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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种PN异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111595116.0有效
发明人：李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;丁坤;刘家梁;熊继光 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种PN异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池，包括依次设置的衬底、金属背电极、P型硒化锑层、N型钙钛矿吸收层与导电电极。与现有技术相比，本发明将多个带隙不同的光吸收剂组成多结太阳能电池，不仅可以拓宽太阳光谱的利用范围，同时可以降低光生载流子的热驰豫损失，提高光电转换效率；并且本发明通过PN异质结Sb2
一种 pn 异质结硒化锑钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]改性氮化碳与氧化钨耦合的p-n型异质结复合材料及其制备方法和应用-CN202010235681.5在审
发明人：王齐;肖维;陈希乐;李硕;贺琴;刘颖琪 -专利权人：浙江工商大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料及其制备方法和在制备光催化杀菌剂中的应用。所述制备方法包括：将三聚氰胺、三氨基密啶和钨酸混合均匀后于惰性气氛下500～550℃煅烧1～6h得到所述改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料。本发明还公开了一种含E.Coli废水的光催化杀菌方法，包括步骤：向所述含E.Coli废水中加入所述的改性氮化碳与氧化钨耦合的p‑n型异质结复合材料，暗反应吸附平衡后进行可见光照射，进行光催化杀菌。
改性氮化氧化钨耦合型异质结复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种负载硫铟铜量子点的钨酸铋异质结复合材料及其制备方法和应用-CN201611090857.2有效
发明人：柯军;罗盛;周鸿儒 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载硫铟铜量子点的钨酸铋异质结复合材料及其制备方法和应用，该复合材料为硫铟铜量子点修饰的钨酸铋异质结，其制备步骤包括：将自制的硫铟铜量子点与钨酸铋花状多级结构材料在三氯甲烷溶液中混合搅拌、超声、加热至溶剂完全挥发，再将干燥后的混合物在氮气气氛下煅烧，得到硫铟铜量子点修饰的钨酸铋异质结复合材料。
一种负载硫铟铜量子钨酸铋异质结复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法及其应用-CN202011397195.X有效
发明人：韩曼舒;李誉;周志浩;陈明华;陈庆国 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法及其应用，它涉及一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有钠离子电池的循环性能和倍率性能差的问题。方法：一、合成Bi2Se3；二、制备Bi2Se3/MoSe2异质结构，得到硒化铋/硒化钼异质结构电极材料。本发明对制备的硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的电化学性能进行测试，循环伏安和恒流充放电实验表明，该电极材料具有较好的倍率性能，在0.1A g‑1的电流密度下，可获得约本发明可获得一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料。
一种硒化铋硒化钼异质结构电极材料制备方法及其应用

[发明专利]一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法-CN202211628609.4在审
发明人：闫胤洲;张晓华;赵晨;蒋毅坚 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法，将光学介电微球分散液滴在单层二硒化钨上，通过自组装的方法得到光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构。本发明得到的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构具有优异的谷偏振光电性能，为谷电子器件的设计制造应用提供了一种新的方案。
一种应用于提高偏振光学介电微球阵列单层二硒化钨复合结构制备方法

[发明专利]一种大开关比场效应晶体管的制备方法-CN201610012849.X在审
发明人：郑蓓蓉;薛伟;王权;白冰;张淼;周晨 -专利权人：温州大学
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种大开关比场效应晶体管的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：①采用机械剥离法制备石墨烯薄片和二硫化钨薄片，选取带有氧化层的单晶硅片作为衬底，将石墨烯薄片、二硫化钨薄片、石墨烯薄片依次转移到衬底上，形成石墨烯异质结；②在石墨烯异质结上均匀旋涂光刻胶，再将掩膜版上图形通过曝光转移到光刻胶上，并采用电子束蒸镀沉积Ti/Au金属得到Ti/Au电极，制得基于石墨烯异质结的隧穿场效应晶体管。本发明结合了石墨烯的高载流子迁移率和过渡金属硫化物的带隙，以石墨烯和二硫化钨组成的异质结构作为沟道材料，获得高响应速度和大开关比的场效应晶体管。
一种开关场效应晶体管制备方法

[发明专利]基于体异质结结构吸光层的高效铜铟镓硒薄膜光电池-CN201510039608.X无效
发明人：钱磊;刘德昂;谢承智 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的用于铜铟镓硒薄膜光电池的吸收层体相异质结结构。吸收层的体相异质结结构，包括溶液法制备的p型铜铟镓硒吸光材料和n型硫化镉纳米棒。该新型体相异质结结构不但可通过溶液法来进行制备，易于低成本和大规模生产，同时由于体异质结独特的混相结构，从而有效地提高了光生电子空穴对的解理和输出。与传统的平面异质结相比，基于这种新型的体相异质结结构的薄膜光电池的转换效率提高了15％以上。
基于体异质结结构吸光层高效铜铟镓硒薄膜光电池

[发明专利]一种制备CdS/MnWO₄异质结复合光催化剂的方法-CN201510943384.5在审
发明人：施伟东;延旭;黄凯;洪远志;黄长友;吕涛涛;肖立松;刘奎立;顾巍 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及过渡金属钨酸盐，特指一种制备CdS/MnWO₄异质结复合光催化剂的方法，将钨酸锰纳米棒分散在去离子水中后加入硫脲和醋酸镉，搅拌混合均匀后进行水热反应，进而得到CdS/MnWO₄异质结复合光催化剂，其中CdS和与MnWO₄的摩尔比为0.3-1.5：1。制备得到的异质结复合光催化剂能够在可见光下有效地光催化降解亚甲基蓝和甲基紫。
一种制备 cds mnwo sub 异质结复合光催化剂方法

