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[发明专利]热电阵列显示器及其制备方法-CN202111517702.3有效
发明人：张兴中;王自昱;吴伟;刘雍;许雨锋;梁小洒;熊锐 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明属于红外探测技术领域，涉及一种热电阵列显示器及其制备方法，该热电阵列显示器至少包括第一像素点，第一像素点包括底部电极、P型热电腿、N型热电腿以及顶部电极；P型热电腿设置在底部电极上；P型热电腿通过顶部电极与N型热电腿串联。本发明提供了一种信息传递隐蔽性强、可有效减少设备发热以及可实现远距离信号传输的热电阵列显示器。
热电阵列显示器及其制备方法

[实用新型]热成像传感器、传感器以及热成像设备-CN202122970031.8有效
发明人： M·E·卡斯塔尼亚;G·布鲁诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及热成像传感器、传感器和热成像设备。该热成像传感器包括多个感测元件，每个感测元件包括至少一个热电偶。热成像传感器集成在绝缘体上半导体体部上，对该绝缘体上半导体体部进行图案化以限定从基底悬置的栅格；对于每个感测元件，栅格具有带有热电偶冷接点的框架、带有热电偶热接点的板以及从框架支撑板的一个或多个臂。框架包括一个或多个由导热材料制成的传导层，用于使冷接点与基底热平衡。此外，每个感测元件还可以包括集成在相应框架上的用于热电偶的处理电路。还提出了包括热成像传感器和相应的信号处理电路的热成像设备，以及包括一个或多个热成像设备的系统。利用本公开的实施例有利地显著减小了热成像传感器的尺寸。
成像传感器以及设备

[发明专利]一种热偶式高灵敏度微波功率传感芯片及传感器-CN202210338619.8在审
发明人：张亭;韩顺利;于怡然;张文征;杨耀辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种热偶式高灵敏度微波功率传感芯片，包括：衬底，在衬底上刻蚀背腔，在背腔上方设有热电堆，所述热电堆的上方设有共面波导，所述共面波导包括中央导带线和接地板，所述中央导带线中复合嵌套薄膜电阻，构成中央导带复合嵌套薄膜电阻结构，所述中央导带复合嵌套薄膜电阻结构与所述接地板连接。所述热电堆由若干个相邻热电偶彼此相互串联沿共面波导接地板内轮廓等间隔顺序排列构成，并引出直流电压连接线。
一种热偶式高灵敏度微波功率传感芯片传感器

[发明专利]双极性响应双色探测器、其制备方法及应用-CN202210328223.5在审
发明人：陈体威;张晓东;马永健;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本申请揭示了一种双极性响应双色探测器、其制备方法及应用。所述探测器包括：第一光吸收层，其能够吸收第一波长域的光并基于光伏效应形成光生载流子；第二光吸收层，其能够吸收第二波长域的光并基于光热电效应形成光生载流子，所述第二光吸收层与第一光吸收层配合形成pn异质结；第一电极，其与第一光吸收层电性接触，且所述第一电极与第二光吸收层间隔设置；第二电极，其与第二光吸收层电性接触。本申请的双色探测器具有集成度高、双极性响应、能耗低等优点，且操作简单，准确度高，对简化光通信系统的设计和实现高效率信号调制方案而言具有极大的意义。
极性响应探测器制备方法应用

[实用新型]一种微型热电器件-CN202220443298.3有效
发明人：吴佳隆;俞书昕;吴青书;陈佳明;陈容;严正博;吴浩南;陈贵玲;金泽辛 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：一种微型热电器件，属于半导体器件技术领域。本实用新型包括底部陶瓷板、顶部陶瓷板、以及设置在底部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的多片单片基底，单片基底并列堆叠设置，且相邻两片单片基底之间相连，底部陶瓷板通过焊接涂层与单片基底的底部固定连接，顶部陶瓷板通过焊接涂层与单片基底的顶部固定连接。本实用新型采用微型热电器件的面内结构来制作单片基底，相较于传统热电器件的π型结构，具有热电臂长、利于建立温差、微型化等特点，有利于高度集成产业的应用。本实用新型将单片基底并列堆叠集成化，在增加热电单元的PN结数、提高输出功率的同时限制尺寸的增加，从而同时获得较高的温差和较大的传热面积，有利于温差发电的商业化应用。
一种微型热电器件

[发明专利]热成像传感器及其框架中的处理电路-CN202111440093.6在审
发明人： M·E·卡斯塔尼亚;G·布鲁诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及热成像传感器及其框架中的处理电路。提出了一种热成像传感器。该热成像传感器包括多个感测元件，每个感测元件包括至少一个热电偶。热成像传感器集成在绝缘体上半导体体部上，对该绝缘体上半导体体部进行图案化以限定从基底悬置的栅格；对于每个感测元件，栅格具有带有热电偶冷接点的框架、带有热电偶热接点的板以及从框架支撑板的一个或多个臂。框架包括一个或多个由导热材料制成的传导层，用于使冷接点与基底热平衡。此外，每个感测元件还可以包括集成在相应框架上的用于热电偶的处理电路。还提出了包括热成像传感器和相应的信号处理电路的热成像设备，以及包括一个或多个热成像设备的系统。
成像传感器及其框架中的处理电路

