[实用新型]双铝铝栅反相器及铝栅反相器有效
申请号: | 202221685143.7 | 申请日: | 2022-07-01 |
公开(公告)号: | CN217719600U | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 张薇;朱恒宇;邢康伟 | 申请(专利权)人: | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L23/528;H01L23/532 |
代理公司: | 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 | 代理人: | 李超 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双铝铝栅反相器及铝栅反相器,其中双铝铝栅反相器包括一组PMOS管和NMOS管,PMOS管和NMOS管的栅极并接作为反相器的输入端,PMOS管和NMOS管的漏极串接作为反相器的输出端,PMOS管的源极接最高电位,NMOS管的源极接最低电位。PMOS管和NMOS管之间的电连接采用第一铝层布线,输入端和输出端的引出采用第二铝层布线,两铝层之间以绝缘介质层分隔,并通过设置于绝缘介质层中的接触孔实现电连接。本实用新型采用两铝层走线避免了用有源区进行走线,获得更大的自由度,实现所有端口均为铝线连接,最大限度统一器件源漏区的面积,保证器件源漏区的一致性,最大限度地降低节点寄生电容和寄生电阻。除了可以更灵活的布线外,采用双铝铝栅工艺还可以极大提升产品的可靠性和抗闩锁能力。 | ||
搜索关键词: | 双铝铝栅反相器 铝栅反相器 | ||
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- 本发明公开了一种低压、低功率互补电路、一种反相器和一种NAND器件,属于电路领域。一种低压、低功率互补电路,包括使用半导体碳纳米管网状晶体管作为半导体的数字、模拟或混合信号电路,所述半导体碳纳米管网状晶体管的介电层采用纳米复合介电材料;一种反相器,采用两个所述的晶体管连接形成反相器门;一种NAND器件,采用所述的互补电路;本发明晶体管电路具有低功率;低压;具有类互补的电压转移特性;仅包含一种原始形式的半导体材料不含添加剂/掺杂并用基于溶液的打印或涂覆单一工艺步骤沉积。
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- 本发明公开了一种集成半导体器件及其制作方法,属于半导体技术领域,所述集成半导体器件包括:衬底,且所述衬底包括第一区域和第二区域;栅极介质层,设置在所述衬底上;多个金属硅化物栅极,设置在所述栅极介质层上,所述金属硅化物栅极与所述栅极介质层的界面处设置有掺杂离子;第一重掺杂区,设置在所述第一区域上所述金属硅化物栅极的两侧;以及第二重掺杂区,设置在所述第二区域上所述金属硅化物栅极的两侧,且所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的掺杂类型相反。通过本发明提供的一种集成半导体器件及其制作方法,简化制作工艺,提高集成半导体器件的性能。
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- 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;张胤京;郑珉在 - 三星电子株式会社
- 2023-03-01 - 2023-09-12 - H01L27/092
- 一种集成电路可以包括:第一有源图案组,在第一行中沿第一方向延伸并且包括在第一方向上彼此重叠的多个有源图案,第一行沿第一方向延伸;以及多个栅电极,在第一行中沿垂直于第一方向的第二方向延伸,其中,第一有源图案组中的在第一方向上彼此相邻的两个有源图案可以在第二方向上具有相同的宽度,或在第二方向上具有相差第一偏移量或第二偏移量的宽度。
- 半导体结构及其制备方法-202310871252.0
- 张圆喜 - 长鑫科技集团股份有限公司
- 2023-07-14 - 2023-09-08 - H01L27/092
- 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该方法包括:提供衬底,衬底包括NMOS区域和PMOS区域;在NMOS区域和PMOS区域外延生长单晶硅层;在单晶硅层上外延生长第一硅锗层;去除位于NMOS区域的第一硅锗层,露出单晶硅层;在NMOS区域中露出的单晶硅层上形成第一氧化物层,第一氧化物层的厚度与位于PMOS区域的第一硅锗层的厚度相同;对位于PMOS区域的第一硅锗层进行氧化处理,使位于PMOS区域的第一硅锗层转化为第二氧化物层,位于PMOS区域的单晶硅层转化为第二硅锗层;在位于NMOS区域的单晶硅层和位于PMOS区域的第二硅锗层之间以及衬底中形成沟槽隔离结构。本公开实施例的方法能够降低PMOS晶体管的阈值电压,并且避免在沟槽隔离结构的表面产生凹坑,提高半导体结构的电学性能。
- 半导体装置及方法-202310523572.7
- 马少阳;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2023-05-10 - 2023-09-08 - H01L27/092
- 一种半导体装置包含在源极/漏极区中的晶种层以及提供形成的方法。半导体装置可以包含在基材上方的多个纳米结构、包围环绕多个纳米结构的栅极结构、相邻于多个纳米结构的源极/漏极区,以及在源极/漏极区和栅极结构之间的内间隔物。源极/漏极区可以包含多晶晶种层覆盖于多个纳米结构的侧壁和内间隔物的侧壁,以及晶种层上方的半导体层。半导体层可以具有比晶种层更高的掺杂物浓度。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的