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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括马蹄足结构导电图案的集成电路-CN201910383239.4有效
发明人：都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
包括马蹄结构导电图案集成电路

[发明专利]半导体芯片架构及其制造方法-CN202310369604.2在审
发明人：咸富铉;洪炳鹤;郑明勋;洪元赫;李昇映;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。
半导体芯片架构及其制造方法

[发明专利]CMOS结构及其制造方法-CN202310289118.X在审
发明人：朴玺韩;李昇映;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及CMOS结构及其制造方法，该CMOS结构包括晶片、在晶片的正面的第一半导体器件和第二半导体器件、在晶片的背面的电源轨、在晶片的背面的背面配电网络(PDN)网格、以及在晶片的正面在第一半导体器件和第二半导体器件之上的正面信号布线线路。第二半导体器件堆叠在第一半导体器件上，背面PDN网格联接到电源轨，电源轨联接到第一半导体器件和第二半导体器件。
cmos 结构及其制造方法

[发明专利]集成电路-CN202310649570.2在审
发明人：都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202310154810.1在审
发明人：洪炳鹤;孙吉焕;黄寅灿;任廷爀;徐康一;朴世韩;李昇映;咸富铉;李长根;郑明勋;尹承灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库-CN201910079668.2有效
发明人：白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
集成电路基于半导体装置标准单元

[发明专利]集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法-CN201810609378.X有效
发明人：都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路产生布局计算机实施方法

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310112065.4在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310100341.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]用于集成电路器件的交叉耦合结构-CN202210954302.7在审
发明人： 李昇映;朴玺韩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了交叉耦合结构。交叉耦合结构可以包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管可以在第一方向上彼此间隔开，第三晶体管和第二晶体管可以在垂直于第一方向的第二方向上堆叠。第三晶体管和第二晶体管可以包括公共栅极结构，公共栅极结构的第一部分可以是第二晶体管的栅极结构，公共栅极结构的第二部分可以是第三晶体管的栅极结构。
用于集成电路器件交叉耦合结构

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN201810131037.6有效
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]印刷电路板和存储模块-CN202210287167.5在审
发明人：徐东允;朴焕旭;金度亨;金宝螺;李昇映;李源燮;李允镐;曹睿真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：提供了印刷电路板(PCB)和存储模块。所述PCB包括在垂直方向上间隔开的多个层、第一检测图案和第二检测图案以及连接到所述第一检测图案和所述第二检测图案的焊盘。所述第一检测图案和所述第二检测图案分别设置在彼此相邻的第一层和第二层中，使得所述第一检测图案和所述第二检测图案彼此相对。所述焊盘设置在最外层中。所述第一检测图案和所述第二检测图案均包括在第一水平方向、第二水平方向和对角线方向中的至少一个方向上延伸的至少一个主段。连接到成对的焊盘的时域反射仪通过测量所述第一检测图案和所述第二检测图案的差分特性阻抗来检测所述PCB的未对准。
印刷电路板存储模块

[发明专利]用于多堆叠半导体器件的选择性双扩散中断结构及其制造方法-CN202210392095.0在审
发明人：洪炳鹤;宋昇炫;朴玺韩;李昇映;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种多堆叠半导体器件包括：多个下晶体管结构，布置在下堆叠上并包括分别被多个下栅极结构围绕的多个下鳍结构；多个上晶体管结构，布置在上堆叠上并包括分别被多个上栅极结构围绕的多个上鳍结构；以及在下堆叠上的下扩散中断结构和在上堆叠上的上扩散中断结构中的至少一个，其中下扩散中断结构形成在两个相邻下栅极结构之间，并使分别包括所述两个相邻下栅极结构的两个下晶体管结构彼此隔离，上扩散中断结构形成在两个相邻上栅极结构之间，并使分别包括所述两个相邻上栅极结构的两个上晶体管结构彼此隔离。
用于堆叠半导体器件选择性扩散中断结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202210612937.9在审
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体架构-CN202111386102.8在审
发明人： S.朴;李昇映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体架构，其具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，该半导体架构包括：被包括在MOSFET单元中的第一半导体器件；被包括在MOSFET单元中的第二半导体器件，第二半导体器件提供在第一半导体器件之上；配置为向第一半导体器件供电的第一电源轨，第一电源轨提供在与第一半导体器件和第二半导体器件不同的垂直水平；以及配置为向第二半导体器件供电的第二电源轨，第二电源轨提供在第一半导体器件和第二半导体器件之间的垂直水平。
半导体架构

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