[发明专利]基于Bi2-CN202111255383.3在审
发明人：贺明;蔡其峰;刘硕;谭聪伟;彭海琳;黎明;张兴;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Bi2O2Se的超高精度温度‑辐射热传感器及信号去耦合方法。本发明采用高迁移率半导体Bi2O2Se作为有效层制备了基于Bi2O2Se的场效应晶体管式器件，实现了高灵敏度、高分辨率的多模态温度‑辐射热传感器，其制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，可以实现大规模集成。利用该多模态温度‑辐射热传感器对于温度信号和光信号的响应频率不同，本发明还提出了一种随机共振去耦合的方法用于多模态传感输出信号的区分，较传统滤波算法更为准确，能够实现光热信号的高精度采集与解析。
基于 bi base sub

[发明专利]一种基于Bi2-CN202111281360.X在审
发明人：贺明;蔡其峰;刘鋆灵;谭聪伟;彭海琳;黎明;张兴;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。
一种基于 bi base sub

[发明专利]热电发电机-CN201680062102.3有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;朱塞佩·加玛瑞诺;马尔科·朱斯蒂;伊塔洛·吉森 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：一种具有基座硅晶片和覆盖硅晶片的紧凑尺寸的热电发电机，具有被构造成用于提高热能到电能的转化效率的简单结构，使得由于每单位表面的热量大于现有技术设备薄膜而也有可能转换为电流，其中覆盖硅晶片面对所述基座硅晶片，使得相应顶部触点接触并且覆盖硅晶片和基座硅晶片之间的空间是形成真空的空间或者存在气体，特别是空气的空间。
热电发电机

[实用新型]一种红外热堆传感器-CN202023269998.5有效
发明人：韩凤芹 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种红外热堆传感器，包括：承载基板；热电堆结构，所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；热敏电阻，设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中，所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本实用新型的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中，在承载基板上形成热电堆结构，热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上，可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成，满足小型化的要求。
一种红外传感器

[发明专利]一种红外热堆传感器及其制造方法-CN202011606307.8在审
发明人：韩凤芹 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外热堆传感器及其制造方法，其中，红外热堆传感器包括：承载基板；热电堆结构，所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；热敏电阻，设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中，所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本发明的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中，在承载基板上形成热电堆结构，热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上，可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成，满足小型化的要求。
一种红外传感器及其制造方法

[发明专利]GaN功率器件及其可靠性测试方法-CN202010248096.9有效
发明人：张晓东;魏星;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN功率器件及其可靠性测试方法。所述GaN功率器件包括主要由依次叠设的第一、第二半导体层组成的异质结，形成在异质结上的薄膜热敏层和相应的栅极、源极和漏极；其中，源极和漏极通过异质结内的二维电子气电连接，从而形成功率器件模块；而薄膜热敏层还与正极、负极电性连接，从而形成温度传感模块。较之现有技术，本发明可以基于同一基底进行功率器件模块与温度传感模块的同时制备，实现两者的单片集成，获得具有改良结构的GaN功率器件，从而能够更好的达成对GaN功率器件的热管理，显著提高GaN功率器件的工作稳定性和可靠性。
gan 功率器件及其可靠性测试方法

[发明专利]集成热电发电机及相关的制造方法-CN201780067199.1在审
发明人：法比奥·斯帕齐亚尼;恩里科·尤利亚内拉;达里奥·纳尔杜奇;达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·博希奥罗;朱塞佩·莱特莎;伊塔洛·吉森 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：采用完全兼容标准前端CMOS或BiCMOS技术的工艺可以制造平面外热通量构造的集成热电发电机，如果悬挂在谷上方的平面非导电覆盖层的部分具有足够大的通孔以使各向同性的蚀刻溶液或蚀刻等离子体跨非导电覆盖层(9)的厚度穿过通孔，从而实现空隙空间。发电机还包括沉积在所述平面非导电覆盖层(9)的自由表面上、朝向相对于所述空隙空间的相对方向的顶盖层(11)，以封闭非导电覆盖层(9)的通孔(10)。还公开了一种制造平面外热通量构造的集成热电发电机的方法。
非导电覆盖层发电机集成热电通孔空隙空间热通量等离子体制造蚀刻蚀刻溶液自由表面顶盖层沉积兼容穿过悬挂封闭

[发明专利]硅集成的平面外热通量热电发电机-CN201580051207.4有效
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;格奥尔格·普克尔;米赫尔·古林扬;西蒙尼·狄·马尔科 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：增强的电场利用在基板晶片(1)上的平面外热通量构造的集成热电发电机(iTEG)实现，其中基板晶片(1)具有连接多晶半导体片段的限定薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，其在具有比所述热电活性多晶半导体的热导率低的热导率的材料的山丘(3)的倾斜相对侧翼上延伸，通过使山丘(3)当中的谷空间(V)保持为空的并且由平面不导电覆盖物(8)限定在顶部，具有限定在耦合表面上的金属键合焊盘(10)，适于与相应的山顶接头金属触点(7)键合。接头金属触点(6，7)具有低纵横比的横截面轮廓，其中两个臂或翼与片段的并置端部分重叠。优选地，内部空隙在包装iTEG时被抽空。
集成平面通量热电发电机

[发明专利]晶片级热电能量收集器-CN201811096766.9在审
发明人：陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及晶片级热电能量收集器。集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。
热电能量介电层晶片级收集器基板集成电路

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