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[发明专利]异质结电池及其制备方法-CN202310512826.5在审
发明人：彭长涛;张良;张景;孙鹏 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供一种异质结电池及其制备方法。异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层，半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；在半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜；图形化掩膜覆盖部分第二表面；对半导体衬底层的第一表面和第二表面未被图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理；去除图形化掩膜，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层。本发明提供的异质结电池的制备方法，无需背抛工艺，降低半导体衬底层的破碎率，进而提升异质结电池的光电转换效率；未被图形化掩膜覆盖的第二表面呈绒面，能够提高浆料与半导体衬底层的附着性，进而提高异质结电池的可靠性
异质结电池及其制备方法

[发明专利]一维有序氧化钨/氧化钛核壳纳米线在检测二氧化氮中的应用-CN201610332519.9在审
发明人：秦玉香;张晓娟;王克行;张天一;刘雕;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一维有序氧化钨/氧化钛核壳纳米线在检测二氧化氮中的应用，以氧化钨为核，以氧化钛为壳，在氧化钨的外围均匀地包裹氧化钒，氧化钨和氧化钛形成了同轴核壳异质结构，以纳米线基本垂直于基底表面进行设置，以形成纳米线阵列以对气体吸附和反应具有催化活性的超薄氧化钛壳层与准定向氧化钨纳米线复合构筑新型一维有序核壳复合结构气敏材料，以实现气敏性能改善，由于超薄结构氧化钛对气体吸附具有显著催化活性，同时，两种氧化物异质复合形成的异质结在结构上具有纳米协同效应和异质结效应
有序氧化钨氧化钛核壳纳米检测二氧化氮中的应用

[发明专利]单层二硒化钨及其制备方法-CN202210950095.8在审
发明人：安博星;肖永厚;李玉善;刘旭;梁正奇 -专利权人：大连理工大学盘锦产业技术研究院
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层二硒化钨及其制备方法，该方法包括：(1)将钨源和分散剂进行混合；(2)将衬底进行预处理；(3)将前驱体溶液均匀旋涂至预处理后的衬底并烘干；(4)将钨源均匀分散的衬底放入管式炉中的第一石英舟，将硒源放入管式炉中的第二石英舟；(5)将第一石英舟和第二石英舟进行控温反应，以便得到单层二硒化钨。由此，该方法可有效控制晶核空间位置的分布，工艺简单，重复性好，适合大规模生产，为二维材料领域中大尺寸晶体材料的制备工作提供了新的思路。此外，该方法制备得到的单层二硒化钨横向尺寸均匀，组分均匀，可以进一步应用于光学、电学等方面的性能研究。
单层二硒化钨及其制备方法

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[发明专利]磷化二钴@钨酸镍核壳异质结材料及其制备方法与应用-CN201910168992.1有效
发明人：李越;温路路;李昕扬;刑昌昌;蔡伟平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化二钴@钨酸镍核壳异质结材料及其制备方法与应用，将硝酸钴、尿素、氟化铵在水中混合在一起，制得前驱体混合溶液；将基底置于前驱体混合溶液中，在基底上制得钴前驱体纳米棒材料；将对干燥后的基底和钴前驱体纳米棒以及次亚磷酸钠置于管式炉中，保护气氛下热处理后制得磷化二钴纳米棒；最后将基底和制得的磷化二钴纳米棒置于硝酸镍、钨酸钠混合溶液中，在基底上制得磷化二钴@钨酸镍核壳异质结材料，该材料可直接作为电化学分解水的工作电极。
磷化钨酸镍核壳异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硒化钨薄膜的制备方法-CN201710801157.8有效
发明人：李栋;徐润泽;郭学益;田庆华 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化钨薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将阴极片的表面清洗干净，并烘干；S2、配置含硒和钨酸性溶液，并对所得含硒和钨的酸性溶液进行除氧；S3、以步骤S2所得含硒和钨的酸性溶液作为电化学沉积液，以步骤S1所得阴极片作为对电极，以饱和甘汞为参比电极，以铂片作为工作电极，进行电化学沉积，在阴极片上沉积形成硒化钨薄膜，其中沉积电压为0.3V～0.7V，沉积温度为25℃～80℃，沉积时间为1min～20min；S4、电化学沉积结束后，取出硒化钨薄膜，并进行清洗和烘干，即得。该方法所得产品为形貌、厚度可控、颗粒状聚集、分布均匀、排列紧密的硒化钨薄膜。
硒化钨薄膜沉积电化学沉积酸性溶液阴极片烘干制备形貌饱和甘汞表面清洗参比电极工作电极厚度可控排列紧密对电极颗粒状铂片除氧清洗取出配置

