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[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]一种三氧化钨/二氧化钛纳米异质结薄膜及其制备和应用-CN201610171126.4有效
发明人：周保学;曾庆意;白晶;李金花;郑景元;牛学恒;季有知;罗涛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨/二氧化钛纳米异质结薄膜及其制备和应用，所述WO3/TiO2纳米异质结薄膜基于WO3与TiO2能级匹配和晶格匹配的双匹配关系，在WO3薄膜表面外延生长有纳米TiO2层；其制备方法是将WO3薄膜置于含有氟钛酸铵(10～20mM)和硼酸(50～100mM)的水溶液中，恒温于25～50℃条件下处理1～70h，将薄膜取出并用去离子水冲洗1min以上，自然干燥后即得所述的WO3/TiO2纳米异质结薄膜所述WO3/TiO2纳米异质结薄膜具有良好的可见光吸收性能、良好的稳定性、高光电效率和电荷转移效率，可广泛应用于光催化、光电催化、光催化废水燃料电池和传感器等领域。
一种氧化钨氧化纳米异质结薄膜及其制备应用

[发明专利]一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制备方法-CN202210495009.9在审
发明人：王清山;段钰;张昆;陆文强 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学
申请日： 2022-05-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提出一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势
一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜细胞筛分装置制备方法

[发明专利]一种CdSe-BiOCl异质结的合成方法-CN202011212975.2在审
发明人：师红旗;张健;顾书洵;汤涛;丁毅;沈晓冬 -专利权人：南京工业大学;江苏瑞盈新材料科技发展有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe‑BiOCl异质结的合成方法，步骤为：(1)以Bi(NO3)3·5H2O和NaCl为原料，水为溶剂，水热合成后，制得BiOCl；(2)将Na2SO3和硒粉溶解于去离子水中，进行第一加热和回流，制得Se源前驱体；将二水乙酸镉和硫代乙醇酸溶解于去离子水中，制成碱性溶液，将Se源前驱体注入到碱性溶液内，在氮气保护下，进行第二加热和回流，制得CdSe量子点水溶液；(3)CdSe量子点水溶液与BiOCl混合，通过原位共沉淀后，制得CdSe‑BiOCl异质结；该CdSe‑BiOCl异质结由量子点CdSe和BiOCl纳米粒子组成。所制备的CdSe‑BiOCl异质结可以作为光催化剂，在光催化降解罗丹明B时，其降解速率可以达到纯BiOCl的1.4倍以上。
一种 cdse biocl 异质结合成方法

[发明专利]一种二硒化钨薄膜的制备方法和光催化还原二氧化碳的应用-CN201711106325.8有效
发明人：梁诗景;甘甜;祝淑颖 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨纳米线薄膜材料的新型制备方法与光催化还原CO₂应用，属于材料制备及二氧化碳高值利用技术领域。所述二硒化钨纳米线薄膜材料的制备以钨片和硒粉为前驱体，先将前驱体进行适当处理后，再通过以管式炉为反应器，在充满氢气/惰性气体混合气中煅烧即可得到WSe₂纳米线薄膜材料。本发明制备的二硒化钨光纳米线薄膜材料具有薄膜厚度可控，表面平整光滑，催化剂材料比表面积大等优点。同时，整个过程廉价且高效，生产过程绿色环保，催化剂稳定性高，符合实际生产需要，有较大的应用潜力。
一种二硒化钨薄膜制备方法光催化还原二氧化碳应用

[发明专利]一种用于治疗结肠炎的二硒化钨纳米片及其制备方法和应用-CN202211726978.7在审
发明人：查正宝;江凯 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于治疗结肠炎的二硒化钨纳米片及其制备方法和应用，是通过液相剥离的方法制得。本发明的二硒化钨纳米片具有良好的清除活性氧能力，且可以抑制肠杆菌科的增殖、调节肠道菌群，可用于缓解炎症性肠道疾病的发生。
一种用于治疗结肠炎二硒化钨纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110235747.5在审
发明人：宋丹丹;朱成皖;刘武;徐征;赵谡玲;乔泊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法。NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在
一种 nip 异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种具有可调异质结构和多微波吸收带的二硒化钼@RGO复合材料的制备方法-CN202210288453.3在审
发明人：李林;付晓颖 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种具有可调异质结构和多微波吸收带的二硒化钼@RGO复合材料的制备方法，它涉及一种二硒化钼复合材料的制备方法。方法：一、制备反应液；二、溶剂热反应。本发明提供了一种具有可调异质结构和多微波吸收带的MoSe2@RGO复合材料的制备方法，所制备的MoSe2@RGO复合材料实现了同一条件下在三个波段的有效微波吸收，最大反射损耗为‑56.9dB，而且该材料微观异质结构是可调节的。本发明可获得一种具有可调异质结构和多微波吸收带的二硒化钼@RGO复合材料。
一种具有可调结构微波吸收二硒化钼 rgo 复合材料制备方法

