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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括马蹄足结构导电图案的集成电路-CN201910383239.4有效
发明人：都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
包括马蹄结构导电图案集成电路

[发明专利]二次电池单元堆叠装置和包括该装置的制造系统-CN202080026099.6有效
发明人：南嬉祯;朴康镒;俞炫圭;吴璨泳 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01M50/207 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的一种二次电池单元堆叠装置可以包括：多个叉，其支撑相应单元的两个端部使得多个单元被竖直地装载并在第一方向上线性地排列，所述第一方向是水平方向；叉导轨，其在所述第一方向上形成得较长并引起所述多个叉在所述第一方向上移动；堆叠基准部，其位于所述多个叉的所述第一方向上的一侧；堆叠加压部，其位于所述多个叉的所述第一方向上的另一侧；以及堆叠机构，其用于使所述堆叠加压部朝向所述堆叠基准部移动。
二次电池单元堆叠装置包括制造系统

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其设计方法-CN202310296909.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;白尚训;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路可包括各自对应于第一电路的第一功能单元和第二功能单元，其中，第一功能单元可包括：在第一层中沿着第一网格在第一方向上延伸的第一图案和在第二层中沿着第二网格在第一方向上延伸的第二图案，在与第一方向交叉的第二方向上，第一网格可具有大于第二网格的第二间距的第一间距，并且第二功能单元可包括第一功能单元的布局，并且在第二方向上具有比第一功能单元的长度大第一间距的长度。
包括标准单元集成电路及其设计方法

[发明专利]包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法-CN202310119158.X在审
发明人：都桢湖;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;白尚训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：公开了包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法。所述集成电路包括第一块和第二块，第一块在其中具有第一功能单元阵列，第一功能单元阵列至少部分地被第一多个结束单元围绕，第二块邻近于第一块延伸。第二块在其中包括第二功能单元阵列，第二功能单元阵列至少部分地被第二多个结束单元围绕。所述第一多个结束单元包括：(i)放置在集成电路的边界处的第一结束单元，以及(ii)放置在第一块与第二块之间的边界处的不同于第一结束单元的第二结束单元。
包括邻接集成电路设计方法

[发明专利]包括具有可变宽度的有源图案的集成电路及其设计方法-CN202310190812.6在审
发明人：都桢湖;柳志秀;俞炫圭;张胤京;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路可以包括：第一有源图案组，在第一行中沿第一方向延伸并且包括在第一方向上彼此重叠的多个有源图案，第一行沿第一方向延伸；以及多个栅电极，在第一行中沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，第一有源图案组中的在第一方向上彼此相邻的两个有源图案可以在第二方向上具有相同的宽度，或在第二方向上具有相差第一偏移量或第二偏移量的宽度。
包括具有可变宽度有源图案集成电路及其设计方法

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN202211355938.6在审
发明人： 俞炫圭;都桢湖;朴尚度;徐在禹;柳志秀;郑珉在;曹多演 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种包括多个堆叠的金属层的集成电路和制造该集成电路的方法。所述方法包括以下步骤：设置多个标准单元，所述多个标准单元中的每个标准单元包括分别形成在所述多个金属层上的单元图案；以及在所述多个金属层之中的包括分别形成在多条迹线上的图案的特定金属层上，基于形成在所述多条迹线中的特定迹线上的相邻图案之间的间隔超过参考值而在所述相邻图案之间形成附加图案，所述图案在第一方向上延伸，所述多条迹线在第二方向上彼此间隔开。
集成电路制造方法

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其制造方法-CN202210850196.8在审
发明人：柳志秀;林优镇;都桢湖;徐在禹;俞炫圭;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路，包括布置在多行上的标准单元。该标准单元可以包括：多个功能单元，每个功能单元都被实现为逻辑电路；以及多个填充单元，包括至少一个第一填充单元和至少一个第二填充单元，每个填充单元包括后端线(BEOL)图案、中间线(MOL)图案和前端线(FEOL)图案中的至少一个图案，并且其中，至少一个第一填充单元和至少一个第二填充单元具有彼此相同的大小，并且至少一个第一填充单元的至少一个图案中的一个图案的密度不同于至少一个第二填充单元的至少一个图案中的一个图案的密度。
包括标准单元集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210188963.3在审
发明人：郑珉在;都桢湖;徐在禹;柳志秀;俞炫圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上彼此相邻并共享单元边界的第一逻辑单元和第二逻辑单元；第一金属层，所述第一金属层位于所述衬底上，所述第一金属层包括电力线，所述电力线设置在所述单元边界上以在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并具有平行于所述第二方向的中心线；以及第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上。所述第二金属层可以包括设置在所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元中的每一者上的第一上互连线和第二上互连线。所述第一上互连线可以沿着第一互连轨道在第一方向上延伸。所述第二上互连线可以沿着第二互连轨道在所述第一方向上延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]提供增加的引脚接入点的集成电路及其设计方法-CN202210130051.0在审
发明人：都桢湖;徐在禹;白尚训;柳志秀;俞炫圭;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了提供增加的引脚接入点的集成电路及其设计方法。所述集成电路包括：第一单元，所述第一单元包括在第一线路层中沿着第一轨迹在第一方向上延伸的第一下图案；以及第二单元，所述第二单元包括在所述第一线路层中沿着所述第一轨迹在所述第一方向上延伸的第二下图案，并且所述第二下图案与所述第一下图案相距所述第一线路层的最小间距或者更远，其中，所述第一下图案对应于所述第一单元的引脚，并且与所述第一下图案距所述第一单元与所述第二单元之间的边界相比，所述第二下图案距所述第一单元与所述第二单元之间的边界更远。
提供增加引脚接入集成电路及其设计方法

