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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310670962.7在审
发明人：江国诚;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一纳米结构的第一垂直堆叠件；与第一垂直堆叠件相邻的第二纳米结构的第二垂直堆叠件；以及与第一纳米结构相邻的第一栅极结构。第一栅极结构包括位于第一纳米结构之间的第一栅极部分，以及从第一栅极部分的第一侧壁延伸至第一栅极部分的第二侧壁的第二栅极部分。第二侧壁位于第一侧壁和衬底之间，并且第二栅极部分为与第一栅极部分不同的材料。第二栅极结构与第二纳米结构相邻，以及第二壁结构位于第二栅极部分和第二栅极结构之间。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310684955.2在审
发明人：黄一涵;张复成;蓝文廷;朱熙甯;黄麟淯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合到第二衬底。本申请的实施例还公开了一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202310395011.3在审
发明人：潘冠廷;江国诚;朱熙甯;詹易叡;王纬婷;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，形成包括第一半导体层和第二半导体层的堆叠层的鳍结构，形成隔离绝缘层，使得堆叠层从隔离绝缘层暴露，在暴露的堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层，在暴露的堆叠层上方形成牺牲栅电极，形成层间介电层，部分地凹进牺牲栅电极以留下剩余的牺牲栅电极的柱，去除牺牲包覆层和第一半导体层，形成包裹围绕第二半导体层的栅极介电层以及在栅极介电层上方形成栅电极，去除柱，在去除柱的栅极空间中形成一个或多个介电层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310537785.5在审
发明人：郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第一堆叠的沟道；第二晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第二堆叠的沟道；隔离结构，包括位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道之间的芯介电层；以及高K栅极介电层，位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道上、并且位于第一堆叠的沟道和芯介电层之间的、以及第二堆叠的沟道和芯介电层之间的芯介电层的侧壁上。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310174729.X在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;王志豪;许祝源;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202010074227.6有效
发明人：江国诚;林志昌;潘冠廷;王志豪;朱熙甯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202310007843.3在审
发明人：江国诚;朱熙甯;陈冠霖;张家豪;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括在衬底上的纳米结构的第一垂直堆叠件、在衬底上的纳米结构的第二垂直堆叠件、在第一和第二垂直堆叠件之间并与第一和第二垂直堆叠件直接接触的壁结构、围绕纳米结构的三个侧的栅极结构和在纳米结构的第一垂直堆叠件旁边的源极/漏极区。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910931780.4有效
发明人：江国诚;朱熙甯;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构堆叠在第一通道结构上。第一晶体管还包括第一栅极结构，以位于第一通道结构与第二通道结构之间的第一金属盖，绕着第一通道结构与第二通道结构。第一金属盖的功函数异于第一栅极结构的其他部分的功函数。
半导体装置

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210713979.1在审
发明人：郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括围绕第一纳米结构的栅极结构，以及与栅极结构相邻的S/D结构。半导体器件结构还包括形成在栅极结构和S/D结构之间的内部间隔件层，以及形成在内部间隔件层上方的硬掩模层。硬掩模层位于栅极结构和S/D结构之间，并且与内部间隔件层直接接触。本发明的实施例还提供了形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]集成电路器件的形成方法-CN202211538276.6在审
发明人：江国诚;朱熙甯;蔡庆威;王志豪;梁英强;卡洛斯·H·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成：第一半导体带和第二半导体带；第一凹槽将第一半导体带与第二半导体带隔开；第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽位于第一半导体带的相对两侧；形成硬掩模，包括：垂直部分，位于第一半导体带的侧壁上和第二半导体带的侧壁上；第一水平部分，位于第一凹槽中；第二水平部分，位于第二凹槽中；和执行蚀刻工艺以蚀刻硬掩模、半导体衬底的直接位于第一凹槽下方的第一块体部分，以及半导体衬底的直接位于第二凹槽下方的第二块体部分；去除硬掩模；将介电材料填充到第一凹槽和第二凹槽中以形成隔离区，其中，隔离区包括位于第一半导体带和第二半导体带之间的内部隔离区。
集成电路器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210638956.9在审
发明人：陈冠霖;郑嵘健;江国诚;朱熙甯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构。半导体结构还包括形成在第一沟道结构和第二沟道结构之间的介电鳍结构。此外，介电鳍结构包括核心部分和连接至核心部分的第一连接部分。该半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括第一部分。此外，栅极结构的第一部分形成在第一沟道结构周围并且覆盖介电鳍结构的第一连接部分。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件结构的方法-CN202210935524.4在审
发明人： 朱熙甯;蓝文廷;黄一涵;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：制造半导体器件结构的方法包括将器件衬底接合至第一剥离层。第一剥离层设置在第一载体衬底上，并且器件衬底具有面向第一载体衬底的第一侧和与第一侧相对的第二侧。器件衬底具有第一宽度。对器件衬底执行前段制程(FEOL)工艺和后段制程(BEOL)工艺。将具有第二剥离层的第二载体衬底接合在器件衬底的第二侧上。通过去除第一剥离层来去除第一载体衬底。在去除第一载体衬底之后，器件衬底的宽度保持第一宽度。
制造半导体器件结构方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210925940.6在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置结构。结构包括介电结构，其包括第一介电层与第二介电层。第一介电层具有相对的第一侧壁与第二侧壁，且第二介电层接触第一侧壁的至少一部分与第二侧壁的至少一部分。结构亦包括第一半导体层与第一侧壁相邻，其中第一半导体层接触第二介电层。结构还包括第一栅极层围绕第一半导体层的至少三表面，其中第一栅极层具有面对第二介电层的表面，且栅极层的表面延伸于第二介电层与第一半导体层之间的界面所定义的平面上。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置-CN202210935342.7在审
发明人：游家权;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

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