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[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202211004902.3在审
发明人：岳德武;王新中;刘新科 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：场效应晶体管包括：衬底；二硒化钨层，形成于衬底上；源极和漏极，形成于二硒化钨层上；其中，源极和漏极之间的沟道下方的二硒化钨层具有水平同质PN结，水平同质PN结由相邻的本征N+型二硒化钨层和P+型掺杂二硒化钨层形成，P+型掺杂二硒化钨层上形成有钨氧化物外延层。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法-CN202110863515.4在审
发明人：张栩朝;曲英杰 -专利权人：苏州元烨微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法，包括Si衬底、SiO2衬底、二维WSe2/TMDCs异质结器件、两个Au电极和导线，SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，二维WSe2/TMDCs异质结器件设置于SiO2衬底的顶端，两个Au电极分别设置于二维WSe2/TMDCs异质结器件，两个导线分别于两个Au电极相连接，二维WSe2/TMDCs异质结器件为U型结构，导线为导电材料，导线用于传输Au电极的电信号。本发明利用二维WSe2/TMDCs异质结器件的设置，通过多组数据的测量，得到二维WSe2/TMDCs异质结器件，使得二维
硒化钨基范德华异质结红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]石墨烯-硒化镉纳米带异质结、电池、组件及制备方法-CN201110034417.6无效
发明人：曹安源;张鲁辉;范丽丽;李祯;朱宏伟;王昆林;吴德海 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结，由石墨烯薄膜和硒化镉纳米带组成；本发明还涉及一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结太阳能电池，包括前述石墨烯-硒化镉纳米带异质结，还包括导线和各种基底；相应地，本发明还提供制备该太阳能电池的方法；另外，本发明还涉及一种石墨烯-硒化镉纳米带异质结太阳能电池的并联组件及其制备方法。本发明提供的异质结、太阳能电池及电池组件结构具有简单、体积小的优点，而且制备方法简便，在空气中能长期稳定，适宜大规模生产，应用前景好。
石墨硒化镉纳米带异质结电池组件制备方法

[发明专利]一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法-CN202010053717.8有效
发明人：张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;高丽;于慧慧;温嘉玲;汤文辉;张先坤;洪孟雨;肖建坤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
一种二维水平同质驱动逻辑光电开关及其制备方法

[发明专利]基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法-CN202210310996.0在审
发明人：肖静;高志刚;王聪;朱文标;林志滔 -专利权人：泰山学院;深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法，其中光电探测器包括SiO2/Si基底、二硒化铼纳米片、二碲化钼纳米片和金属电极，二硒化铼纳米片和二碲化钼纳米片设于SiO2/Si基底的表面，二硒化铼纳米片的表面与二碲化钼纳米片的表面部分重叠，以构成二硒化铼与二碲化钼异质结，在异质结受光照时产生光电流，从而实现光探测，符合type‑Ⅱ型交错能带排列，能够实现层间跃迁激发，有效地解决单一的二硒化铼光电探测器光吸收范围受限的问题，从而提高光电探测器的光电性能，能够实现对可见光到短波红外区域的宽光谱光电探测，光响应范围更高。
基于二硒化铼二碲化钼异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法-CN202110644534.8有效
发明人：李京波;赵艳;汪争;郑涛;唐猛;朱广虎 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：SiC衬底层；绝缘层，设置于SiC衬底层之上；SiC窗口，贯穿绝缘层至SiC衬底层表面；若干层二硒化钨纳米片，沿SiC窗口的宽度方向层叠设置于所述SiC窗口上，所述二硒化钨纳米片的两端搭载在所述绝缘层上；第一金属电极，位于所述二硒化钨纳米片和所述绝缘层上；第二金属电极，所述第二金属电极的一端搭载在所述绝缘层上，所述第二金属电极的另一端沿所述SiC本发明的光电二极管具有较快的响应时间和长期稳定性，有利于提升器件的探测能力。此外，本发明的光电二极管展现出从紫外到近红外的宽光谱响应特性，可扩宽该种探测器的使用范围。
一种基于 sic 二硒化钨异质结光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法-CN201910283426.5有效
发明人：刘开辉;刘灿;洪浩;王卿赫 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
一种高效制备一维碳纳米二维过渡金属化合物异质结方法

