专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]熔融盐辅助化学气相沉积生长多层单晶的方法-CN202010181843.1在审
  • 吴燕庆;宋健;李学飞 - 华中科技大学
  • 2020-03-16 - 2020-06-19 - C30B25/00
  • 本发明属于维材料领域,公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层单晶的方法,该方法是利用预先设定的温度条件,在小反应室处于预先设定的温度条件下时,卤化物能够熔融与源材料反应生成熔点低于源材料的中间产物,载气气流则能够携带源材料产生的气态元素与中间产物产生的气态元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进,使用卤化物与源材料混合参与反应,利用卤化物熔融盐与源材料反应生成熔点低于源材料的中间产物,能够有效控制化学气相沉积生长多层单晶,可控性好且能够制得较大尺寸的多层单晶
  • 熔融辅助化学沉积生长多层二硒化钨单晶方法
  • [发明专利]一种异质光催化剂的制备方法和用途-CN201710180477.6有效
  • 施伟东;孟亚东;洪远志;黄长友;陈继斌;张光倚;殷秉歆 - 江苏大学
  • 2017-03-24 - 2020-03-31 - B01J27/132
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,特指一种异质光催化剂的制备方法和用途。称取酸锰,硝酸铋和溴化钾,溶于乙醇与去离子水的混合溶剂中,超声溶解得到前驱体悬浮液,之后转移到水热反应釜中,于烘箱内反应,最后经水洗、过滤、干燥得到MnWO4/BiOBr异质材料C。通过调控加入不同酸锰、硝酸铋和溴化钾的摩尔比,经水热法和溶剂热法制备出MnWO4/BiOBr异质光催化剂,分别考察它们以相同催化剂量(50mg)条件,在可见光照射下对有机污染物(罗丹明B和四环素)(10mg/L)的降解效果,光催化结果显示少量的酸锰与溴氧铋复合制备出的MnWO4/BiOBr异质光催化剂能够显著提高光催化活性。
  • 一种异质结光催化剂制备方法用途
  • [发明专利]碳量子点/酸铋异质及其制备方法和应用-CN202310933025.6在审
  • 艾礼莉;张新怡;王鲁香;郭楠楠;徐梦姣 - 新疆大学
  • 2023-07-27 - 2023-09-05 - B01J23/31
  • 本发明涉及复合型光催化剂技术领域,是一种碳量子点/酸铋异质及其制备方法和应用,按照下述方法制备得到:将氧化煤上清液透析至中性,冷冻干燥得到CQDs后溶于蒸馏水中,超声处理,将Na2WO4·2H2O溶于第一溶液中超声处理,向第溶液中加入十六烷基三甲基溴铵搅拌,加入Bi(NO3·5H2O,继续搅拌,并进行水热反应,得到反应产物后冷却至室温后转移到离心管中,清洗并离心得到固体沉淀物,再冷冻后干燥,得到碳量子点/酸铋异质本发明工艺简单,原料廉价易得,所制备的碳量子点/酸铋异质可见光利用率高,电子空穴对分离率高,能够产生强还原性的光生电子,在模拟太阳光下还原CO2性能更佳。
  • 量子钨酸铋异质结及其制备方法应用
  • [发明专利]一种MoS2-CN202010101665.7有效
  • 曹阳;宋维英 - 厦门大学
  • 2020-02-19 - 2021-08-06 - C23C16/30
  • 本发明公开了一种MoS2/WS2垂直异质的制备方法,以WO3和硫粉作为前驱体,在SiO2/Si基底上制备大尺寸高质量的单层硫化,利用Mo箔的电化学阳极氧化法制备多价态氧化钼箔(MoOx),在低压低温条件下,以氧化钼箔和硫粉为前驱体在硫化表面生长硫化钼,从而制备MoS2/WS2垂直异质,这种方法可控性与可重复性高,对其他过渡金属硫化物异质的制备具有重要的意义。
  • 一种mosbasesub
  • [发明专利]一种单层MoS2-CN201911084034.2在审
  • 张永哲;李毓佛;陈永锋;王佳蕊;安博星;马洋;严辉 - 北京工业大学
  • 2019-11-07 - 2020-02-18 - H01L29/225
  • 一种单层MoS2‑WS2横向异质的制备方法,属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理,实现对应钼、两种金属的前驱体源在不同温度挥发,通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质。本发明生长横向异质的方法是,在可精确控温的管式炉中,使用惰性气体作为反应源(钼源、源和硫源)的输运气体,控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质。本发明制备的单层MoS2‑WS2横向异质,具有微米级清晰的异质分界线,横向尺寸可达到一百微米以上。
  • 一种单层mosbasesub
  • [发明专利]一种改善锑界面和能带结构的方法及锑太阳能电池-CN202110042108.7有效
  • 李志强;刘涛;梁晓杨 - 河北大学
  • 2021-01-13 - 2022-10-21 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种改善锑界面和能带结构的方法及锑太阳能电池。改善锑界面和能带结构的方法是通过水热法利用高压反应釜在锑薄膜上沉积一层硫化铟;再利用化学水浴法,在硫化铟层之上沉积一层硫化镉,以形成带有硫化铟/硫化镉(In2S3/CdS)双缓冲层的锑太阳能电池,利用硫化铟/硫化镉双缓冲层来改善锑的异质结界面和形成更好的能带排列,使得锑太阳能电池的缺陷更少,复合更少。本发明在薄膜沉积过程中,通过调控反应时间及其退火温度来制得更好的双缓冲层薄膜,与锑更好的匹配形成最佳异质。该工艺方法工艺简单,成本低廉,操作可控,厚度易控,适合进一步的推广与应用。
  • 一种改善硒化锑界面能带结构方法太阳能电池

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