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[发明专利]基于硒化锑纳米棒阵列和N2200的有机无机异质结光电器件及其制备方法-CN202211166918.4在审
发明人：李志强;马海亚;梁晓杨;张渝松 -专利权人：河北大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硒化锑纳米棒阵列和N2200的有机无机异质结光电器件及其制备方法。具体是：本发明提供了一种新型的N2200/Sb2Se3NRAs有机无机异质结，通过旋涂工艺，在硒化锑纳米棒阵列上旋涂一层N2200，形成了N2200/Sb2Se3NRAs异质结。N2200的制备方法是在通过手套箱里进行旋涂而制成，硒化锑纳米棒阵列可通过近空间升华工艺制备而成。本发明通过构建一种有机无机杂化异质结，制备出了太阳能电池，同时，基于该结构的光电探测器在可见和红外波段具有超高的响应度和探测度，具有潜在的应用价值。
基于硒化锑纳米阵列 n2200 有机无机异质结光电器件及其制备方法

[发明专利]一种钒掺杂的硒化镍异质结自支撑电极及其制备方法和应用-CN202010907909.0有效
发明人：曹丽云;何丹阳;冯亮亮;黄剑锋;吴建鹏;李晓艺 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种钒掺杂的硒化镍异质结自支撑电极及其制备方法和应用，制备方法过程简单、低的合成温度、不需要大型的设备和苛刻的条件等特点，通过严格协同控制形貌调控剂聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇的体积、钒源、硒源的浓度及配比、反应时间、反应温度、反应填充比等参数，实现了反应中硒化镍异质结自支撑电极的存在状态的控制，泡沫镍多孔有利于物质的传输及气体的及时溢出；能够避免使用昂贵的粘接剂，以降低接触电阻，提高其导电性；制备的硒化镍异质结自支撑电极为一体化骨肉相连结构
一种掺杂硒化镍异质结支撑电极及其制备方法应用

[发明专利]一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器-CN202010164766.9有效
发明人：李永俊;何天应;兰长勇;李春 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器，应用于光电探测技术领域，针对现有的光电探测器受限于石墨烯的弱吸光性能，响应度低的问题，本发明首先在n型二氧化硅/硅基底上干法刻蚀暴露出n型硅窗口；然后在硅窗口附近镀上金/铟电极，其次采用机械剥离制备二硒化钯微晶片，并利用定位干法转移二硒化钯于硅窗口；最后采用湿法转移的方式转移石墨烯，覆盖于二硒化钯与电极表面，其中二硒化钯作为石墨烯与硅之间的界面修饰层，单个硅窗口对应的石墨烯层、二硒化钯层、n型硅基底形成石墨烯/二硒化钯/硅异质结；本发明的器件制备工艺简单，且器件具有自驱动性，在可见‑近红外光波段具有较高的响应度等优良的性能。
一种石墨二硒化钯硅异质结驱动光电探测器

[发明专利]一种硒化铟/硒化锡二元异质结纳米材料及其制备方法和应用-CN202310676501.0在审
发明人：张也;郭镕硕;金灵华 -专利权人：南华大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化铟/硒化锡二元异质结纳米材料及其制备方法和应用。其制备方法是将硒粉Ⅰ与聚乙烯吡咯烷酮分散于水中，然后依次加入水合肼和氯化亚锡混合搅拌后进行水热反应，得到SnSe纳米片；将所述SnSe纳米片分散于三乙二醇中，然后依次加入四氯化铟和硒粉Ⅱ混合搅拌后进行溶剂热反应该二元异质结纳米材料具有优良的催化性能，且循环稳定性高，对于有机及无机污染物均具有较好的去除效果。其制备方法简单，成本低廉，应用操作方便。
一种硒化铟硒化锡二元异质结纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]基于硒化钯薄膜/硅锥包裹结构异质结的宽波段高性能光电探测器及其制作方法-CN201910454920.3有效
发明人：梁凤霞;赵兴远;范荣誉;罗林保;蒋静静 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于硒化钯薄膜/硅锥包裹结构异质结的宽波段高性能光电探测器及其制备方法，是先在具有氧化硅层的n型轻掺硅片上刻蚀出硅锥结构，再在硅锥结构外包裹PdSe2薄膜，从而使二者形成异质结。本发明的光电探测器，器件制备过程简单、性能稳定、性能良好，为过渡族金属硒化物材料在光电探测器中的应用开拓了新的前景。
基于硒化钯薄膜包裹结构异质结波段性能光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种硒化铜-硒化钼异质结纳米材料及其制备方法和应用-CN202210430484.8在审
发明人：张海燕;李盛凯;王琰;万宝山;吴俊良 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于材料学领域及储能材料技术领域，公开了一种硒化铜‑硒化钼异质结纳米材料及其制备方法和应用。该方法是通过共沉淀的方法制备钼酸铜纳米线前驱体；该纳米线前驱体分散在去离子水中，加入溶解完全硒粉的水合肼溶液，搅拌均匀后移入于水热反应釜中进行水热反应，洗涤，干燥后获得硒化铜‑硒化钼异质结纳米材料，该制备方法简单，环境友好，产量大，易于工业化生产，该纳米材料用于钠离子电池负极材料，具有良好的电化学活性和循环性能，为异质结纳米材料在储能等领域的应用提供了一定的理论基础和实践经验。
一种硒化铜硒化钼异质结纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于二硫化钨/石墨烯/硒化锗异质结的偏振光电探测器及其制备方法-CN202211052885.0在审
发明人：霍能杰;孟雪峰;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二硫化钨/石墨烯/硒化锗异质结的偏振光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括依次层叠于衬底上的GeSe薄层、Gr薄层和WS2薄层，GeSe薄层和WS2薄层的两端分别设置有第一电极和第二电极，薄层Gr和WS2通过PVA干法转移技术转移至目标衬底上，形成PGN(P‑GeSe/Graphene/N‑WS2)结构；在异质结两端设置金属电极，制成偏振光电探测器。
一种基于硫化石墨硒化锗异质结偏振光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法-CN202011291774.6有效
发明人：张瑞;郝国强;张文静;叶晓军;李红波 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法：建立WSe2体材料模型；建立Germanene模型；将WSe2的超胞，将Germanene的超胞垂直叠加在WSe2的超胞上，得到Germanene/WSe2异质结模型本发明首次将锗烯垂直堆叠在单层二硒化钨上，计算出超胞的晶格参数、能带结构、热力学稳定性、电子有效质量等。
一种基于二维肖特基异质结模型构建方法

