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[发明专利]一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法-CN202310174874.8在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;陈匡磊;尚金森;都娴;罗雨欣 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
一种二维可重构晶体管及其制备方法调控

[发明专利]基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统-CN202210494290.4有效
发明人：张跃;王玉南;张铮;张先坤;于慧慧;陈匡磊;黄银洁;张彦哲;曹志宏;何晓宇;赵航 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。
基于范德华光电探测器像素图像识别系统

[发明专利]一种图案化转移石墨炔薄膜的方法-CN202110310073.0有效
发明人：张跃;王利华;张铮;黄梦婷;刘璇;陈匡磊;高丽;于慧慧;洪孟羽;汤文辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
一种图案转移石墨薄膜方法

[发明专利]一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法-CN202210283282.5在审
发明人：张跃;王利华;张铮;卫孝福;张敬书;陈匡磊;高丽;于慧慧 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种输入电压可调谐的二维逻辑反相器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够利用石墨炔在正向栅压电场作用下对二维二硒化钨中的电荷俘获作用使二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，在电荷转移特征交点前后产生较大的阻态差别，从而构建出反相器；该反相器通过在正向栅压电场作用下使石墨炔薄膜对二维二硒化钨呈现出电荷俘获作用，从而使得电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压相对于非电荷俘获区域二维二硒化钨的阈值电压发生偏移，实现二维逻辑反相器功能；通过调整正向栅压电场的大小实现所述反相器额定输入电压范围可调。本发明提供的技术方案适用于反相器设计和制备的过程中。
一种输入电压调谐二维逻辑反相器制备方法

[发明专利]一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法-CN202210283293.3在审
发明人：张跃;王利华;张铮;张敬书;卫孝福;陈匡磊;高丽;于慧慧 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷俘获型的二维水平同质结整流器及制备方法，涉及半导体电子技术领域，能够在正栅电场条件下利用石墨炔和二氧化硅绝缘层对双极性二维二硒化钨进行p掺杂和n掺杂，形成的p‑n结可以获得较大的整流比且整流性能稳定；该整流器通过对二维二硒化钨同时进行n型掺杂和p型掺杂，使所述二维二硒化钨在水平方向形成p‑n同质结，从而使其输出电流随着输入漏源电压的正负分别呈现高电平和低电平，实现整流器功能该整流器通过石墨炔薄膜和二氧化硅绝缘层同时与部分二维二硒化钨接触连接，在硅栅电极施加的正向栅电场作用下实现p型和n型掺杂，从而形成同质结。本发明提供的技术方案适用于整流的过程中。
一种电荷俘获二维水平同质整流器制备方法

[发明专利]一种微机械剥离图案化二维材料及其制备方法和应用-CN202210395800.2在审
发明人：张跃;刘璇;张铮;黄梦婷;卫孝福;王利华;尚金森;陈匡磊;于慧慧;高丽 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机械剥离图案化二维材料的制备方法，包括如下步骤：S101：在初始衬底上剥离出过渡金属硫化物的二维材料；S102：将剥离出的所述二维材料转移至所需使用的目标衬底上；S103：在所述基底上旋涂电子束光刻胶，将其烘干后用电子束曝光的方式将所述基底上的电子束光刻胶层图案化；S104：将所述步骤S103处理后的基底浸没在丙酮溶液中，然后取出并加热，去除电子束光刻胶，得到微机械剥离图案化二维材料。本发明的微机械剥离图案化二维材料的制备方法，剥离速度快，操作简单成本低，适用于大范围推广。本发明方法制备得到的图案化的机械剥离二维材料图案化质量高，不易被污染。
一种微机剥离图案二维材料及其制备方法应用

[发明专利]一种大面积转移石墨炔薄膜的方法-CN202110308552.9有效
发明人：张跃;王利华;张铮;黄梦婷;刘璇;陈匡磊;高丽;于慧慧;洪孟羽;汤文辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料生长之后、器件制备之前的材料转移工艺，包括：将经过氧等离子反应刻蚀减薄的铜箔上的石墨炔薄膜匀上聚甲基丙烯酸甲酯，置于饱和氯化铁溶液中反应刻蚀；使用洁净的硅片将附有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨炔薄膜从饱和氯化铁溶液中捞出，去离子水中清洗，以目标基底将所述石墨炔薄膜再次捞出；热板加热烘干，继续加热使石墨炔薄膜与目标基底紧密贴合，置于丙酮溶液中加热去胶，用镊子从丙酮溶液中捞出迅速放入异丙醇溶液中清洗，再捞出用氮气吹干。本发明操作简单，容易实现铜箔上石墨炔薄膜的完全转移，得到的石墨炔薄膜比较洁净，解决了石墨炔薄膜难以从铜箔上大面积定向转移下来的问题。
一种大面积转移石墨薄膜方法

[发明专利]一种二维材料光控逻辑门-CN202110566411.7在审
发明人：张跃;黄梦婷;张铮;汤文辉;刘璇;王利华;陈匡磊;尚金森;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料光控逻辑门，包括集成在第一衬底上的第一光敏层、第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；集成在第二衬底上的第二光敏层、第五电极和第六电极；第一光敏层和第二光敏层均由二维材料制成；第一衬底、第一光敏层、第一电极和第二电极构成第一光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第二电极和第三电极构成第二光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第三电极和第四电极构成第三光电晶体管；第二衬底、第二光敏层、第五电极和第六电极构成第四光电晶体管；第一光电晶体管、第二光电晶体管及第三光电晶体管串联；第三光电晶体管与第四光电晶体管并联。该二维材料光控逻辑门具有制备工艺简单，器件体积小，利于大规模集成的优点。
一种二维材料光控逻辑

[发明专利]一种垂直结构的光电逻辑开关-CN202110116864.X在审
发明人：张跃;黄梦婷;张铮;汤文辉;刘璇;王利华;陈匡磊;尚金森 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03K17/79 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直结构的光电逻辑开关，属于半导体光电集成技术领域。所述光电逻辑开关包括：设置于顶层的光探测单元，用于将探测到的光信号转换为电流信号；设置于中间层的阻抗单元，其输入端与所述光探测单元的输出端电连接；所述阻抗单元用于将所述光探测单元产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号放大至所述逻辑电路的探测范围；设置于底层的逻辑单元，其输入端与所述阻抗单元的输出端电连接；所述逻辑单元用于实现将所述阻抗单元输出的低电平电压信号反向转换成高电平电压信号输出。本发明能够实现光电集成和逻辑运算，还能简化了制备工艺，缩小器件体积。
一种垂直结构光电逻辑开关

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