[发明专利]集成电路以及集成电路的设计方法-CN202210149873.3在审
发明人：柳志秀;都桢湖;徐在禹;俞炫圭;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：发明构思涉及一种集成电路以及集成电路的设计方法。该集成电路包括连续布置在具有第一高度的行和具有不同于第一高度的第二高度的行上的第一标准单元。集成电路还包括连续布置在具有第一高度的行和具有第二高度的行上的第二标准单元、形成在所述多行的边界上并被配置为向标准单元供给第一电源电压的多条第一电源线、以及形成在所述多行的边界上并被配置为向标准单元供给第二电源电压的多条第二电源线。向第一标准单元供给电压的电源线的布置顺序不同于向第二标准单元供给电压的电源线的布置顺序。
集成电路以及设计方法

[发明专利]集成电路-CN202210136514.4在审
发明人：柳志秀;徐在禹;俞炫圭;郑珉在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)包括：多个栅电极，在第一方向上延伸并在与第一方向正交的第二方向上排列；多个第一电源线，在第一方向上延伸以向标准单元供电，并分别被布置为与栅电极的第一侧相邻；以及多个信号线，在第一方向上延伸以传输标准单元的输入信号或输出信号，并分别被布置为与栅电极的第二侧相邻。
集成电路

[发明专利]包括不对称电力线的集成电路及其设计方法-CN202111176640.4在审
发明人：柳志秀;徐在禹;俞炫圭;白尚训;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路及设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其具有第一高度，并且布置于在第一方向上延伸的第一行中；第二单元，其具有第二高度，并且布置于在第一方向上延伸并且与第一行相邻的第二行中，其中，第二单元在垂直于第一方向的第二方向上与第一单元相邻；以及电力线，其在第一方向上延伸，布置在第一单元与第二单元之间的边界上，并且被配置为将电力供应到第一单元和第二单元。第一单元沿着第二方向与电力线的具有第一宽度的部分叠置，并且第二单元沿着第二方向与电力线的具有第二宽度的部分叠置，并且第一宽度和第二宽度彼此不同。
包括不对称电力线集成电路及其设计方法

[发明专利]半导体器件-CN202110369109.2在审
发明人： 俞炫圭;柳志秀;徐在禹;林承万 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了包括位于衬底上的第一逻辑单元和第二逻辑单元的半导体器件。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元均包括：第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区在第一方向上彼此相邻；栅电极，所述栅电极横跨所述第一有源区和所述第二有源区，并且在所述第一方向上纵长地延伸；以及第一金属层，所述第一金属层位于所述栅电极上。所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上纵长地延伸并且彼此平行的第一电力线和第二电力线。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元沿着所述第一电力线和所述第二电力线在所述第二方向上彼此相邻。所述第一有源区和所述第二有源区在所述第二方向上从所述第一逻辑单元纵长地延伸到所述第二逻辑单元。
半导体器件

[发明专利]包括标准单元的集成电路-CN202110356220.8在审
发明人：柳志秀;徐在禹;白尚训;俞炫圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种包括多个标准单元的集成电路。该集成电路包括：第一标准单元组，包括至少两个第一标准单元；第二标准单元组，在第一方向上与第一标准单元组相邻，第二标准单元组包括至少一个第二标准单元；以及第一绝缘栅极，与第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管(pFET)和n型晶体管(nFET)，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线，以及其中第一标准单元和第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。
包括标准单元集成电路

[发明专利]半导体装置-CN202110208949.0在审
发明人： 俞炫圭;柳志秀;朴在浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。所述半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和填充区域。所述半导体装置包括：有源图案，在所述第一单元区域内部在所述第一方向上延伸；栅电极，在所述有源图案上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；栅极接触，电连接到所述栅电极的上表面；源极/漏极接触，电连接到所述有源图案的源极/漏极区，所述源极/漏极接触与所述栅电极的一侧相邻；连接线路，在所述第一单元区域和所述填充区域上方在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述栅极接触或所述源极/漏极接触中的一者；和填充线路，位于所述填充区域内部。还提供一种相关的布图设计方法以及制造方法。
半导体装置

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