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[发明专利]一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法-CN202310818982.4在审
发明人：王东博;刘东昊;方铉;曹伽牧;刘思航;王金忠;曲平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法，属于红外成像探测技术领域，所述探测器包括衬底、WSe2/Bi2Te3异质结和铬金电极，衬底上磁控溅射沉积WSe2/Bi2Te3异质结，铬金电极设置在WSe2/Bi2Te3异质结上本发明利用在衬底上用磁控溅射技术沉积的WSe2/Bi2Te3异质结薄膜材料，
一种硒化钨碲化铋室温红外波段探测器及其制备方法

[发明专利]一种海水全电解制氢用异质催化电极及其制备方法与应用-CN202310741574.3在审
发明人：孙旭平;张辉;罗永岚 -专利权人：宁波氢云新材料科技有限公司;山东师范大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种海水全电解制氢用异质催化电极及其制备方法与应用，属于绿色氢能领域。其由金属泡沫骨架作为异质结催化剂三维载体，在载体表面原位生长有硒化镍和硒化钴异质结纳米线阵列作为双功能催化剂。硒化镍和硒化钴异质界面协同提高电极的催化活性，催化过程中表面氧化的硒离子可抑制氯离子的吸附。
一种海水电解制氢用异质催化电极及其制备方法应用

[发明专利]一种硒化钴异质结电催化材料及其制备方法与应用-CN202210115971.5在审
发明人：熊礼威;邱云帆;彭祥;熊时健;蔡东睿 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化钴异质结电催化材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括步骤：将钴盐和过硫酸钾溶于去离子水中，搅拌均匀得到混合液，将碳布置于所述混合液内，滴入碱性溶液，得到负载有氢氧化钴层状纳米片的碳布；将所述负载有氢氧化钴层状纳米片的碳布进行加热干燥，得到负载有氧化钴的碳布；将所述负载有氧化钴的碳布和硒粉置于瓷舟内，在氢气气氛下进行煅烧，得到硒化钴异质结电催化材料。本发明提供的硒化钴异质结电催化材料表现较好的结构稳定性以及更高的催化活性，在用于电催化析氧时，可以提高析氧效率和析氧量，从而显著提高析氧效果。
一种硒化钴异质结电催化材料及其制备方法应用

[发明专利]基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件及制备方法-CN201910494240.4有效
发明人：吴章婷;洪锦涛;张阳;郑鹏;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二硫化铼/二硒化钨(ReS2/WSe2)异质结的光电器件及制备方法，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、单层ReS2和WSe2构成的异质结、漏极和源极；所述的源极、漏极、单层ReS2和WSe2均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。
基于硫化二硒化钨异质结光电器件制备方法

[发明专利]一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法-CN201910347759.X在审
发明人：李国华;陈志成;李婉青;项曙光;胡鑫 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法，其特征在于：是利用氯化锑与硫代硫酸钠混合沉积法使氧化钨纳米片上生长硫化锑，然后经一次性退火即得到氧化钨/硫化锑异质结电极。本发明的方法具有简便、温和、高效的特点，所制备的氧化钨/硫化锑异质结电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性。
硫化锑电极氧化钨异质结制备光还原二氧化碳退火可见光吸收硫代硫酸钠氧化钨纳米沉积法氯化锑一次性生长

[发明专利]一种范德华异质结WS2-CN202210378430.1在审
发明人：方运祺;孙阳;沈杭燕;刘薇;程芳;郭冰;董学杭;王馨悦;曾文 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种范德华异质结WS2/h‑BN及其自组装制备方法，属于滑动电接触材料制备技术领域。本发明采用阴、阳离子改性剂分别对二硫化钨、六方氮化硼表面进行修饰，促使六方氮化硼表面荷正电、二硫化钨表面荷负电，利用六方氮化硼与二硫化钨表面的静电吸引作用，驱动六方氮化硼、二硫化钨层层自组装形成范德华异质结本发明制备工艺简单，可大规模用于构建范德华异质结WS2/h‑BN。本发明合成的范德华异质结WS2/h‑BN是具有超滑性能的固体润滑材料，可作为润滑涂层、润滑油添加剂和自润滑复合材料润滑相等，具有广泛的应用。
一种范德华异质结 ws base sub

[发明专利]氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法及自供电光电解水系统-CN201910386230.9在审
发明人：孙旭辉;文震;魏雪莲 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法及自供电光电。该氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极的制备方法包括如下步骤：利用水浴法制备在氟掺杂氧化锡导电玻璃上获得氧化钨薄膜；利用电化学沉积法在形成有所述氧化钨薄膜的氟掺杂氧化锡导电玻璃上沉积钒酸铋薄膜，从而获得所述氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极。本申请的发明人突破本领域的常规思维，利用水浴法和电化学沉积法结合的方式来制备获得氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极，且获得了意想不到的技术效果，由此获得的氧化钨/钒酸铋异质结光电阳极具有极高的光电催化性能。
钒酸铋光电阳极氧化钨异质结制备电化学沉积法氟掺杂氧化锡氧化钨薄膜导电玻璃电解水系统常规思维光电催化技术效果水浴法自供电电光沉积水浴薄膜申请

