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[发明专利]一种二硫化钨/氮化硼异质结及其制备方法-CN202211458334.4在审
发明人：赵亚娟;刘天梦;王浩林;李想;石梁 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种全CVD法制备二硫化钨/氮化硼异质结的方法，包括以下步骤：步骤一、对Cu衬底进行电抛光和一次退火预处理；步骤二、对Cu衬底进行二次退火并以氨硼烷为前驱体，进行氮化硼薄层生长，得到沉积在Cu衬底上的氮化硼薄层；步骤三，利用PVA转移法将步骤二制备的氮化硼薄膜转移到SiO2/Si衬底上；步骤四、将三氧化钨置于反应舟中，将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将制备的氮化硼/SiO2/Si保持与气流垂直方向放置，进行二硫化钨沉积，即得到二硫化钨/氮化硼垂直异质结；设备技术简单，维护方便，灵活性强，制备的异质结比较干净
一种硫化氮化硼异质结及其制备方法

[发明专利]三氧化钨单层纳米片/二氧化钛异质结复合材料的制备方法及所得产品和应用-CN202210324011.X在审
发明人：刘静;杨璐冰;李晨 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨单层纳米片/二氧化钛异质结复合材料的制备方法及所得产品和应用，将三氧化钨单层纳米片加入溶剂中，超声分散均匀，然后加入二氧化钛和马来酸超声分散，超声后所得混合溶液继续搅拌反应，然后离心收集产品，干燥、煅烧，得到三氧化钨单层纳米片/二氧化钛异质结复合材料。本发明以三氧化钨单层纳米片和二氧化钛为原料，通过简单的超声分散、煅烧反应即可得到三氧化钨单层纳米片/二氧化钛异质结复合材料，操作简单，易于实施，产品收率高，所得复合材料对有机染料具有优异的光催化降解性能
氧化钨单层纳米氧化钛异质结复合材料制备方法所得产品应用

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202110239448.9在审
发明人：王志永;赵剑;吴华;张传升;郭凯 -专利权人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池包括依次叠层设置的衬底、背接触层、P型二硒化钼膜层、P型吸收层、N型缓冲层和窗口层。通过在背接触层与P型吸收层之间形成P型二硒化钼膜层，使得P型吸收层与P型二硒化钼膜层形成高低异质结，通过背场作用减少背电极处的载流子复合作用，提高电池转化效率。
薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器-CN201811326761.0在审
发明人：李鹏;耿策洋 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、
二硒化钨应力传感器氮化硼层金属电极压阻式长期稳定性从上到下二维材料敏感材料柔性基底压阻特性应力检测保护层氮化硼抗弯折灵敏度能力强上表面体积小易加工单层量程敏感

[实用新型]基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器-CN201821836232.0有效
发明人：李鹏;耿策洋 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本实用新型采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工
二硒化钨应力传感器氮化硼层金属电极压阻式本实用新型长期稳定性从上到下二维材料敏感材料柔性基底压阻特性应力检测保护层氮化硼抗弯折灵敏度能力强上表面体积小易加工单层量程敏感

[发明专利]一种以HDS废催化剂为原料制备钨酸铋/钼酸铋/石墨烯异质结光催化剂的方法-CN201910227985.4在审
发明人：曲雯雯;陈尚民;陈瑞芳;马子伦 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种以HDS废催化剂为原料制备钨酸铋‑钼酸铋‑石墨烯异质结光催化剂的方法，属于光催化剂材料制备技术领域。本发明在超声波辅助下从铝基加氢脱硫废催化剂（HDS）中提取钼通过水热/溶剂热制备石墨烯包覆钨酸铋‑钼酸铋自组装纳米片微球异质结光催化剂，钨酸铋‑钼酸铋‑石墨烯异质结光催化剂具有形貌单一、表面积大、光催化活性高的特点，钨酸铋‑钼酸铋‑石墨烯异质结光催化剂具有制备过程工艺简单、适宜规模生产；能在可见光下有效降解有色染料罗丹明。
异质结光催化剂石墨烯钨酸铋钼酸铋废催化剂原料制备光催化剂材料制备技术领域形貌超声波辅助光催化活性纳米片微球溶剂热制备可见光规模生产加氢脱硫有效降解制备过程罗丹明自组装染料包覆铝基水热

[发明专利]一种铋系纳米异质结材料及其制备方法和应用-CN202110155796.8有效
发明人：吴爱国;胡嘉鹏;陈天翔;林杰;房倩兰;马雪华 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所慈溪生物医学工程研究所
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铋系纳米异质结材料及其制备方法和应用，铋系纳米异质结材料包括氯氧化铋纳米粒子和硒化铋纳米粒子；所述氯氧化铋纳米粒子和硒化铋纳米粒子之间形成异质结。所述铋系纳米异质结材料中氯氧化铋纳米粒子实现光动力疗和光热疗，硒化铋纳米粒子实现光热疗，使得材料具备光热疗和光动力疗的联合治疗模式。
一种纳米异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料及其制备方法-CN202111397417.2在审
发明人：洪诚毅;陈玲玲;黄志勇 -专利权人：集美大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料的制备方法，该方法包括：将二硒化钨纳米片溶液或二硒化钼纳米片溶液匀速搅拌并保持冰浴，之后向二硒化钨纳米片溶液或二硒化钼纳米片溶液中逐滴滴加四氯金酸，反应20min，离心，收集沉淀，得到二硒化钨或二硒化钼/金纳米粒子复合材料。该方法绿色简单、成本低、效率高、生产周期短，制备的二硒化钨/金纳米粒子复合材料有更高的过氧化物酶催化活性，在生物小分子物质如葡萄糖的检测上具有广泛的应用前景。
一种二硒化钨二硒化钼纳米粒子复合材料及其制备方法

