“二硒化钨异质结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10786654个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种异质结型金属防腐蚀颜料-CN202111034408.7有效
发明人：刘金库;郭小娇;周丹;杨秀;卢怡;张敏;孙慧萍;白雪;高力;王忠琳 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C09C1/62 文献下载
摘要：本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种具有异质结型金属防腐颜料的制备方法。异质结型金属防腐颜料由氧化锌和钨氧化物组成，具有的二维的纳米片阵列结构和光电特性，有效抑制了水和氯离子的转移，质结双组分界面相互作用以及缺陷氧空位的存在，可以防止腐蚀性离子与金属表面之间的接触从而发挥有效的耐腐蚀作用
一种异质结型金属腐蚀颜料

[发明专利]过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法-CN201710196517.6有效
发明人：傅强;董爱义;包信和 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法，包括：1)真空环境下，在过渡金属衬底上生长氮化硼或石墨烯；2)利用物理气相沉积的方法将硒沉积到氮化硼或石墨烯表面上；3)退火处理使得表面硒插层到氮化硼或石墨烯结构以下并与金属衬底表面反应形成层状过渡金属硫属化合物；4)最终形成氮化硼(或石墨烯)/过渡金属硫属化合物的异质结构。这种自上而下的两维材料异质结制备方法，简单易行，结构易于控制，可以扩展到其他的硫属元素，并适用于所有过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备，为后续电子器件的制备和研究奠定了良好的基础。
过渡金属化合物氮化石墨烯异质结制备方法

[发明专利]一种二维S型异质结复合光催化剂硫掺杂多孔氮化碳/缺陷型氧化钨的制备方法-CN202010698829.9有效
发明人：李喜宝;康棒棒;黄军同;冯志军;陈智;刘积有;李海;罗秋柠;马心全;王伟伟;刘强;汪阿阳;孟祥鑫;于凯涵;程晓;李秋燕 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维S型异质结复合光催化剂硫掺杂多孔氮化碳/缺陷型氧化钨的制备方法。硫掺杂多孔氮化碳/缺陷型氧化钨(S‑pCN/WO2.72)是一种硫掺杂多孔氮化碳(S‑pCN)与缺陷型氧化钨(WO2.72)复合构建的二维S型异质结复合光催化剂，其制备方法为：以尿素和硫代乙酰胺为原料，通过简单的煅烧法制备了S‑pCN；以氯化钨为原料，乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备出WO2.72异质结界面构建内建电场促进了光生电荷的分离并提高了复合催化剂的氧化还原能力，有望实现高效的光催化降解污废水能力
一种二维型异质结复合光催化剂掺杂多孔氮化缺陷氧化钨制备方法

[发明专利]管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法和应用-CN202210527800.3有效
发明人：梁清华;刘智峰;童设华;何清云;邵彬彬;吴婷;潘园;张贤胜;葛霖;何苗 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法和应用，该管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂以管状氮化碳为骨架，管状氮化碳表面修饰有钒掺杂碘酸氧铋和碳化钨；管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂中管状氮化碳的质量百分含量为80％～88％，钒掺杂碘酸氧铋的质量百分含量为10％，碳化钨的质量百分含量为2％～10％。本发明的管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂，具有光吸收能力强、光生电子‑空穴分离效率高、催化活性高、结构稳定性好等优点，是一种新型的氮化碳基光催化材料，可快速去除水中的污染物，能够广泛用于光催化去除环境中的有机污染物
管状氮化碳基肖特基异质结光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]双异质结高效薄膜光伏电、热联供装置-CN201510612466.1在审
发明人：殷玉惠;赵玉兰 -专利权人：殷玉惠
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02S40/44 文献下载
摘要：双异质结高效薄膜光伏电、热联供装置是集光伏发电技术，与光热利用技术于一体的环保型新一代节能产品。本发明采用铜、镓、硒(CGSe)与铜、铟、镓、硒(CIGS)双异质结薄膜太阳能电池，发电效率高。供电、供热一体化，可以并、串联接，根据需要可任意组成分布式房顶供电、供热微系统。
双异质结高效薄膜光伏电热联供装置

[发明专利]一种NiSe/Ni3-CN202310893878.1在审
发明人：尹瑞连;应佳萍;刘文贤;曹澥宏 -专利权人：浙江工业大学;平湖市浙江工业大学新材料研究院
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供一种NiSe/Ni3Se2异质结催化剂及其制备方法、应用，所述制备方法包括以泡沫镍为Ni源，以Se粉为Se源，在还原保护气氛下，于450～650℃硒化，在泡沫镍表面原位制备NiSe/Ni3Se2材料，即制得NiSe/Ni3Se2异质结催化剂。本发明的NiSe/Ni3Se2异质结催化剂具有高电导率、低带隙、高化学稳定性、低成本的特性，具有优异的催化活性和耐久性；其异质结结构可以加快界面电荷的分离和转移，从而增强异质结电催化剂的导电性，展现出优异的电催化HER(析氢反应)、OER(析氧反应)和UOR(尿素氧化反应)性能，作为阴极析氢催化剂在电解尿素制氢中具有广泛的应用前景
一种 nise ni base sub

