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- [发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202310966168.7在审
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顾婷婷
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-31
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2023-10-27
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H10B12/00
- 本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的第一晶体管，包括第一半导体层、第一栅极、第一电极及第二电极，第一栅极至少绕第一半导体层侧壁设置，第一电极和第二电极分别与第一半导体层的两端电接触；位于第一晶体管远离基底一侧的第二晶体管，包括第二半导体层、第二栅极、第三电极及第四电极，第二栅极绕第二半导体层侧壁设置，第三电极和第四电极分别与第二半导体层的两端电接触；第三电极与第一栅极电接触，第一半导体层与第二半导体层均沿第一方向延伸，第一方向与基底朝向第一晶体管的表面相交。本公开实施例至少有利于在保证半导体结构占据较小的布局空间的同时，提高半导体结构的性能。
- 半导体结构制造方法
- [发明专利]一种半导体结构的制备方法和半导体结构-CN202310981392.3在审
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徐坤;吴小鹏;张楠;胡洋
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-08-03
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2023-10-27
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H10B12/00
- 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其中，制备方法包括：衬底包括多个有源区并分为第一区域和第二区域。形成共形覆盖第一区域和第二区域的第一介质层、半导体层和第一掩膜层，并去除部分第一掩膜层以在第一区域上形成第一图案。形成填充第一图案之间的间隙并覆盖第一图案及第二区域表面的填充层，并形成覆盖第二区域的填充层表面的第一掩膜图案，在一道刻蚀工艺中至少去除填充层覆盖第一图案及第二区域表面的部分并去除第一图案以形成位于第一区域的第二图案。去除被第二图案暴露出来的半导体层、位于半导体层下方的部分第一介质层及部分有源区，以在第一区域上以形成接触孔，接触孔暴露出部分有源区。
- 一种半导体结构制备方法
- [发明专利]芯片测试方法和装置-CN202310935104.0在审
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刘凡
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-26
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2023-10-27
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G11C29/52
- 本申请涉及一种芯片测试方法和装置。所述方法包括：配置刷新参数；进入自刷新模式，基于所述刷新参数执行自刷新操作，自刷新操作完成后退出自刷新模式；其中，所述自刷新操作包括向存储阵列发送刷新命令和行锤刷新命令，所述刷新命令和所述行锤刷新命令的操作次数之和为N+1，所述自刷新操作在第N+1次向所述存储阵列发送的命令为所述行锤刷新命令，N为大于1的正整数；读取所述存储阵列中的数据，当所述数据读取错误时，则确定存在异步信号差值。本申请配准的刷新参数，不仅可以检测到自刷新模式中存在的数据错误风险，降低了芯片产品的不良率；还可以大幅度降低测试时间，提高测试效率，节约了测试成本。
- 芯片测试方法装置
- [发明专利]衬底处理装置及其镀膜挡件-CN202310957414.2在审
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陈信夫
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-28
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2023-10-27
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C23C16/44
- 本公开涉及一种衬底处理装置及其镀膜挡件，衬底处理装置的镀膜挡件包括：第一挡件及第二挡件。第一挡件抵接于反应腔室的顶壁或与反应腔室的顶壁设有第一间隙。第二挡件抵接于反应腔室的侧壁或与反应腔室的侧壁设有第二间隙，第二挡件的顶部与第一挡件相连，并环绕第一挡件的边缘周向设置，使第一挡件与第二挡件的顶部形成密封，这样反应腔室内部在真空泵的作用下形成的负压对第一挡件与反应腔室的顶壁之间的第一间隙不产生影响，即第一挡件与反应腔室的顶壁之间的第一间隙不再产生负压气流场，进而便无法将源组件的源气体通过窗口吸入第一间隙并转移到反应组件对应的反应区域，从而减小颗粒杂质的产生，且提高衬底表面上沉积的膜层均一性。
- 衬底处理装置及其镀膜
- [发明专利]测试电路、设备及系统-CN202310885703.6在审
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杨杰
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-18
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2023-10-24
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H01L23/544
- 本公开是关于一种测试电路、设备及系统，测试电路用于对半导体测试结构进行电性测试，半导体测试结构包括待测晶体管，测试电路包括电压控制模块和电流控制模块，电压控制模块包括高阻端，高阻端用于与待测晶体管的第一体端对应的第一测试垫连接，以向待测晶体管的第一体端输出测试电压；电流控制模块与电压控制模块耦接，电流控制模块包括电流控制端，电流控制端用于与待测晶体管的第二体端、源端、漏端对应的第二测试垫连接，以控制流经待测晶体管的电流。通过设置电压控制模块和电流控制模块能够避免待测晶体管除阻抗外的其他电阻值所引起的欧姆电位降对设定的测试电压造成干扰，消除了测试误差，提升了测试准确性。
- 测试电路设备系统
- [发明专利]存储器的测试方法-CN202310946495.6在审
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楚西坤
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-31
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2023-10-20
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G11C29/56
- 本公开提供一种存储器的测试方法。存储器的测试方法包括至少一个字线驱动电路测试过程，字线驱动电路测试过程包括：将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元；读取存储单元的第二数据；当第一数据与第二数据不同时，确定字线驱动电路异常；其中，字线驱动电路为信号走线层断裂后经修补的字线驱动电路。在本公开中，通过以写入第一数据并读取第二数据的方式测试经修补的字线驱动电路是否异常，能够识别存在异常的字线驱动电路以对存储器进行分类，从而提高了存储器的可靠性。
- 存储器测试方法
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