[发明专利]一种三氧化二铋‑钨酸铋异质结光催化剂及其制备方法-CN201710789179.7在审
发明人：王永强;陈曦;刘敏敏;姜珊;赵朝成;刘芳 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明属于半导体催化领域，公开了一种三氧化二铋‑钨酸铋异质结光催化剂的制备方法，由摩尔比为0.11‑0.51的三氧化二铋和钨酸铋复合形成异质结构，三氧化二铋负载于钨酸铋的表面。本发明采用硝酸铋和偏钨酸铵为原料，采用溶剂热法一步合成三氧化二铋‑钨酸铋异质结光催化剂。本发明制备方法简单，合成周期短，制备出的样品纯度高，而且具有典型p‑n异质结构，能有效抑制光生电子和空穴的复合，促进光生载流子的分离，具有高活性，宽光谱响应的特点，具有十分重要的意义。
一种氧化钨酸铋异质结光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种锂硫电池正极材料及其制备方法、锂硫电池-CN202010886380.9有效
发明人：李运勇;王伟;吴尚有;朱俊陆;单炯威 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供了锂硫电池正极材料，所述锂硫电池正极材料是由钴掺杂二硒化钼/MXene异质结结构材料与硫复合形成的锂硫电池正极材料；其中，所述钴掺杂二硒化钼/MXene异质结结构材料是由钴掺杂二硒化钼在MXene材料表面原位垂直生长而形成的异质结纳米片。
一种电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种二硒化钨的制备方法-CN202210686584.7在审
发明人：逄金波;杨嘉丽;孙德辉;刘晓燕;周伟家;刘宏 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钨的制备方法，包括：在基底上沉积金属钨得到钨薄膜；将硒粉分散于溶剂中得到含硒分散液，将含硒分散液旋涂于钨薄膜上，干燥后在保护气氛下利用微波活化辅助电阻丝加热，得到基底/二硒化钨薄膜；在基底/二硒化钨薄膜旋涂PDMS溶液，干燥后得到基底/二硒化钨/PDMS薄膜，然后进行碱刻蚀去掉基底，将剩下的二硒化钨/PDMS薄膜转移到目标基底上，用溶剂将PDMS薄膜溶掉，得到二硒化钨薄膜。本发明利用金属薄膜蒸镀‑后续硒化热处理的方法，不但硒分子前驱体与钨金属膜固相反应合成成本低廉，还利用金属薄膜预制层的全覆盖特点，得到全覆盖的少层或多层二硒化钨薄膜，实现高质量晶圆级二硒化钨的大规模生产。
一种二硒化钨制备方法

[发明专利]一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法与应用-CN202210032249.5有效
发明人：彭祥;李荣;赖思帆;徐炎武;赵贵明 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法与应用，所述电催化剂制备方法如下：1)将镍盐和锰盐溶于去离子水中，加入过硫酸钾，将表面清洁的碳布浸入所得混合液中，滴入弱碱性溶液，在碳布上生长得到层状镍锰氢氧化物纳米片；2)将碳布进行第一次煅烧，得到前驱体镍锰氧化物；3)将碳布置于管式炉的下游，硒粉置于管式炉上游，进行第二次煅烧得到镍锰硒化物异质结电催化剂。本发明提供的镍锰硒化物异质结电催化剂具有优异的电化学活性，HER达到10mA cm‑2的电流密度仅需要158mV的过电位，OER达到50mAcm
一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种钒钨双金属硒化物材料的制备及其应用-CN202211332919.1有效
发明人：陈青;魏锡均;宋英泽;陈骏;万琦;邓强;袁小智 -专利权人：四川蜀旺新能源股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及钠离子电池储能材料技术领域，具体是指一种钒钨双金属硒化物材料的制备及其应用。将金属盐和氧化石墨烯加入去离子水中，超声溶解制得产物A；步骤2，将三聚氰胺加入去离子水中，放入油浴锅内搅拌后加入甲醛溶液，制得产物B；步骤3，将产物A加入至产物B中搅拌，通过抽滤、洗涤、冷冻干燥后得到石墨烯基的钒钨盐前驱体，在惰性气体下进行硒化退火处理制得钒钨双金属硒化物。基于上述步骤，合成了一种石墨烯基双金属硒化物的异质结构材料，独特的异质结构界面为反应提供了丰富的活性位点，界面内形成的内置电场有效的增强了电池的动力学性能，并展现出较高的容量和优异的倍率性能，在储钠性能方面极具潜力
一种双金属硒化物材料制备及其应用

[发明专利]一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法-CN202111144415.2在审
发明人：李洋;孙昭媛;赵泽;徐成彦;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C13/04 文献下载
摘要：一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法，属于电子和光电子领域。所述复合型器件包括金属、二维硒化铟、二维硒化镓、栅极介质层。本发明器件采用但不限于机械剥离的方法获得二维纳米片，器件自下而上分别为栅极介质层、二维硒化镓和二维硒化铟层，金属电极与二维硒化铟层接触，金属电极采用但不限于热蒸镀的方法制备。本发明通过调节异质结界面处的能带排列及电荷转移的方式，构筑同时兼备电存储、光存储的GaSe/InSe多功能器件，具有永久光电流和负光电导存储特性，简化了器件结构，实现功能器件的集成。
一种基于 gase inse 异质结存储复合型器件及其制备方法

[发明专利]一种二维硒化钨的生长方法-CN202211536717.9在审
发明人：王广;吕志权;周溯媛;杨鸣;彭刚 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。
一种二维硒化钨生长方法

[发明专利]一种空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结的制备方法-CN201610883628.X有效
发明人：许群;任玉美 -专利权人：郑州大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明属于二维层状材料缺陷工程制备技术领域，具体涉及了一种空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结的制备方法。将二硫化钨分散于水或乙醇溶液中得到分散液，然后将所述分散液进行冷水浴超声，取上层液置于超临界二氧化碳反应装置中反应，反应结束后卸压，即得到有空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结。本发明解决了目前大规模制备二维材料缺陷结构的问题，对高产量、高质量制备缺陷掺杂的二维异质结实现了一步完成。
一种空穴缺陷掺杂二维硫化水合氧化钨异质结制备方法