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[发明专利]一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法-CN202211737966.4在审
发明人：郝国林;张世伟;贺力员;郝玉龙 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法。通过对蓝宝石晶圆进行高温退火处理，使处理后的蓝宝石更有利于生长高质量、大面积、高均匀性的二硫化钨和二硒化钨薄膜。采用化学气相沉积法，通过对气体流量调控、前驱体金属钨源的设计、限域高度的调节，可实现不同层厚(单层、双层或三层)的二硫化钨和二硒化钨纳米薄膜制备。包括：一、对氢气流量进行调控，可实现单、双层二硫化钨纳米薄膜的制备。本发明无需在生长过程中引入氯化物或氢氧化物等催化剂，使得晶圆级薄膜的生长更加的高效、方便，且无杂质元素的引入。
一种晶圆级二硫化二硒化钨二维纳米薄膜制备方法

[发明专利]二硒化钨纳米片的制备方法-CN201610303570.7在审
发明人：陈远富;王新强;戚飞;郑斌杰;贺加瑞;周金浩;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化钨纳米片的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括以下步骤：将硼氢化钠溶解于有机溶剂，相继加入硒粉和钨酸钠制得混合溶液；将所得混合溶液转移到反应釜中，在200℃～240℃下反应6～48小时；待反应釜的温度自然冷却至室温后，通过抽滤收集黑色产物，并分别用去离子水和乙醇对产物进行洗涤，将其冷冻干燥后得到二硒化钨纳米片。本发明首次提出了一种通过溶剂热法一步合成二硒化钨纳米片的方法；本发明制备方法原料绿色环保、成本低、产率高、反应条件温和、可规模化生产；本发明制备的高结晶二硒化钨纳米片尺度大、层数少、分布均匀，具有高的比表面积
二硒化钨纳米制备方法

[发明专利]氧缺陷态修饰铁电化合物Z型异质结光催化材料及其制备方法和应用-CN202211569340.7在审
发明人：曾涛;周同彪;李诗恒;曾江涛;杜刚;张永丽 -专利权人：上海材料研究所有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及氧缺陷态修饰铁电化合物Z型异质结光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化技术领域。本发明利用钨酸铋和氮化碳复合构建异质结的同时引入氧缺陷态的方法，在异质结界面形成大量电子施主态集中的非晶层，稳定异质结的形成。氧空位的引入，一方面在铁电材料内部引入施主能级来增强对可见光的利用效率，另一方面铁电材料纳米粒子表面形成的氧空位非晶层更利于异质结之间的电荷传输，从而稳定Z型异质结的结构，以此来实现可见光催化高效降解污染物的作用
缺陷修饰化合物型异质结光催化材料及其制备方法应用

[发明专利]基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用-CN201710134325.2在审
发明人：秦玉香;王泽峰;刘雕;崔震 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开基于硅‑氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用，以金属辅助化学刻蚀法在单晶硅片上刻蚀形成硅纳米线，使用磁控溅射在硅纳米线上沉积钨薄膜材料层并进行一维氧化钨纳米线的结晶生长，形成硅—钨纳米线异质结构的气敏元件，本发明克服以往基于单纯一维多孔硅纳米线的气敏元器件在灵敏度方面的缺点，结合异质结在结构上具有的纳米协同效应和异质结效应，在发展低工作温度以及快速响应恢复的NO2传感器方面具有非常重要的研究价值与应用前景
氧化钨纳米线气敏元件制备方法和应用硅纳米线异质结构纳米线异质结构化学刻蚀法气敏元器件异质结效应磁控溅射单晶硅片结晶生长金属辅助快速响应协同效应灵敏度材料层多孔硅纳米线钨薄膜异质结传感器刻蚀沉积应用恢复研究

[发明专利]基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法-CN201611089265.9在审
发明人：徐杨;刘雪梅;樊先平;陈烁;乔旭升 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法，该探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和开有硅窗口的二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极；顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜，硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面、二氧化硅隔离层内侧壁和硅窗口的上表面接触；硒化铟薄膜与n型硅基体接触形成硒化铟/硅异质结。材料的薄膜具有窄直接带隙和可见光范围的高吸收系数，该种探测器显示出开关比可达1570的高光电响应，较短响应时间和长期稳定性，此外该光电探测器表现出从紫外到近红外的宽光谱响应特性，这些优异的性能都给更高效的硒化铟/硅光电探测器带来了研究和市场化前景。
基于硒化铟光电探测器制备方法