[发明专利]一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法-CN201711249673.0在审
发明人：张军 -专利权人：苏州宝澜环保科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法包括n型硅片的清洗；n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；n型硅片表面的钝化处理；硅钨酸掺杂PEDOTPSS层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。通过利用硅钨酸掺杂PEDOTPSS层，改善所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的空穴传输性能，进而提高其光电转换效率。
一种纳米阵列异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种二维二硫化钨自构同质结及其制备方法和应用-CN202010871962.X有效
发明人：周瑜琛;郑照强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明属于二维材料异质结光探测技术领域，具体地涉及一种二维二硫化钨自构同质结及其制备方法和应用。本发明通过物理气相沉积法先将二硫化钨粉末置于管式炉的中间，将表面有二氧化硅的硅片放置于管式炉下游；在氮气气氛下，升温至1100～1150℃并保温，在达到保温温度前进行反向通气，得到长有二维二硫化钨的硅片，然后将其进行光刻胶旋涂、加热、光刻，通过控制光刻板的沟道宽度控制，可以使得二维硫化钨进行折叠，再显影后，可成功在同质结两端搭建电极，得到二维二硫化钨自构同质结，该二维二硫化钨自构同质结具有良好的光探测应用前景
一种二维硫化同质及其制备方法应用

[发明专利]含有Mo、W和Se的合金和相关复杂异质结及其制备方法-CN201911294395.X有效
发明人：袁小明;方龙;陶少华;周易瑾 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有Mo、W和Se的合金和相关复杂异质结及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：1)将氧化钼、氧化钨研磨并混合均匀得到混合原料；2)将硒粉置于管式炉中的第一温区，混合原料置于管式炉中的第二温区，清洗过的衬底置于混合原料的末端；3)抽取空气使管式炉内达到真空，然后向其通入惰性气体至内压强达到常压；4)加热第一温区和第二温区，在加热过程中向所述管式炉中通入氩氢混合气体，第一温区和第二温区同时分别达到270℃～420℃和800℃～940℃后生长一段时间，获得含有Mo、W和Se的合金及相关垂直或横向异质结。
含有 mo se 合金相关复杂异质结及其制备方法

[发明专利]在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法-CN202210358854.1在审
发明人：吴燕庆;王欣;史新航 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。
绝缘生长大面积性能空穴导电二硒化钨单晶方法

[发明专利]一种基于硫化亚锡/硒化铟异质结的光电二极管及其制备方法和应用-CN202210460062.5在审
发明人：高鹏;高伟;王创垒;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于多功能光电二极管技术领域，公开了一种基于硫化亚锡/硒化铟异质结的光电二极管及其制备方法和应用。所述光电二极管是将InSe纳米片转移至SnS纳米片上，SnS纳米片与InSe纳米片重叠部分形成SnS/InSe异质结，并在惰性气体条件下100～150℃退火0.3～2h，分别在不重叠的InSe纳米片和SnS本发明基于SnS/InSe异质结的光电二极管具有明显的整流行为，并在400～1064nm宽谱波段具有优异的自驱动光响应性能和波长选择偏振探测特性，可用于光伏器件或偏振红外成像设备领域中。
一种基于硫化硒化铟异质结光电二极管及其制备方法应用

[发明专利]用于量子点敏化太阳电池纳米棒状结构光阳极的制备方法-CN201711128439.2在审
发明人：杜中林;唐建国;王瑶;李海东;沈文飞;杨兰兰 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了用于量子点敏化太阳电池纳米棒状结构光阳极的制备方法，在导电基底表面水热生长ZnO纳米棒、ZnO纳米棒表面硒化生长ZnSe及阳离子交换方式生长CdSe等过程，并将得到的ZnO/ZnSe/CdSe异质结纳米棒光阳极与铜片和电解液组装成量子点敏化太阳电池，进行电池光电性能表征。本发明首次采用水热合成和连续离子吸附联用方法在导电透明玻璃基底上原位生长出ZnO/ZnSe/CdSe异质结纳米棒，制备出的异质结纳米棒尺寸形貌均一性较好。同时，原位生长方式使得每层界面接触性良好，纳米棒牢固性好，电子传输速率快，能够显著提高量子点敏化太阳电池的光电转换效率。
用于量子点敏化太阳电池纳米结构阳极制备方法

[发明专利]基于碳化钒与二硫化钼的非线性纳米杂化材料及制备方法-CN202111108579.X有效
发明人：张弛;单娜滢;伏露露 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳化钒与二硫化钼的非线性纳米杂化材料及制备方法，该材料由二硫化钼均匀生长在碳化钒表面构成。与现有技术相比，本发明中碳化钒和二硫化钨的异质结是通过使用两者之间的范德华力堆叠制备的；通过二者之间协同作用，增强杂化材料的三阶非线性系数；在本发明中，基于两者之间的相互作用力，二硫化钼纳米片均匀生长在具有三维互连网络微结构的碳化钒表面；而扫描电子显微镜光谱证明了异质结的表面形貌；两者的协同作用，使异质结在飞秒和纳秒的测试条件下都表现出了作为光学材料的出色潜力。
基于碳化二硫化钼非线性纳米材料制备方法

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