[发明专利]二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片-CN201711376745.8有效
发明人：何军;张玉 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明提出一种二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片，其生长于基底表面，从基底向上的第一层为单层的二硫化钨层，二硫化钨层上方至少部分覆盖有二硫化铌层，二硫化铌层的厚度为4‑6nm。本发明还提出所述二硫化钨/二硫化铌异质结纳米片的制备和应用。本发明提出的NbS2/WS2异质结具有化学性稳定、结晶性好和高电化学活性面积等优点，该NbS2/WS2异质结电化学析氢性能良好、稳定性好，可用于电解水制氢相关领域。
硫化铌异质结纳米

[发明专利]一种计算硫化锡-硒化锡异质结负微分电阻效应的方法-CN202010323475.X在审
发明人：颜晓红;杨阳;王权 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种计算硫化锡‑硒化锡异质结负微分电阻效应的方法，首先，在ATK软件中构建硫化锡和硒化锡的晶体结构，对其晶格常数进行优化；计算两种材料不同方向上的晶格匹配度，选取匹配度最高的方向作为界面构建异质结并优化；通过Device模块选取合适的周期作为源极和漏极，形成“左电极‑异质结‑右电极”式的器件结构；完成器件建模后，设定截断能和实空间网格密度；设定能量的收敛标准和边界条件；在器件两端施加偏压，通过密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法，仿真不同偏压下异质结的伏安特性曲线，分析其负微分电阻效应。本发明具有方法可靠、计算效率快、适用性广的优点，可以广泛应用于二维材料及其异质结的电学性能的研究。
一种计算硫化硒化锡异质结负微分电阻效应方法

[发明专利]一种全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010053001.8有效
发明人：尹龙卫;付琳 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供一种全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括从下至上依次排列的FTO导电玻璃基底、二氧化钛(TiO2)层、无机CsPbBrI2钙钛矿层、硒化处理的Sb2Se3层以及金属对电极层。本发明对Sb2Se3进行硒化处理制备硒化处理的Sb2Se3层，将无机CsPbBrI2钙钛矿层和硒化处理的Sb2Se3层复合为异质结，制备得到全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池。
一种无机异质结硒化锑钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种氧化钨@钨酸铋异质结压电催化材料制备方法及用途-CN202111208258.7在审
发明人：刘代明;王飞 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明属于压电催化技术领域，涉及一种氧化钨@钨酸铋异质结压电催化材料制备方法及用途，首先，将二水钨酸钠溶解于超纯水形成的溶液B滴加到五水硝酸铋溶解于硝酸水溶液形成的溶液A中形成混合溶液，然后，将混合溶液转移到水热反应釜中进行水热反应，得到钨酸铋纳米片，最后，将钨酸铋纳米片分散到硫酸水溶液中并转移到水热反应釜内，密封后置于烘箱中保温，自然冷却，得到能够压电催化降解甲基橙的氧化钨@钨酸铋异质结压电催化材料；其构筑的同系物氧化钨@钨酸铋异质结压电催化材料，降低了相界面间的阻力，加快了载流子传输速率，采用硫酸刻蚀的方法，在钨酸铋表面原位生成氧化钨，提高了异质结压电催化材料的稳定性和均匀性。
一种氧化钨钨酸铋异质结压电催化材料制备方法用途

[发明专利]一种二氧化钛-钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁中展青霉素的应用-CN202310248403.7在审
发明人：彭帮柱;郑掂;李二虎 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛‑钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁中展青霉素的应用。该方法首先采用硝酸铋和钨酸钠反应形成钨酸铋前驱体，然后加入二氧化钛进行复合，使钨酸铋原位生长于二氧化钛表面，形成二氧化钛‑钨酸铋异质结型光催化剂。本发明使用一锅水热法，工艺方法简单，构建的异质结型催化剂用于降解果汁中展青霉素时，相比于钨酸铋和二氧化钛单体，复合催化剂的光催化活性显著提高。
一种氧化钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁青霉素应用

[发明专利]一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法-CN201410619764.9在审
发明人：秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法，由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，采用对靶磁控溅射和原位生长的方法在基底上进行沉积、生长和热处理。本发明方法制备出形貌良好的氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列结构材料，显著的提高了材料的比表面积，有效的利用了异质结在性能方面的优异性。
一种氧化钨氧化钒异质结纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法-CN201911112204.3在审
发明人：李忠玉;张彤彤;孙卓;梁倩;周满;徐松 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，包括步骤：硫化镉纳米棒的制备、钨酸铋的制备和棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备。本发明的有益效果是：该制备方法较为简单，制备条件容易控制，所制备的棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料具有无二次污染，光催化活性较好等优点，具有一定的应用价值。
一种硫化复合钨酸铋型异质结光催化材料制备方法