[发明专利]一种二硒化钨纳米管的制备方法-CN201711443091.6有效
发明人：胡柱东;林海敏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于管式炉中，在气体保护下低温升华沉积，继续升温热解；2)真空管式炉降至室温后将模板开口向下置于装有硒粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后升温，使单质硒与金属钨直接反应；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板和多余的硒，后进行抽滤处理，烘干，得成品。本发明方法步骤简单，无环境污染，无需复杂的设备，所制备得的二硒化钨纳米管粉体材料的尺寸可控性强，结晶性好，纳米管管壁形貌均匀，从而大大提高该二硒化钨纳米管粉体材料成品的综合性能。
一种二硒化钨纳米制备方法

[发明专利]一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用-CN201710193486.9有效
发明人：方静;胡红星;王梦然;张鹏;邹磊;赖延清;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒(硫)化钼(钨)/碳复合材料及其制备方法和应用；该复合材料是由二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨、二硫化钨中至少一种与碳复合构成多孔泡沫结构；其制备方法是将钼源和/或钨源、硒源和/或硫源、碳源和二氧化硅模板剂加入水中后，加热搅拌，形成溶胶；所述溶胶经过烘干后，置于惰性气氛中煅烧；煅烧产物通过腐蚀去除二氧化硅模板剂，即得复合材料，该方法实现了二硒(硫)化钼(钨)活性物质和碳合成、复合，以及造孔同步进行
一种化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种W18-CN202310005937.7在审
发明人：陶然;闫婷;楚振明;范晓星 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种W18O49/C/g‑C3N4异质结纳米纤维光催化剂及其制备方法与应用W18O49/C/g‑C3N4异质结纳米纤维光催化剂的制备方法是首先将钨源和聚丙烯腈溶于N,N‑二甲基甲酰胺中，然后将得到的均匀、透明溶液进行静电纺丝，得到的PAN/钨源纳米纤维网毡，最后将富氮前驱体和PAN/钨源纳米纤维网毡置于封闭瓷舟中进行煅烧，从而获得目标产物。W18O49/C/g‑C3N4异质结纳米纤维作为析氢光催化剂，构建Z型光催化分解水反应体系活性高，稳定性强，具有良好的光吸收特性，极大地提高了现在Z型异质结对于太阳能的利用率。
一种 base sub 18

[发明专利]铋/铋氧硒金属半导体异质结的制备方法及其应用-CN202111081385.5有效
发明人：王金忠;张翔宇;高世勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋/铋氧硒金属半导体异质结的制备方法及其应用，所述方法利用一步水热法制备Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结，进一步使用该异质结制备自供能光电探测器。本发明通过一步水热法制备出Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结，操作简单，反应可控；该异质结中Bi的含量可通过PVP的含量来调控；Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结自供能探测器制备简单、响应快速，其中Bi的存在加速光生电子空穴对的分离和转移，使得Bi/Bi2O2Se金属半导体异质结的光电探测性能优于单一Bi2O
铋氧硒金属半导体异质结制备方法及其应用

[发明专利]硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件-CN202010317242.9有效
发明人：柴路;刘伟宁;宋琦;陈骏祺;胡明列 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：为此，本发明采取的技术方案是，硒化镓/二硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件，包括GaSe/SnS2异质结膜、附加电极、主动控制直流电源、线性偏振的THz源，线性偏振的THz源生成的太赫兹波入射到GaSe/SnS2异质结薄膜，GaSe/SnS2异质结膜为在硅酸盐玻璃衬底上采用液相剥离方法或者化学气相沉积CVD方法制备，形成单分子层或者少分子层的结构；主动控制直流电源通过附加电极，以垂直于太赫兹波偏振方向对GaSe/SnS2异质结薄膜施加调制电压。
硒化镓硫化锡异质结膜电控太赫兹强度调制器件

[发明专利]一种碳纤维@二硒化钨纳米片核壳复合结构及其制备方法-CN201610601979.7有效
发明人：彭志坚;李宏;钱静雯;王猛;李汉青;申振广;符秀丽 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纤维@二硒化钨纳米片核壳复合结构及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提出的复合结构的内核是碳纤维、外壳是成阵列状的二硒化钨纳米片。本发明在真空管式炉中，用热蒸发技术直接蒸发硒粉作为硒源，在载气作用下，在高温下熏蒸浸泡过WO₃悬浊液的预氧化聚丙烯腈纤维，实现碳纤维和二硒化钨纳米片的同时合成，能高产率地制备得到所述碳纤维@二硒化钨纳米片核壳复合结构。
一种碳纤维二硒化钨纳米片核壳复合结构及其制备方法