[发明专利]一种铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法-CN202310292667.2在审
发明人：曹明星;武彤;徐定华;贺建;王志宏;张志高;侯瑞芬 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法，包括：将由具有络合作用的第一溶剂和铁原料组成的铁原料溶液与由具有氧化还原作用的第二溶剂和硒原料组成的硒原料溶液混合均匀后，加入由该第一溶剂与二碲化钨组成的二碲化钨原料溶液本发明提供了一种采用新原料且制备过程更加温和的铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法，有效克服了现有技术中的制备方法高能耗、长时间的缺陷；本发明的产物结晶性好，产量大，纯度高，能够实现新品种超导材料的可控制备，为其工业化应用提供了一种新的制备路径。
一种掺杂二碲化钨超导材料制备方法

[发明专利]一种高效率红外热光调制器的制备方法-CN201410100440.4有效
发明人：李毅;郑鸿柱;袁文瑞;陈建坤;陈少娟;孙瑶;唐佳茵;郝如龙;刘飞;方宝英;王小华;佟国香;肖寒 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种高效率红外热光调制器的制备方法，由上、下两片硒化锌基片、四个石墨烯电极和钨掺杂二氧化钒薄膜层封装而成；其特点是：在每个硒化锌基片上先制备两个石墨烯电极，再在硒化锌基片和石墨烯电极上制备一层钨掺杂二氧化钒薄膜层，最后将上述两个硒化锌基片的钨掺杂二氧化钒薄膜层贴合，封装成高效率红外热光调制器。
一种高效率红外调制器制备方法

[发明专利]一种钼酸铋和钨酸钴异质结光催化材料的制备方法及应用-CN202310140723.0在审
发明人：李江;阳怀凯;张子纯;代永恒;邹晓爽;王斌;李彦澄 -专利权人：贵州大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料技术领域及环境治理领域，公开了一种钼酸铋和钨酸钴异质结光催化材料的制备方法及应用，所述催化材料为Z型光催化材料，该异质结光催化材料可通过简单的水热法来进行制备，通过控制钨酸钴添加量，得到不同组分含量的Bi2MoO6/CoWO4异质结。本发明具有制备方法操作简单、异质结材料具有较强的可见光吸收能力、光催化性能稳定、降解效率高等优点，在光催化领域具有潜在的应用前景。
一种钼酸钨酸钴异质结光催化材料制备方法应用

[发明专利]颗粒状多组分硫化物-铂异质结光催化复合材料制备方法及其产氢应用-CN201811245436.1在审
发明人：刘爱丽;王舜;孙彬淑;金辉乐;尹德武;翁彬;郑梦琪 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒状多组分硫化物‑铂异质结光催化复合材料制备方法及其产氢应用。所述的制备方法包括如下步骤：S1：利用氯化物和福美钠反应得到含硫钼源二甲基二硫代氨基甲酸钼Mo(dedc)₅和钨源二甲基二硫代氨基甲酸W(dedc)₆；S2：将含硫钼源、钨源和镉源前驱体加入到有机溶剂中，充分搅拌，混合均匀，得到前驱反应液；S3：将所述前驱反应液进行一步液相微波辅助法快速合成，得到多组分硫化物复合材料；S4：利用硼氢化钠还原氯铂酸，从而得到颗粒状多组分硫化物‑铂异质结光催化复合材料。所述制备方法通过特定的工艺步骤与工艺参数的选择与组合，从而得到了具有优良制氢性能的颗粒状多组分硫化物‑铂异质结光催化复合材料，可将其用于光解水制氢领域。
硫化物光催化复合材料颗粒状异质结制备二甲基二硫前驱产氢硫钼钨源氯化物硼氢化钠还原氨基甲酸钼光解水制氢微波辅助法氨基甲酸工艺步骤快速合成有机溶剂复合材料福美钠氯铂酸前驱体制氢镉源应用

