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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310998207.1在审
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李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-08-08
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2023-10-13
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H01L21/8238
- 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成第一掺杂区和第二掺杂区；在所述第一器件区形成埋层，并在所述第二器件区形成第三掺杂区；形成第一阱区、第二阱区和第三阱区；在所述第一阱区中形成第一源区和第一漏区，并在所述第三阱区中形成第三源区和第四源区；在所述第二阱区中形成第二源区和第二漏区；刻蚀所述第三源区和所述第四源区间的所述第三阱区以及部分所述第三掺杂区和所述第一掺杂区，形成栅极沟槽；形成第一栅极结构，第二栅极结构以及第三栅极结构。所述半导体结构及其形成方法能够实现VDMOS、CMOS及JBS的集成。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310530960.8在审
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周永昌;三重野文健
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-05-11
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2023-08-08
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H01L21/336
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极沟槽；栅极氧化层，位于所述栅极沟槽底部和侧壁以及所述外延层表面，所述栅极氧化层包括位于所述栅极沟槽底部的第一部分和位于所述栅极沟槽侧壁的第二部分，其中，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的最小厚度，所述第二部分的厚度沿所述栅极沟槽底部向所述栅极沟槽顶部的方向逐渐减小。本申请的技术方案中，沟槽栅极侧壁、沟槽栅极底部、沟槽栅极底部边缘、沟槽栅极底部拐角的栅极氧化层厚度依次增加，可以提高沟槽栅极结构底部、底部边缘和底部拐角的电场控制。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310531546.9在审
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三重野文健;周永昌
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-05-11
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2023-08-08
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H01L21/337
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层包括用于形成栅极的栅极区域；第一栅极氧化层，位于所述栅极区域的外延层表面；第二栅极氧化层，位于所述第一栅极氧化层表面，所述第二栅极氧化层包括位于所述栅极区域相对边且沿所述相对边设置的两个第一部分以及位于所述两个第一部分之间且与所述第一部分垂直连接的若干间隔设置的第二部分；栅极，位于所述栅极区域上覆盖并接触所述第一栅极氧化层和第二栅极氧化层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减小半导体器件结场效应区的栅极氧化物处的高电场，从而提高器件可靠性。
- 半导体结构及其形成方法
- [实用新型]一种高强度PE给水管-CN202320784155.3有效
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黄新民;华丕吉;徐永卫;王开河;周永昌
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福建省高品科技管材有限公司
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2023-04-11
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2023-08-08
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F16L9/147
- 本实用新型提出一种高强度PE给水管，包括内管、外管和编制网筒，所述内管同轴套设在外管内部，内管与外管之间设置有固定件，所述编织网管采用具有弹性的经线和纬线交叉编制的镂空网状筒体结构，编织网管套设在外管之外，外管的两端固定安装有向外延伸的环肩部，所述编织网管的两端固定安装在环肩部上，所述外管为铁质片材弯折制成的薄片管体，所述编织网管与外管之间固定安装有若干支撑件，支撑件间隔的环绕外管分布，所述支撑件采用橡胶材质的弹性支撑柱，所述固定件采用卡块和铆钉，内管与外管之间的端部形成多个卡槽，卡块卡入卡槽内，并通过铆钉将卡块分别与内管、外管固定，所述固定件采用环状端盖。
- 一种强度pe给水管
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310401844.6在审
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三重野文健;周永昌
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-04-14
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2023-07-14
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H01L21/336
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，覆盖部分所述栅极区域以及与该部分栅极区域邻接的外延层，所述掩膜层的材料为半导体材料；体接触结构，位于所述栅极区域的其余部分以及与所述其余部分邻接的外延层中，位于所述栅极区域中的体接触结构在所述栅极区域中的面积占比大于等于50％小于100％。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以提高具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET中沟槽栅极结构底部边缘的电场控制能力以及工艺效率。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310396374.9在审
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三重野文健;周永昌
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-04-14
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2023-06-27
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H01L21/336
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，位于所述外延层表面覆盖所述栅极区域，所述掩膜层的材料为半导体材料；屏蔽结构，位于所述栅极区域两侧的外延层中，所述栅极区域的长度小于所述屏蔽结构的长度。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，在沟槽栅极结构两侧形成屏蔽结构，可以提高具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET中沟槽栅极结构底部边缘的电场控制能力以及工艺效率，此外利用半导体材料作为离子注入工艺时的掩膜，可以提高离子注入质量，提高屏蔽结构的质量，提高器件性能和器件可靠性。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310403143.6在审
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三重野文健;周永昌
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飞锃半导体（上海）有限公司
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2023-04-14
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2023-06-23
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H01L21/336
- 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，位于所述外延层表面覆盖所述栅极区域，所述掩膜层的材料为半导体材料；体接触结构，位于所述栅极区域周围的外延层中，所述体接触结构包围所述栅极区域长度方向的边并且部分包围所述栅极区域宽度方向的边，所述体接触结构包围所述栅极区域宽度方向的边的部分在所述栅极区域宽度方向的边的占比大于等于50％小于100％。本申请可以提高具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET中沟槽栅极结构底部边缘的电场控制能力以及工艺效率，提高器件性能和器件可靠性。
- 半导体结构及其形成方法
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