[发明专利]多相纳米异质结材料及其制备方法与应用-CN202111334639.X有效
发明人：郎建平;薛江燕;倪春燕 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，具体公开了一种多相纳米异质结材料的制备方法，包括以下步骤：提供一负载有NiMoO4前驱物的基底；将硒粉溶于水合肼中，加入水或钼酸钠水溶液，再加入所述负载有NiMoO4前驱物的基底，于180～200℃下进行反应；反应结束后，得到所述多相纳米异质结材料。本发明还提供了由所述方法制备得到的四相1T/2H‑MoSe2‑H/R‑NiSe纳米异质结材料、三相1T/2H‑MoSe2‑H‑NiSe纳米异质结材料以及作为电催化剂在碱性条件下催化氢气析出反应的应用。本发明制备的多相纳米异质结材料，具有较大的双层电容值、较大的电化学活性面积和较小的阻抗，大幅提升了电催化产氢的活性和稳定性。
多相纳米异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种异质结光探测器的制备方法及光探测器-CN202011538140.6有效
发明人：刘应军;王权兵;阳红涛;王任凡 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。
一种异质结光探测器制备方法

[发明专利]一种钨酸铋-磷酸镧异质结材料的制备方法及其应用-CN202110306111.5有效
发明人：韩布兴;翟建新;吴海虹 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铋‑磷酸镧异质结材料的制备方法及其应用，其特点是采用在磷酸镧基础上生长钨酸铋组成通式为Bi2WO6@LaPO4‑x的粉末状异质结材料；将Bi2WO6@LaPO4‑x在光照下，以二氧化碳为气体氛围，乙腈和水为溶剂，烷基叔胺为反应物，可高效地光催化烷基叔胺产生对应烯烃。
一种钨酸铋磷酸镧异质结材料制备方法及其应用

[发明专利]基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器-CN202310798721.0在审
发明人：逄金波;侯崇洋;刘瑞;刘宏;周伟家 -专利权人：济南大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层
基于二硒化钨微型压阻式应力传感器

[发明专利]金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构及其制备方法-CN201910514249.7有效
发明人：贺海燕;贺祯;沈清 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构及其制备方法，首先制备WSe2薄膜的先驱体水溶液；在WSe2薄膜的先驱体水溶液中加入单层氧化石墨烯水溶液和柠檬酸base:Sub>/RGO先驱体水溶液；然后在165～180℃的条件下水热处理后，在插入WSe2/RGO先驱体水溶液中的聚乙烯萘酚基片上，得到薄膜状的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构，将水热处理后剩余溶液中的沉淀物经过滤和洗涤后，干燥得到粉体状的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构。本发明通过水热法，能够通过一步合成工艺实现对金属结构的二硒化钨的制备，不仅工艺简单，而且具有所用原材料和设备成本低、能耗小和效率高等优异的特点。
金属结构二硒化钨氧化还原石墨复合结构及其制备方法

[发明专利]一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法-CN201910236319.7有效
发明人：郝国林;张婵;段卓君 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法。利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钨纳米带的生长；一维过渡金属硫属化合物的物理化学特性强烈依赖于其边缘悬挂键类型，超窄带显示出金属性质，而较宽的带从其边缘到中心显示出金属性质到半导体性质的转变；这一特殊性质使得二硒化钨纳米带在微纳光电器件中具有广泛的应用；且依据本发明的实验方法，可实现二硒化钨纳米带的工业化生产。
一种基于空间策略制备单层二硒化钨纳米方法

[发明专利]氧化钨纳米棒/锡离子修饰的碳化钛量子点/硫化铟纳米片复合材料及其制备方法与应用-CN202110951277.2在审
发明人：路建美;李娜君 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米棒/锡离子修饰的碳化钛量子点/硫化铟纳米片复合材料及其制备方法。发明在复合材料中引入锡离子，可以提高其光催化还原水体中六价铬及分解水产氢的效率。与引入未进行锡离子修饰的碳化钛量子点的三氧化钨/碳化钛量子点/硫化铟复合材料相比，本发明构建的Z型异质结复合材料能够显著提高光催化效率。实验证实，三氧化钨/锡离子修饰的碳化钛量子点/硫化铟复合材料在可见光下分别快速还原水体中六价铬和分解水产氢的性能均明显优于三氧化钨/碳化钛量子点/硫化铟。其中，在可见光下照射6 min后，氧化钨纳米棒/锡离子修饰的碳化钛量子点/硫化铟纳米片Z型异质结所在的水体中六价铬被完全地还原去除。
氧化钨纳米离子修饰碳化量子硫化复合材料及其制备方法应用