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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法-CN202310221219.3在审
发明人：金真范;金孝珍;南勇准;李商文;金东宇;黄仁建 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201811062733.2有效
发明人：徐东灿;李商文;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210442733.5在审
发明人：朴范琎;金孝珍;姜明吉;金真范;李商文;金洞院;赵槿汇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件-CN202210471876.9在审
发明人： 李商文;金真范;金孝珍;南勇准;郑秀珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。
集成电路器件

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202210423953.3在审
发明人：金傔;金真范;金东宇;申东石;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110338820.1在审
发明人：金真范;金茶惠;金锡勋;金在文;慎一揆;柳亥俊;崔庆寅;黄棋铉;李商文;李承勋;赵槿汇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：在基板上的有源图案；在有源图案上的一对源极/漏极图案；在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，该沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及栅电极，与沟道图案重叠并在第一方向上延伸。所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和其上的第二半导体层。第一半导体层与第一半导体图案接触，该第一半导体图案是堆叠的半导体图案之一。第一半导体图案、第一半导体层和第二半导体层在第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，第二宽度大于第一宽度并且小于第三宽度。
半导体器件

[发明专利]包括外延区的半导体器件-CN202011282169.2在审
发明人：金傔;金东宇;李智惠;金真范;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。
包括外延半导体器件

[发明专利]有源图案结构和包括其的半导体装置-CN202011229502.3在审
发明人： 李商文;崔庆寅;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种有源图案结构，包括：下有源图案，其在与衬底的上表面基本垂直的竖直方向上从衬底的上表面突出；缓冲结构，其位于下有源图案上，缓冲结构的至少一部分可以包括氧化铝硅；以及上有源图案，其位于缓冲结构上。
有源图案结构包括半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202010984326.8在审
发明人：金孝珍;李智惠;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极/漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极/漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗(SiGe)，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202010360788.2在审
发明人：金在文;金傔;李承勋;金茶惠;慎一揆;李商文;崔庆寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410443424.5有效
发明人：李东洙;李明宰;赵成豪;穆罕默德·拉基布·乌丁;大卫·徐;梁炆承;李商文;李成训;许智贤;黄义澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]衬底结构、CMOS器件和制造CMOS器件的方法-CN201410601952.9有效
发明人：梁炆承;穆罕默德·拉基布·乌丁;李明宰;李商文;李成训;赵成豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。
衬底结构 cmos 器件制造方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201410442976.4有效
发明人：梁炆承;穆罕默德·拉基布·乌丁;李明宰;李商文;李成训;赵成豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ‑Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。
互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810985594.4在审
发明人： 李商文;金正泽;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
半导体器件源图案衬底延伸方向交叉栅极结构上表面下表面制造

[发明专利]衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件-CN201310520285.7无效
发明人： 李商文;曹永真;李明宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括：衬底；成核层，形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在成核层上并且包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。
衬底结构采用半导体器件

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