了电化学反应动力学，氮掺杂多级孔碳一方面提高了吸附多硫化锂的能力，另外一方面缓解了材料的体积膨胀
一种掺杂多级负载纳米钴基异质结复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器的制备方法-CN202110253989.7有效
发明人：黄文;唐雨晴;龚天巡;林媛;张晓升 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法，该传感器采用PI薄膜作为基底，ITO作为电极，禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为：首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极，再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片，并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上，形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间)，结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低，且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性，相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景，且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性，此类光电探测器具有良好的光电探测性能
一种基于硒化物硫化物异质结柔性光电探测器制备方法