专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]包装箱-CN202330308869.2有效
  • 李浩南 - 李浩南
  • 2023-05-24 - 2023-10-24 - 09-03
  • 1.本外观设计产品的名称:包装箱。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于包装。3.本外观设计产品的设计要点:在于图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:展开状态图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
  • 包装箱
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310998207.1在审
  • 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-08-08 - 2023-10-13 - H01L21/8238
  • 本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区;在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成第一掺杂区和第二掺杂区;在所述第一器件区形成埋层,并在所述第二器件区形成第三掺杂区;形成第一阱区、第二阱区和第三阱区;在所述第一阱区中形成第一源区和第一漏区,并在所述第三阱区中形成第三源区和第四源区;在所述第二阱区中形成第二源区和第二漏区;刻蚀所述第三源区和所述第四源区间的所述第三阱区以及部分所述第三掺杂区和所述第一掺杂区,形成栅极沟槽;形成第一栅极结构,第二栅极结构以及第三栅极结构。所述半导体结构及其形成方法能够实现VDMOS、CMOS及JBS的集成。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310961836.7在审
  • 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-10 - H01L27/092
  • 本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区;在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区;在所述第一器件区形成自所述第一掺杂区和第二掺杂区的表面向底部方向延伸的埋层;形成依次相邻的第一阱区、第二阱区和第三阱区,且所述第三阱区中还形成有位于部分所述第一掺杂区表面的第一漂移区;形成第一器件和第二器件,其中所述第一器件包括第一源漏结构和第二源漏结构,所述第二器件包括第三源区和第四源区。所述半导体结构及其形成方法能够实现CMOS、MOSFET及JBS的集成。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]含有水、乙腈和2-甲基四氢呋喃的混合物的处理方法-CN202310773178.9在审
  • 邵峰;李浩南;王洪 - 上海星可高纯溶剂有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-09-29 - C07D307/06
  • 本发明涉及含有水、乙腈和2‑甲基四氢呋喃的混合物的处理方法,提供所述含有水、乙腈和2‑甲基四氢呋喃的混合物的第一物料,提供乙二醇的第四物料,第一物料和第四物料送至萃取精馏塔中进行处理,所述的萃取精馏塔操作条件为:塔板数为60‑65,回流比为0.5‑2,塔顶温度为55‑60℃,塔釜温度为155‑160℃,塔顶压力为50‑55kPa,塔釜压力为50‑55kPa,所述的第一物料在所述萃取精馏塔的下部进料,第四物料在所述萃取精馏塔的上部进料,所述的萃取精馏塔的塔顶提供富含2‑甲基四氢呋喃的第五物料。本发明的方法能够从含有水、乙腈和2‑甲基四氢呋喃的混合物中分离出高纯度的2‑甲基四氢呋喃产品,所分离的2‑甲基四氢呋喃能够被直接用于药物生产过程,具有较高的经济价值。
  • 含有甲基呋喃混合物处理方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310664279.2在审
  • 李浩南;魏进;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-08-01 - H01L21/336
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有外延层,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;至少一个第一离子注入区,位于所述外延层,所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少;第二离子注入区,位于所述第一区域的外延层中,所述第二离子注入区部分覆盖所述至少一个第一离子注入区;至少一个第三离子注入区,位于所述第二区域的外延层中。本申请提供一种半导体结构及其形成方法,使所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少,可以避免击穿发生在第一区域最外围的结,提高器件可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]一种用于房屋建设的钢筋折弯器-CN202320207084.0有效
  • 张璐;向勇;牟军凯;孙光;刘子寒;刘国春;李浩南 - 中国建筑第八工程局有限公司
  • 2023-02-14 - 2023-07-25 - B21F1/00
  • 本实用新型涉及房屋建设技术领域,具体是一种用于房屋建设的钢筋折弯器,包括底盘,还包括固定机构,用于对钢筋的夹持固定,所述固定机构包括固定壳和两个调节螺纹杆,折弯机构,用于对钢筋的折弯操作,其设置在底盘的上方,所述折弯机构包括固定在底盘顶部外壁的折弯台,且折弯台顶部设置有转动结构,所述转动结构包括固定座、锁紧螺栓、固定杆和固定轴体,本实用新型通过推动折弯杆,折弯杆带动折弯架转动,折弯架带动折弯轴转动,折弯轴向固定轴一侧挤压钢筋,在弯曲时,折弯轴弯曲钢筋向固定轴体方向弯曲,根据固定轴表面上角度尺,推动折弯杆使钢筋达到精准弯曲角度。
  • 一种用于房屋建设钢筋折弯
  • [实用新型]半导体结构-CN202320154181.8有效
  • 张永杰;李浩南;彭定康;周永昌;三重野文健;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-04 - H01L29/423
  • 本申请技术方案提供一种半导体结构,其中所述半导体结构包括:衬底,所述衬底上包括外延层;第一掺杂区,位于所述外延层中,且所述第一掺杂区呈高低错落分布;阱区,自所述外延层的表面延伸至所述外延层中;源区,分立的自所述阱区的表面延伸至阱区中;第二掺杂区,位于相邻所述源区间,且自所述阱区表面延伸至所述阱区中,或者延伸出所述阱区;第一栅极结构和第二栅极结构,交替分布于所述源极、所述阱区及所述外延层中,且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极,其中所述第一栅极结构还包括位于所述栅极下方的伪栅。本申请技术方案的半导体结构可以降低栅极结构底部的电场,并减少栅漏电荷。
  • 半导体结构
  • [实用新型]一种半导体结构-CN202320181859.1有效
  • 彭定康;李浩南 - 飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司
  • 2023-01-20 - 2023-07-04 - H01L29/06
  • 本申请提供一种半导体结构,所述半导体结构包括:半导体基板,所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域,所述半导体基板表面包括外延层,所述外延层表面包括电流分散层;第一掺杂区,位于所述第一区域的电流分散层中;第二掺杂区,位于所述第一掺杂区中;第三掺杂区,位于所述电流分散层中且横跨所述第一区域和相邻的第二区域,所述第三掺杂区的一端连接至所述第一区域中的第二掺杂区,所述第三掺杂区的另一端延伸至所述第二区域中;电场缓冲区,位于所述第二区域的电流分散层中且位于相邻的第三掺杂区之间。本申请的技术方案可以避免功率MOSFET器件中二级劣化现象的出现,提高器件性能以及器件可靠性。
  • 一种半导体结构
  • [发明专利]一种非浸没式中心体异形喷嘴空化射流除锈装置-CN202310046369.5在审
  • 葛晗;黄检;陈家旺;王开创;李浩南 - 浙江大学
  • 2023-01-31 - 2023-06-06 - B24C1/08
  • 本发明涉及水射流除锈技术,旨在提供一种非浸没式中心体异形喷嘴空化射流除锈装置。该产品是在套筒结构的喷嘴本体中同轴布置中央水流通道和环形水流通道,两通道的出水口汇聚在喷嘴嘴尖处;沿喷嘴本体周向均匀布置若干组低速水流速度控制系统;其中,每组低速水流速度控制系统均由动力传动系统和速度调控系统组成;动力传动系统包括依次连接的液压马达、蜗轮蜗杆减速器和传动轴,传动轴上设有自锁器;速度调控系统设于环形水流通道中,包括内圈、外圈和挡水板。本发明通过营造喷头高速水流喷出时的浸没环境形成漩涡剪切型空化,使空化效应达到最大化;利用低速水流控制系统能调节不同的喷速状态,适应不同强度的船舶除锈情景。
  • 一种浸没中心体异形喷嘴射流除锈装置

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