[发明专利]一种晶圆覆膜方法在审
申请号: | 202210756761.4 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN115274423A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 陶为银 | 申请(专利权)人: | 河南通用智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 张春;郭明月 |
地址: | 450001 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开的晶圆覆膜方法,通过压模组件和固定角度组件之间的配合,控制BG膜在贴膜之前,整个处于平整的状态,且保持压模辊与固定角度辊之间的BG膜与贴膜平台之间的角度不变,压模辊能够将BG膜下方的空气排净,避免出现褶皱;在对BG膜进行切割时采用热切的环切刀组件,能够利用加热的刀片对BG膜进行切割,避免在切割过程中的环切刀使BG膜出现褶皱。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆覆膜 方法 | ||
【主权项】:
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- 一种以保护等离子体室中的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法。该方法包括调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙,所述晶片被设置在可移动电极和固定电极中的一个上,该间隙距离配置为防止在晶片的中心部分上面形成等离子体,该间隙距离尺寸还设置成使得在调节后形成晶片斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件。该方法还包括使沉积气体流入等离子体室。该方法包括使用加热器维持卡盘温度,该卡盘温度被配置成促进斜面边缘上的膜沉积。该方法进一步包括从沉积气体产生局部的等离子体用于在斜面边缘上膜的沉积。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造