[发明专利]一种硒化镍-硒化锌微球/石墨烯负极材料及制备方法与应用-CN202310385337.8在审
发明人：杨宏训;徐筝筝;徐明航 -专利权人：云帆（镇江）新能源材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化镍‑硒化锌微球/石墨烯负极材料及制备方法与应用，所述的硒化镍‑硒化锌微球/石墨烯负极材料由四氰合镍酸钾、锌盐、硒粉及氧化石墨烯制备而成；其中硒化镍‑硒化锌微球的直径约200～500nm，被石墨烯纳米片包裹，NiSe2‑ZnSe之间存在明显的异质结；按质量百分数计硒为52.57～56.57％，镍为18.98～19.09％，锌为14.65～18.47本发明所述的硒化镍‑硒化锌微球/石墨烯负极材料应用于钠离子电池，不仅可以提高电子的传导率，改善扩散动力学，而且缓解活性材料在循环过程中的体积变化，从而极大的提高了负极材料的循环性能和倍率性能。本发明还公开了一种硒化镍‑硒化锌微球/石墨烯负极材料的制备方法与应用。
一种硒化镍硒化锌微球石墨负极材料制备方法应用

[发明专利]一种硒化铁/硒化钼异质结构电极材料的制备方法和应用-CN202211326202.6在审
发明人：韩曼舒;穆宝峰;李子信;常海俊;陈明华;陈庆国 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：一种硒化铁/硒化钼异质结构电极材料的制备方法和应用，它涉及一种电极材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的钠离子电池存在的循环性及倍率性能差的问题。方法：一、水热合成FeSe2粉末；二、合成FeSe2/MoSe2异质结构。一种硒化铁/硒化钼异质结构电极材料作为钠离子电池负极材料使用。本发明提供的钠离子电池负极材料具有优异的倍率性能；这使得其在钠离子电池负极材料及其他相关离子电池领域电极材料的研究十分有益。本发明可获得一种硒化铁/硒化钼异质结构电极材料。
一种硒化铁硒化钼异质结构电极材料制备方法应用

[发明专利]氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法-CN201810155100.X在审
发明人：胡明;秦岳;周立伟;强晓永;赵博硕 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法，其主要结构是在多孔硅和氧化钨的双层复合结构，依顺序利用磁控溅射镀膜工艺和热退火工艺在多孔硅顶部形成氧化钨纳米线结构，利用半导体异质结效应实现多孔硅对二氧化氮气体灵敏度和选择性的提升，从而制备有良好二氧化氮探测能力的气敏传感器。本发明制备方法制备的传感器利用氧化钨与多孔硅间异质结的影响，提升了多孔硅的气敏性能，在室温下对二氧化氮气体具有较高的灵敏度和较好的选择性，适宜应用在气敏传感器的进一步开发中。同时，这种多孔硅氧化钨复合结构气敏传感器的制备工艺重复性高，具有大规模生产的潜力。
多孔硅气敏传感器制备氧化钨纳米线复合结构二氧化氮气体灵敏度氧化钨半导体异质结磁控溅射镀膜双层复合结构多孔硅氧化二氧化氮气敏性能制备工艺热退火异质结传感器探测应用开发

[发明专利]一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用-CN202210162088.1在审
发明人：李国强;刘乾湖;谢少华;梁杰辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：(1)采用分子束外延生长工艺，在Si衬底上生长InN纳米柱；(2)将步骤(1)所得InN纳米柱进行退火处理，得到Si基InN纳米柱异质结；所述退火的氛围为N2保护下的硫氛围、氧氛围或硒氛围。该InN纳米柱异质结包括衬底和生长在衬底上的InN纳米柱，其中InN纳米柱在不同氛围下退火形成异质结。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了Si基InN纳米柱异质结光电极。该异质结光电极可用于光电催化水分解制氢，大大提高了产氢效率，为利用太阳能大规模制备氢能源提供有效策略。
一种退火处理 si inn 纳米柱异质结及其制备方法应用