专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210412752.3在审
  • 胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上依次包括:第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层;第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型;第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括电阻及计数器;半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起,其中电阻与第一半导体层电连接,以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增,提高探测灵敏度;通过减小本征层的厚度,提高探测器信号读取速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]光检测器-CN202180095497.8在审
  • 上野山聪 - 浜松光子学株式会社
  • 2021-12-09 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 光检测器具备:光检测元件,其具有表面,且包括沿着表面配置的多个受光区域;以及多个超透镜部,其以对应于多个受光区域的方式配置于表面上,在多个受光区域和多个超透镜部中对应的一个受光区域和一个超透镜部中,一个超透镜部包括沿着表面配置的多个超透镜。
  • 检测器
  • [发明专利]用于形成图像传感器的方法-CN202180088903.8在审
  • 陈泰舟 - 应用材料公司
  • 2021-12-22 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 用于形成利用空腔轮廓和所引起的应力的图像传感器的方法。在一些实施方式中,方法包括以下步骤:在基板中形成空腔,其中空腔具有配置为接受用于图像传感器的传感器像素结构的空腔轮廓;在空腔中形成至少一个钝化层;及在至少一个钝化层之一的至少一部分上的空腔中形成至少一个光学层。至少一个光学层配置为提供传感器像素结构的至少像素到像素的光学隔离。方法进一步包括以下步骤:在传感器像素结构的至少一个光学层上的空腔中形成传感器像素结构,其中空腔轮廓配置为控制传感器像素结构上的应力。
  • 用于形成图像传感器方法
  • [发明专利]一种高填充系数雪崩二极管传感器-CN202210399778.9在审
  • 岳越 - 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种高填充系数雪崩二极管传感器,包括,制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列,所述SPAD像元二维阵列包括:若干像元组,每个像元组包括至少两个SPAD像元;若干AFE集中摆放区域,一个或多个所述像元组的控制检测电路集中配置于同一个AFE集中摆放区域内;以及,围绕每个AFE集中摆放区域设置的隔离区域。本发明通过对SPAD像元和控制检测电路分别进行集中布局的方法,显著减少了像元和控制电路之间的隔离区域所占用的面积,进而缩小了芯片面积,并有效提高了SPAD传感器的填充系数,从而为基于FSI或者非像元级互联的BSI工艺低成本地制备具有高填充系数的雪崩二极管传感器奠定了技术基础。
  • 一种填充系数雪崩二极管传感器
  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210411536.7在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上包括:半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层;第一半导体层形成于电阻层的凹槽中,第二半导体层形成于第一半导体层上,绝缘层形成于第二半导体层外侧,金属层形成于绝缘层外侧;电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型,第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括计数器;半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]光学传感器及其制备方法-CN202310883046.1在审
  • 张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本申请实施例提供了一种光学传感器及其制备方法,涉及半导体技术领域。该光学传感器包括:在底部衬底层表面自下而上依次设置的至少包含图像处理器件与第一电连接结构的第一器件层、至少包含像素处理器件与第二电连接结构的第二器件层,以及至少包含光电转换器件的第三器件层;其中,第一电连接结构与图像处理器件电性连接;填充有导电物质的第一层间通孔,分别与第一电连接结构和第二电连接结构电性连接;填充有导电物质的第二层间通孔,分别与第二电连接结构和光电传感器上表面的连接层电性连接。从提高集成度、光电转换效率、产品良率、散热、降低产品噪声五个方面提高光学传感器的性能,解决了目前的光电传感器的性能均较差的技术问题。
  • 光学传感器及其制备方法
  • [发明专利]探测器像素结构及电子探测器-CN202210405269.2在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;韩天雁;罗浒;任嘉莹;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种探测器像素结构及电子探测器。探测器像素结构包括半导体衬底、第一和第二导电类型重掺杂层、绝缘层、上电极、下电极、电子通道孔电极、金属保护环及掺杂环;掺杂环位于半导体衬底内,且位于第一导电类型重掺杂层的外侧,并显露于半导体衬底的第一表面;绝缘层自非探测区域表面延伸到半导体衬底的表面,上电极自非探测区域表面延伸到绝缘层的表面;电子通道孔电极位于半导体衬底的侧壁,且一端与下电极电连接,另一端延伸到绝缘层的侧面,金属保护环位于半导体衬底的表面,且位于上电极的外侧。本发明可以有效避免因电子束传播方向发生偏移而导致的图像发生畸变的情况,可降低探测器的漏电流,提高击穿电压,由此提高探测性能。
  • 探测器像素结构电子
  • [发明专利]传感器、成像系统及用于形成传感器的方法-CN202280019706.5在审
  • S·察梅克;D·L·布朗;H·陈;V·伊艾 - 科磊股份有限公司
  • 2022-06-14 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 提供传感器、成像系统及用于形成具有指定深度分布的传感器的方法。一种传感器包含衬底及附接到所述衬底的一或多个组件。所述传感器还包含传感器裸片,其具有薄化背面及经配置用于检测照射所述传感器裸片的所述薄化背面的能量的能敏元件。所述传感器进一步包含离散导热结构,其通过倒装芯片过程形成于所述传感器裸片的正面与所述衬底之间,借此将所述传感器裸片接合到所述衬底且引起所述传感器裸片的所述薄化背面具有预选形状。所述离散导热结构的至少一部分将所述传感器裸片电连接到所述一或多个组件。
  • 传感器成像系统用于形成方法
  • [发明专利]台阶单片式光谱芯片制备方法-CN201911189981.8有效
  • 张晨;刘舒扬;赵安娜;吕津玮;王天鹤;刘建辉;贾晓东 - 天津津航技术物理研究所
  • 2019-11-28 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明属于光谱成像技术领域,具体涉及一种台阶单片式光谱芯片制备方法。与现有技术相比较,本发明在多层堆叠分布式布拉格镜结构模拟设计和制造的基础上,采用CMOS工艺兼容的材料,以高反射率的布拉格镜为FP腔镜,在CMOS图像传感器上直接设计生长FP分光薄膜结构,形成单芯片单谱段光谱成像微系统;前期主要是目标是完成单谱段和双谱段的光谱成像芯片,在此基础上,逐渐实现多谱段台阶式的光谱成像芯片。本发明提高了台阶式光谱芯片制备的制造效率,节省了加工时间,有效的降低了工艺中掩膜和光刻的工艺次数,降低了光谱芯片的制造成本,使之更加具有竞争力。
  • 台阶单片光谱芯片制备方法

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