[发明专利]一种异质结光伏电池及其制备方法-CN201810067073.0有效
发明人：郑伟 -专利权人：绍兴利方惠能新能源科技有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结光伏电池及其制备方法，所述异质结光伏电池的制备方法包括：n型硅片的清洗、在所述n型硅片的上表面制备金子塔结构绒面层、在所述金子塔结构绒面层中的金子塔结构的表面制备硅纳米线、对所述n型硅片进行钝化处理、硒化钼纳米颗粒/Spiro‑OMeTAD层的制备、PEDOT:PSS层的制备、正面银栅电极的制备以及背面铝电极的制备，其中在对所述n型硅片进行钝化处理的工序中选择旋涂含有氢氧化钾和三乙醇铝的混合溶液，并进行退火处理，以有效降低硅基底表面的缺陷态，提高相应异质结光伏电池的光电转换效率。
一种异质结光伏电池及其制备方法

[发明专利]氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法-CN201810895723.0在审
发明人：黄仕华;张美影;池丹;陆肖励 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法，对单晶硅片进行表面化学处理，清除表面污染杂质；利用硝酸氧化法在硅片前后表面各生长一层超薄SiO₂层；在硅片正面的SiO₂薄膜上面，利用反应磁控溅射的方法制备氮掺杂的氧化钨薄膜，然后再溅射ITO导电薄膜；在硅片背面的SiO₂薄膜上面，利用热蒸镀的方法生长LiF；生长前后Ag电极。本发明利用反应磁控溅射方法生长氮掺杂的氧化钨薄膜，作为晶体硅异质结太阳能电池的空穴传输层，可以同时获得高电导率的氧化钨以及较大的氧化钨/单晶硅能带弯曲度。
氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池制备生长反应磁控溅射氧化钨薄膜硅片表面化学处理单晶硅超薄SiO2层空穴传输层硝酸氧化法表面污染单晶硅片高电导率硅片正面晶体硅热蒸镀弯曲度电极溅射

[发明专利]具有异质结结构的穿隧薄膜晶体管-CN201680007675.6有效
发明人：野村见次;约翰·贤哲·洪 -专利权人：追踪有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带间穿隧及TFT断开电流的抑制。
具有异质结结构薄膜晶体管

[发明专利]一种钴掺杂二维硒化钨电催化剂及其制备方法-CN201711479880.5在审
发明人：郑晓莉;张帼媛;许群 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明属于电催化剂制备领域，公开一种钴掺杂二维硒化钨电催化剂的制备方法。将硒粉、硼氢化钠分散于N，N‑二甲基甲酰胺中，在40~60℃条件下搅拌均匀；将二水合钨酸钠和四水合乙酸钴溶解于水中；混合两溶液，搅拌均匀；于160~本发明方法制备的钴掺杂二维硒化钨在广泛的pH范围内都展现出比商业硒化钨优异的电催化析氢性能，这在催化领域具有良好的应用前景。
一种掺杂二维硒化钨电催化剂及其制备方法

[发明专利]一种硒化钼基纳米复合材料的制备方法及应用-CN201911278126.4有效
发明人：杨晴;杨静 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化钼基纳米材料的制备方法，包括：S)将有机钼源、有机锌源与有机硒源在不饱和胺类溶剂中混合，在搅拌与保护气氛中，加热反应，得到硒化钼基纳米材料。与现有技术相比，本发明通过一步热液回流法生成硒化钼基纳米材料，其为硒化锌量子点修饰的单层多孔硒化钼纳米异质结，使该纳米材料中的活性材料具有微结构与电子结构双调控的独特优点，在电化学过程中表现出优异的反应活性和循环稳定性；单层的结构可提高硒化钼基纳米材料作为电极的有效比表面积，多孔的构架所形成的纳米通道可为电子/离子和电解质提供充足的运输或反应场所，从而使硒化钼基纳米材料可作为一种多功能高效材料应用于能量转化与储存领域
一种硒化钼基纳米复合材料制备方法应用

[发明专利]一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料及制备方法-CN202110054613.3在审
发明人：王超楠;王波;罗胜耘;杨吟野;张朝珍 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料的制备方法，其特征在于：首先采用插层剥离法得到溶液分散的二维层状纳米材料二硫化钨或二硫化钼，然后采用静电纺丝技术得到聚丙烯腈/二硫化钨或二硫化钼复合纳米纤维前驱体，再经过预稳定、碳化过程得到二维片层结构钨或钼纳米片修饰的碳纳米纤维膜；最后经过硒或碲化置换制备具备微孔限域功能的二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料。
一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料制备方法

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法-CN201210374547.9有效
发明人：李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明 -专利权人：浙江东晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硒化钨纳米线的制备方法，特别是高取向性二硒化钨(WSe2)纳米线的制备方法，具体是采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。本发明是一种简单环保的方法，反应过程中采用WO2纳米线作为钨源，采用纯度为99.9％以上的高纯Se硒化，既缩短了反应时间、又避免了H2S、H2等危险性大的气体的使用，大大降低了反应成本、简化了反应设备。
一种向性二硒化钨纳米制备方法

[发明专利]一种二硒化钨-氮掺杂石墨烯光催化吸附材料及其制备方法-CN201710053260.9有效
发明人：万均;安佰红;陈之鹏;王卫 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨‑氮掺杂石墨烯光催化吸附材料及其制备方法，属于光催化材料技术领域。其中二硒化钨属于间接能带隙半导体材料，且具有较高的光吸收系数，禁带宽度为1.35eV。在相同条件下二硒化钨‑氮掺杂石墨烯光催化吸附材料比二硒化钨及氮掺杂石墨烯表现出更高的光催化吸附性能。
一种二硒化钨掺杂石墨光催化吸附材料及其制备方法