[发明专利]基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件及其制备方法-CN202210717173.X在审
发明人：王业伍;姚佳栋;刘亚立 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了本发明提供了一种基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件及其制备方法，包括栅电极、栅极绝缘层、MoS2/GeSe2异质结沟道、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设置有MoS2/GeSe2异质结沟道，所述MoS2/GeSe2异质结沟道上设置有金源电极和金漏电极。相比浮栅型存储器，该基于二硫化钼/二硒化锗异质结的存储器件的结构更为简单。
基于二硫化钼二硒化锗异质结存储器件及其制备方法

[发明专利]一种晶态正交相二硒化钴非晶磷化钴异质结的制备方法-CN202111427710.9有效
发明人：申士杰;张欢欢;钟文武;林志萍;王宗鹏 -专利权人：台州学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种晶态正交相二硒化钴非晶磷化钴异质结的制备方法，所述方法包括制备溶剂热反应制备前驱体，可控磷化处理等步骤。制备的晶态正交相二硒化钴非晶磷化钴异质结具备优异的电催化析氢性能。
一种晶态交相二硒化钴非晶磷化钴异质结制备方法

[发明专利]一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法-CN202110442127.9有效
发明人：李煜;晏雨发;郑博方;曾海飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法，其中，硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶，以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下，在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结，在光照下，异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴，而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离
一种利用硒化亚锡纳米进行表面修饰硒化铟光电探测器及其制备方法

[发明专利]一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法-CN202211558944.1在审
发明人：康黎星;朱思齐 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法。所述制备方法包括：采用限域填充法，使开口的碳纳米管、硒单质、铌单质于密闭反应腔室中进行固相合成和化学气相传输反应，制得一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结。本发明提供的方法可以显著地提升材料的稳定性，避免传统异质结产生的应力，更体现一维同轴范德华异质结优异的超导性能，并且这种限域填充与改进的硒化处理相结合的一步法制备大大的简化了制造过程。本发明制得的一维异质结超导体比其他二维超导异质结具有更简单的结构，因此对其进行电‑声相互作用、电子/空穴输运、相变等研究理论上更为简单，更能够通过理论研究掌握规律，以便更好地调控和优化材料性能。
同轴硒化铌纳米管异质结及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法-CN201710890518.0有效
发明人：王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;陈令修;贺立;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯‑硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
一种石墨硒化铌超导异质结器件及其制备方法

[发明专利]一种二硒化钨太阳能电池-CN202210411359.2有效
发明人：王泽高;周湛人;吕俊玲 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于新能源光伏器件技术领域，涉及一种太阳能电池，特别是一种以二硒化钨为导电层的栅控太阳能电池。该二硒化钨太阳能电池包括基底、二硒化钨、顶栅介质层、顶栅电极、源电极和漏电极，二硒化钨位于顶栅介质层和基底之间，源电极和漏电极位于二硒化钨两端。该二硒化钨光伏电池基底由单晶硅层和二氧化硅层构成，采用有明显厚度差的六方氮化硼作为顶栅介质层，以透明石墨烯作为顶栅电极。本发明所采用的静电掺杂技术较现有静电掺杂技术更简单方便；采用静电掺杂所形成的同质结可以使结型光伏电池引入更少缺陷态，提高电池性能；利用二硒化钨作为导电层，其二维状态下的高柔性使得可穿戴柔性太阳能电池成为可能
一种二硒化钨太阳能电池

[发明专利]一种异质结材料及其应用-CN202110437540.6有效
发明人：曾祥斌;王曦雅;胡一说;王文照;陆晶晶;王君豪;肖永红;周宇飞;王士博;陈铎;张茂发 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
一种异质结材料及其应用

[发明专利]一种氧化物-硒化物异质结构材料的制备方法及其在锂硫电池中的应用-CN202111526823.4在审
发明人：李桂村;李元常;周震芳;张忠华;郭小松;毛常明;刘静;赵云琰;巢昆;李镇江 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明属于电化学储能材料领域，具体涉及一种氧化物‑硒化物异质结构材料的制备方法及其在锂硫电池中的应用。通过水热法用苯胺对金属氧化物进行插层和聚合，形成具有高比表面积的纳米花片状结构聚苯胺‑金属氧化物复合材料，再通过前置硒源，利用化学气相法对金属氧化物进行原位硒化，形成氧化物‑硒化物异质结。本发明所制备的氮硒掺杂碳@氧化物‑硒化物异质结保留了前驱体聚苯胺‑金属氧化物的形貌，同时由于异质结的存在，在抑制多硫化锂穿梭效应方面可以达到吸附‑催化双功能的效果。
一种氧化物硒化物异质结构材料制备方法及其电池中的应用