[发明专利]一种硒化亚铁/氧化铁纳米颗粒异质结、制备方法及其应用-CN202010177065.9有效
发明人：戴正飞;张旭;梁婷婷;张鹏飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化亚铁/氧化铁纳米颗粒异质结、制备方法及其应用，属于材料制备领域。:Sub>3，最终形成FeSe2/Fe2O3纳米颗粒异质结本发明的FeSe2/Fe2O3纳米颗粒为n‑n型异质结，具有高比表面积，能提供高的活性位点，异质结的存在有利于提供更高的载流子迁移。
一种亚铁氧化铁纳米颗粒异质结制备方法及其应用

[发明专利]一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用-CN202210259192.2在审
发明人：郝娟媛;吴若桢;王铀 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明属于气敏材料领域，具体涉及一种二硫化锡/二硒化锡横向异质结构气敏材料的制备方法及其应用。本发明目的是为了解决现有液相法制备的异质结构各组元间晶格不匹配且异质界面不连续，导致缺陷多、内建电场弱，使得电荷传输效率低，进而造成气体传感器在室温工作灵敏度低、响应/恢复慢的问题。方法：通过溶剂热合成法制备了SnS2模板，然后以二氧化硒为硒源，以1‑十八烯、油胺为溶剂，通过液相离子置换的方法合成SnS2/SnSe2横向异质结构气敏材料。
一种硫化二硒化锡横向结构材料制备方法及其应用

[发明专利]一种单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法-CN202110287807.8在审
发明人：王泽高;王一涵;肖闳畅 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，在生长基片表面悬涂种子材料置于石英舟内，然后再在具有种子材料的生长基片表面覆盖钨箔片；在生长基片附近放置氯化钠粉末；通入含有硒的气体，调整反应器内压强；高温反应后，在生长基片表面获得单晶二硒化钨单分子层薄膜。
一种单晶二硒化钨单分子层薄膜制备方法

[发明专利]一种钨单原子修饰的仿生W18-CN202110721751.2有效
发明人：张如范;黄娅;王宝顺;贾希来 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本申请公开一种钨单原子修饰的仿生W18O49/TiO2多级结构材料及其制备方法，对于该多级结构材料，所述氧化钨负载在二氧化钛纳米纤维表面，并与所述二氧化钛纳米纤维形成异质结；所述氧化钨和所述氧化钛的异质结结构处存在钨单原子层；所述W的原子数百分比为1％至10％，所述Ti的原子数百分比为
一种原子修饰仿生 base sub 18

[发明专利]氧化钨纳米棒/碳化钛量子点/硫化铟纳米片Z型异质结复合材料及其制备方法与应用-CN202010901547.4有效
发明人：路建美;李娜君 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了氧化钨纳米棒/碳化钛量子点/硫化铟纳米片Z型异质结复合材料及其制备方法与应用，利用多次冻融加超声方法制备碳化钛量子点，之后将水热法制备的三氧化钨纳米棒置于碳化钛量子点水溶液中，搅拌后静置，得到负载量子点的氧化钨纳米棒；铟化合物和硫化合物在乙二醇溶剂中搅拌混合均匀后，再加入上述负载量子点的氧化钨纳米棒并在恒温下回流反应，得到所述复合材料。本发明Z型异质结复合材料能够显著提高光催化效率，在可见光下去除水体中双酚A和六价铬的性能均优于三氧化钨/硫化铟。
氧化钨纳米碳化量子硫化型异质结复合材料及其制备方法应用