专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硫化/硫化铟异质光催化材料的制备及其应用-CN202110833587.4在审
  • 刘斌;郭秉荣;王育华 - 兰州大学
  • 2021-07-23 - 2021-09-14 - B01J27/047
  • 本发明公开了一种硫化/硫化铟异质光催化材料的制备及其应用。用酸钠、盐酸羟胺、和硫脲和十六烷基三甲基溴铵合成WS2光催化材料,将五水硝酸铟、十六烷基三甲基溴铵和硫代乙酰胺加入去离子水中,搅拌后,加入WS2光催化材料,冷凝回流,合成硫化/硫化铟异质光催化材料。该制备方法操作简单,条件温和;制得的异质光催化材料化学性质稳定、热稳定性好、光催化性能好;WS2/In2S3异质的构筑提高了光生载流子的分离,加快了载流子的迁移速率,从而有效提高了光催化材料的光催化活性;制得的异质光催化材料可应用于降解四环素类抗生素和染料等。
  • 一种硫化铟异质结光催化材料制备及其应用
  • [发明专利]一种锑薄膜太阳电池及其制备方法-CN202110332164.4有效
  • 梁广兴;于紫轩;陈名东;陈烁;郑壮豪 - 深圳大学
  • 2021-03-29 - 2022-08-05 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种锑薄膜太阳电池及其制备方法,包括:在沉积于衬底的钼薄膜层上溅射锑金属,得到金属前驱膜;将源和金属前驱膜放置于双温区管式炉中,通过源对金属前驱膜进行退火,得到沉积于钼薄膜层上的锑薄膜层;在锑薄膜层上沉积硫化镉薄膜层,得到沉积于钼薄膜层上的硫化镉/异质;对硫化镉/异质进行热处理后,在硫化镉薄膜层上沉积透明导电层以及在透明导电层和所述钼薄膜层上沉积背电极,得到锑薄膜太阳电池本发明通过对硫化镉/异质进行热处理,使得硫化镉中的Cd2+和S2‑扩散至锑进行有效掺杂,降低了电池开路电压亏损
  • 一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]一种钼/硅异质太阳能电池及其制备方法-CN201710978966.6在审
  • 施维林;张强;马锡英 - 苏州科技大学
  • 2017-10-19 - 2018-04-06 - H01L31/074
  • 本发明公开了一种钼/硅异质太阳能电池及其制备方法。它以钼薄膜和硅片为光敏单元,吸收可见光及近红外光,钼/硅异质结为太阳能电池光生电子和空穴的核心收集单元。由于维MoSe2具有1.55 eV的直接带隙,能有效吸收400~800 nm的可见光,具有较高的光电转换效率,能显著提高太阳能电池的内量子效率。同时,MoSe2与Si材料形成异质,可充分吸收可见光与近红外太阳光,且异质结对光生电子、空穴有很强的收集作用,从而提高了太阳能电池的光伏效应和转换效率。本发明提供的MoSe2/Si异质太阳能电池在350 mW白光照射下,光能转换效率达到2.26%。
  • 一种硒化钼硅异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种基于CdSe/MoS2-CN202310600896.6有效
  • 李金华;王子恒;楚学影;石凯熙;翟英娇;徐铭泽 - 长春理工大学
  • 2023-05-25 - 2023-08-22 - H01L31/109
  • 本发明涉及光电探测领域,具体为一种基于CdSe/MoS2异质偏振光电探测器及其制备方法,探测器包括衬底,复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质,沉积于CdSe/MoS2异质的两端的电极。制备方法为:在衬底表面设置少层的硫化钼薄膜,得到复合体A;在复合体A中少层硫化钼薄膜表面设置镉纳米棒,得到复合体B;对复合体B上CdSe/MoS2异质的两端分别沉积电极,得到偏振光电探测器。本发明在衬底表面分别设置少层的硫化钼薄膜和镉薄膜,在CdSe/MoS2异质的区域设置了电极,通过上述处理,能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。
  • 一种基于cdsemosbasesub
  • [发明专利]基于WSe2-CN202011263509.7有效
  • 周泽;姜昱丞;周鹏飞;殷凌煜;沈嘉昕;霍炜霄;董悦 - 苏州科技大学
  • 2020-11-12 - 2023-06-16 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种基于WSe2/KTaO3范德华异质的光电探测器及其制备方法,属于光电材料技术领域。将少层WSe2转移到单晶KTO表面,再制备金属电极、和钽酸钾表面电子气及其构成的范德华异质。本发明提供的基于WSe2/KTaO3范德华异质结构可实现对光照条件开/关的瞬时光电响应,开/关电流之比高达10异质结在高性能光电器件和光电探测器中的应用提供了可能。
  • 基于wsebasesub
  • [发明专利]一种异质型光催化剂及其制备方法-CN202211207013.7有效
  • 廖礼俊;周卫;袁儒婷;李贞子;王明涛 - 齐鲁工业大学
  • 2022-09-30 - 2023-10-20 - B01J21/06
  • 本发明属于光催化技术领域,尤其涉及一种异质型光催化剂及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:将铋盐溶解到有机溶剂中得到铋盐溶液;同时将盐溶解到有机溶剂中得到盐溶液;搅拌一定时间后,将一定量的氧化钛以及上述铋盐溶液和盐溶液混合,得到反应凝胶;高温晶得到异质光催化剂本发明制备的异质型光催化剂具有如下优点:通过制备异质型光催化剂可以达到100%抑制反应中的副产物N2O的生成的效果;与单独的氧化钛相比,本发明制备的异质型光催化剂的量子效率显著提升本发明提供的方法制备的异质光催化剂在NOx转化率、碳烟颗粒的氧化率以及抑制副产物的生成方面均优于单独氧化钛催化剂。
  • 一种异质结型光催化剂及其制备方法

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