[发明专利]可调双频太赫兹吸收器-CN201910346269.8有效
发明人：李九生;陈旭生;李达 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。
可调双频赫兹吸收

[发明专利]纸基铜纳米管-二硫化锡/三氧化钨异质结的制备方法-CN202110278217.9在审
发明人：谭晓冉;于海瀚;张彦;高超民;于京华;梁冰;韩梦婷 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纸基铜纳米管‑二硫化锡/三氧化钨异质结的制备方法，包括以下步骤：以色谱纸作为基底，通过高效的水热法、无电沉积法以及浸泡法实现了纸芯片表面铜纳米管的高密度负载，再通过简单的水浴反应实现了核壳结构的二硫化锡/三氧化钨异质结在纸芯片上的生长。该方法制得的纸基铜纳米管‑二硫化锡/三氧化钨异质结具有丰富的三维活性空间，巨大的采光面积，极大地提高了纳米材料的光电转换效率，为柔性铜纳米管‑二硫化锡/三氧化钨生物传感平台的制备奠定良好的基础。
纸基铜纳米硫化氧化钨异质结制备方法

[发明专利]一种p-n异质结型氧化铜-氧化钨材料及制备方法与应用-CN201911100509.2有效
发明人：程刚;张梦梦;朱雪腾;杨卡 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明提供一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料及制备方法与应用，属于功能材料、光催化材料制备技术领域。一种p‑n异质结型氧化铜‑氧化钨材料，由单斜晶系的氧化铜纳米颗粒负载在六方晶系的氧化钨纳米线表面而成，包括以下步骤：（1）将乙酸铵、二水合钨酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、乙酸溶解得混合溶液，进行水热反应，得到氧化钨纳米线；（2）将氧化钨纳米线、铜源、氨水加入水中，在冰水浴搅拌条件下加入硼氢化钠，得到氧化铜‑氧化钨复合材料。通过冰水浴法成功合成了p‑n异质结型的氧化铜‑氧化钨复合材料，复合材料化学式为CuO‑WO3,所制备的复合材料中氧化铜纳米颗粒均匀的负载在氧化钨纳米线的表面，形成有效接触
一种异质结型氧化铜氧化钨材料制备方法应用

[发明专利]一种二硒化钨纳米片及其制备方法-CN202211055704.X在审
发明人：程迎春;苗东鹏;罗小光;刘凡 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨纳米片及其制备方法，属于二维半导体材料制备技术领域，解决了现有技术制备二硒化钨纳米片造价高、制备过程难控制等的技术问题。采用钨酸钠水溶液作为钨源，在衬底表面旋涂钨酸钠水溶液，与硒源在加热条件下进行二硒化钨纳米片的生长，可大大减少前驱体源的使用，使生产成本更为低廉，同时，采用前驱体源钨酸钠，在高温下钠离子可同样促进二硒化钨的生长
一种二硒化钨纳米及其制备方法

[发明专利]一种高非线性二维隧穿晶体管及其制备方法-CN202310815123.X在审
发明人：刘衍朋;王小钒;郭万林;王琴 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高非线性二维隧穿晶体管及其制备方法，属于晶体管制造领域，本发明基于石墨烯/六方氮化硼/二硒化钨（Gr/hBN/WSe2）异质结构制备选通器，异质结中间隧穿层为hBN，顶层为WSe2，以Gr表面电极作为源电极，WSe2表面电极作为漏电极；制备得到的晶体管展现出远超现有二维材料体系的高非线性指数
一种非线性二维晶体管及其制备方法

[发明专利]一种二维铁电隧道结的仿真计算方法-CN202010084041.9在审
发明人：颜晓红;杨阳;王权 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：发明提供了一种二维铁电隧道结的仿真计算方法，首先在ATK软件中构建硫化锡和硒化锡的顺电态晶体结构，使其从顺电态转变为铁电态；分别构建正向极化和反向极化的硫化锡‑硒化锡异质结；对左电极进行p型掺杂，对右电极进行本发明具有方法可靠、计算效率快、适用性广的优点，能够快速衡量二维铁电隧道结器件的隧穿电致电阻效应，以指导基于二维材料及其异质结的铁电隧道结的优化设计。
一种二维隧道仿真计算方法

[实用新型]一种基于硫硒化锑/氧化钛纳米棒核壳异质结的太阳能电池-CN201920421613.0有效
发明人：王玉柱;缪春颖;严鑫鑫;何志坚 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2019-03-30 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于硫硒化锑/氧化钛纳米棒核壳异质结的太阳能电池，包括FTO衬底，所述FTO衬底左侧的上方设置有P区吸收层材料的硫硒化锑纳米棒阵列，所述硫硒化锑纳米棒阵列的上方设置有作为N区材料的氧化钛本实用新型是将硫硒化锑纳米棒阵列与氧化钛构成的核壳结构异质结作为太阳能电池核心，采用控制硫硒原子比来调控材料的禁带宽度，可以得到最理想的禁带宽度的材料，获得更高的光吸收率和光电转换效率，此外本实用新型采用硫粉硫化的过程制备硫硒化锑纳米线阵列
硫硒化锑本实用新型纳米棒阵列氧化钛衬底透明导电氧化物太阳能电池异质结禁带硫化氢光电转换效率纳米线阵列吸收层材料氧化钛纳米光吸收率核壳结构硫化工艺窗口层电极核壳硫粉硫化制备调控环保