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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括马蹄足结构导电图案的集成电路-CN201910383239.4有效
发明人： 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
包括马蹄结构导电图案集成电路

[发明专利]半导体器件-CN202310967250.1在审
发明人： 都桢湖;林优镇;柳志秀;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件包括具有多个有源图案的衬底。多个栅电极与所述多个有源图案相交。有源触点电连接到有源图案。多个通孔包括第一常规通孔和第一虚设通孔。多个互连线设置在通孔上。所述多条互连线包括设置在第一常规通孔和第一虚设通孔两者上的第一互连线。第一互连线通过第一常规通孔电连接到有源触点。每个通孔包括通孔主体部分和覆盖通孔主体部分的底面和侧壁的通孔阻挡部分。每条互连线包括互连线主体部分和覆盖互连线主体部分的底面和侧壁的互连线阻挡部分。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310410247.X在审
发明人： 都桢湖;柳志秀;李在夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：根据本公开的一些实施例，一种半导体器件包括：第一电力轨，被配置为提供第一电压并且沿第一方向延伸；衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；第一阱上的第一阱分接部，具有第一导电类型；第一阱上的第一源/漏区，具有第二导电类型；第一源/漏区上的第一源/漏接触部，沿第二方向延伸并且电连接到第一电力轨；第一连接布线，电连接到第一源/漏接触部并且沿第一方向延伸；以及第一阱分接部上的第一阱接触部，电连接到第一连接布线。
半导体器件

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其设计方法-CN202310296909.5在审
发明人： 都桢湖;宋泰中;白尚训;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路可包括各自对应于第一电路的第一功能单元和第二功能单元，其中，第一功能单元可包括：在第一层中沿着第一网格在第一方向上延伸的第一图案和在第二层中沿着第二网格在第一方向上延伸的第二图案，在与第一方向交叉的第二方向上，第一网格可具有大于第二网格的第二间距的第一间距，并且第二功能单元可包括第一功能单元的布局，并且在第二方向上具有比第一功能单元的长度大第一间距的长度。
包括标准单元集成电路及其设计方法

[发明专利]包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法-CN202310119158.X在审
发明人： 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;白尚训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：公开了包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法。所述集成电路包括第一块和第二块，第一块在其中具有第一功能单元阵列，第一功能单元阵列至少部分地被第一多个结束单元围绕，第二块邻近于第一块延伸。第二块在其中包括第二功能单元阵列，第二功能单元阵列至少部分地被第二多个结束单元围绕。所述第一多个结束单元包括：(i)放置在集成电路的边界处的第一结束单元，以及(ii)放置在第一块与第二块之间的边界处的不同于第一结束单元的第二结束单元。
包括邻接集成电路设计方法

[发明专利]集成电路-CN202310649570.2在审
发明人： 都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路

[发明专利]其中具有异构器件的集成电路及其设计方法-CN202310175340.7在审
发明人： 都桢湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了其中具有异构器件的集成电路及其设计方法。一种集成电路包括：(i)第一晶体管，所述第一晶体管具有在第一方向上延伸的第一栅极、第一漏极和在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一漏极分开的第一源极；(ii)第二晶体管，所述第二晶体管具有在所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上延伸的第二栅极、第二漏极和在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述第二漏极分开的第二源极；以及(iii)第一连接结构，所述第一连接结构将所述第一晶体管与所述第二晶体管电连接，并且包括在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间沿所述第一方向延伸的图案。
其中具有器件集成电路及其设计方法

[发明专利]包括具有可变宽度的有源图案的集成电路及其设计方法-CN202310190812.6在审
发明人： 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;张胤京;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路可以包括：第一有源图案组，在第一行中沿第一方向延伸并且包括在第一方向上彼此重叠的多个有源图案，第一行沿第一方向延伸；以及多个栅电极，在第一行中沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，第一有源图案组中的在第一方向上彼此相邻的两个有源图案可以在第二方向上具有相同的宽度，或在第二方向上具有相差第一偏移量或第二偏移量的宽度。
包括具有可变宽度有源图案集成电路及其设计方法

[发明专利]半导体器件-CN201810543913.6有效
发明人： 都桢湖;林优镇;柳志秀;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件包括具有多个有源图案的衬底。多个栅电极与所述多个有源图案相交。有源触点电连接到有源图案。多个通孔包括第一常规通孔和第一虚设通孔。多个互连线设置在通孔上。所述多条互连线包括设置在第一常规通孔和第一虚设通孔两者上的第一互连线。第一互连线通过第一常规通孔电连接到有源触点。每个通孔包括通孔主体部分和覆盖通孔主体部分的底面和侧壁的通孔阻挡部分。每条互连线包括互连线主体部分和覆盖互连线主体部分的底面和侧壁的互连线阻挡部分。
半导体器件

[发明专利]集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库-CN201910079668.2有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法-CN201810609378.X有效
发明人： 都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路产生布局计算机实施方法

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN202211355938.6在审
发明人：俞炫圭;都桢湖;朴尚度;徐在禹;柳志秀;郑珉在;曹多演 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种包括多个堆叠的金属层的集成电路和制造该集成电路的方法。所述方法包括以下步骤：设置多个标准单元，所述多个标准单元中的每个标准单元包括分别形成在所述多个金属层上的单元图案；以及在所述多个金属层之中的包括分别形成在多条迹线上的图案的特定金属层上，基于形成在所述多条迹线中的特定迹线上的相邻图案之间的间隔超过参考值而在所述相邻图案之间形成附加图案，所述图案在第一方向上延伸，所述多条迹线在第二方向上彼此间隔开。
集成电路制造方法

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其形成方法-CN202211375183.6在审
发明人： 都桢湖;郑珉在;南乾佑;赵财喜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路及其形成方法，该集成电路包括第一标准单元，第一标准单元包括：第一金属层，第一金属层包括分别在第一水平方向上延伸并在第二水平方向上彼此间隔开的多个轨道、包括形成在从所述多个轨道中选择的轨道上的导电图案的参差不齐的图案、以及离开所述多个轨道形成的连接图案；分别在第二水平方向上延伸的多条栅极线；以及栅极接触，配置为将从所述多条栅极线中选择的栅极线连接到第一金属层以将连接图案连接到所选择的栅极线。
包括标准单元集成电路及其形成方法

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310112065.4在审
发明人： 都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310100341.5在审
发明人： 都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

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