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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括马蹄足结构导电图案的集成电路-CN201910383239.4有效
发明人：都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
包括马蹄结构导电图案集成电路

[发明专利]半导体器件-CN202310967250.1在审
发明人：都桢湖;林优镇;柳志秀;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件包括具有多个有源图案的衬底。多个栅电极与所述多个有源图案相交。有源触点电连接到有源图案。多个通孔包括第一常规通孔和第一虚设通孔。多个互连线设置在通孔上。所述多条互连线包括设置在第一常规通孔和第一虚设通孔两者上的第一互连线。第一互连线通过第一常规通孔电连接到有源触点。每个通孔包括通孔主体部分和覆盖通孔主体部分的底面和侧壁的通孔阻挡部分。每条互连线包括互连线主体部分和覆盖互连线主体部分的底面和侧壁的互连线阻挡部分。
半导体器件

[发明专利]电子装置及其控制方法-CN201880066283.6有效
发明人：朱基岘;A.波洛夫;郑钟勋;成昊相;吴殷美;柳宗烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G10L19/00 文献下载
摘要：本文公开了一种电子装置。所述电子装置包括：存储器，其用于存储分别在多个卷积神经网络(CNN)中训练的多个滤波器；以及处理器，其配置成获取对应于受损音频信号的第一频谱图，将所述第一频谱图输入到对应于每个频带的CNN，以分别应用在所述多个CNN中训练的所述多个滤波器，通过合并其中应用了所述多个滤波器的所述CNN的输出值来获取第二频谱图，以及获取基于所述第二频谱图重构的音频信号。
电子装置及其控制方法

[发明专利]电子设备及其控制方法-CN202180093889.0在审
发明人：朴相俊;朱基岘;姜太和;成昊相;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G10L21/003 文献下载
摘要：本公开涉及电子设备及其控制方法。该电子设备包括存储器和处理器，该处理器被配置为：通过向第一编码器模型输入第一质量的声学数据来获得用于估计波形的第一特征数据；并且通过将第一特征数据输入到解码器模型来获得比第一质量更高质量的第二质量的波形数据。
电子设备及其控制方法

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其设计方法-CN202310296909.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;白尚训;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路可包括各自对应于第一电路的第一功能单元和第二功能单元，其中，第一功能单元可包括：在第一层中沿着第一网格在第一方向上延伸的第一图案和在第二层中沿着第二网格在第一方向上延伸的第二图案，在与第一方向交叉的第二方向上，第一网格可具有大于第二网格的第二间距的第一间距，并且第二功能单元可包括第一功能单元的布局，并且在第二方向上具有比第一功能单元的长度大第一间距的长度。
包括标准单元集成电路及其设计方法

[发明专利]自适应噪声环境的语音信号处理的方法和装置-CN201780088703.6有效
发明人：成昊相;郑钟勋;朱基岘;吴殷美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G10L15/20 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的用于解决技术问题的处理语音信号的方法，包括以下步骤：通过使用至少一个麦克风获取近端噪声信号和近端语音信号；根据呼入获取远端语音信号；基于关于所述近端语音信号的信息、关于所述近端噪声信号的信息以及关于远端语音信号的信息的至少一者来确定噪声控制参数和语音信号改变参数；基于所述噪声控制参数来生成所述近端噪声信号的反相信号；基于所述语音信号改变参数、所述近端噪声信号、所述反相信号和误差信号来改变所述远端语音信号，使得可以改进远端语音信号的清晰度；以及输出所述反相信号和改变后的远端语音信号。
自适应噪声环境语音信号处理方法装置

[发明专利]半导体器件-CN201810543913.6有效
发明人：都桢湖;林优镇;柳志秀;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件包括具有多个有源图案的衬底。多个栅电极与所述多个有源图案相交。有源触点电连接到有源图案。多个通孔包括第一常规通孔和第一虚设通孔。多个互连线设置在通孔上。所述多条互连线包括设置在第一常规通孔和第一虚设通孔两者上的第一互连线。第一互连线通过第一常规通孔电连接到有源触点。每个通孔包括通孔主体部分和覆盖通孔主体部分的底面和侧壁的通孔阻挡部分。每条互连线包括互连线主体部分和覆盖互连线主体部分的底面和侧壁的互连线阻挡部分。
半导体器件

[发明专利]发光二极管设备及其制造方法-CN201710059572.0有效
发明人： 郑钟勋;金大式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供一种发光二极管设备及其制造方法。所述发光二极管设备包括：多个基底层，其中，每个基底层与像素的多个子像素中的一个子像素相应；热沉板，被设置在每个基底层的第一侧上，其中，所述热沉板包括被设置在所述多个基底层中的相邻的基底层之间的图案化区域；荧光体，被设置在所述热沉板上，与所述多个基底层中的一个基底层的至少一部分重叠；多个发光二极管，其中，每个发光二极管被形成在与每个基底层的第一侧相对的第二侧上。
发光二极管设备及其制造方法

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310112065.4在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310100341.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]发光二极管设备及其制造方法-CN201710804716.0有效
发明人： 郑钟勋;金大式;金成烈;辛昇龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管设备及其制造方法。提供了一种发光二极管(LED)设备。所述LED设备包括：发光二极管；光转换层，堆叠在发光二极管上，并被配置为对从发光二极管入射的光的波长进行转换；反射涂层，堆叠在光转换层上，被配置为使从光转换层入射的光中的波长经过转换的光通过反射涂层，并且反射其他光；以及滤色器，堆叠在反射涂层上，并被配置为与光转换层相应。
发光二极管设备及其制造方法

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN201810131037.6有效
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]存储器单元、存储器件及其电子设备-CN201710531761.3有效
发明人： 郑钟勋;朴城贤;林优镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：一种存储器件包括了包括多个存储器单元在内的存储器单元阵列、连接到多个存储器单元的多条字线、连接到多个存储器单元的多条位线、连接到多个存储器单元的多条互补位线、多条辅助位线、多条辅助互补位线和开关电路。开关电路在写操作期间将多条辅助位线电连接到多条位线，在写操作期间将多条辅助互补位线电连接到多条互补位线，在读操作期间将多条辅助位线与多条位线电断开，并且在读操作期间将多条辅助互补位线与多条互补位线电断开。
存储器单元存储器件及其电子设备

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202210612937.9在审
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN201611023256.X有效
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

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