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[实用新型]一种真空吸附平台-CN202220042506.9有效
发明人： 徐光琦;张学兵 -专利权人：深圳鼎力数码科技有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及吸附装置技术领域，为了解决现有产品中存在的结构复杂和支撑强度低的技术问题，本实用新型公开了一种真空吸附平台，包括面板和背板，面板和背板之间还设有起支撑作用的框架，面板上布置有真空吸附孔，背板设置有用于连接气管接头的多个吸风孔，框架的外侧还设有围板，框架包括多条交错连接的横杆和竖杆，构成网格状结构，形成多个汇流区，吸风孔横跨至少两个汇流区。以支撑结构更好的框架代替蜂窝材料，网格状结构形成的汇流区上下分别连通吸风孔和真空吸附孔，实现抽真空吸附，具有结构简单和支撑强度高的优点，同时保证了吸附效果。
一种真空吸附平台

[发明专利]硅中的热处理-CN201480042119.3有效
发明人：布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕佩玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：提供了处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法。所述方法包括：i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；和iii)冷却所述器件，其中所述加热步骤或冷却步骤或二者在光照下完成。
中的热处理

[发明专利]用于处理半导体晶片的设备和方法-CN201610544080.6有效
发明人：斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;布雷特·杰森·哈拉姆;阿德莱恩·苏吉安托;凯瑟琳·艾米丽·尚;宋立辉;吕珮玄;艾利森·马里·文哈姆;林·迈;张子文;徐光琦;马修·布鲁斯·爱德华兹 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。
用于处理半导体晶片设备方法

[发明专利]硅中的高浓度掺杂-CN201480042330.5有效
发明人：布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕珮玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。
中的浓度掺杂

[发明专利]硅太阳电池的改进的氢化-CN201380038918.9有效
发明人：斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;布雷特·杰森·哈拉姆;阿德莱恩·苏吉安托;凯瑟琳·艾米丽·尚;宋立辉;吕珮玄;艾利森·马里·文哈姆;林·迈;张子文;徐光琦;马修·布鲁斯·爱德华兹 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p‑n结的p‑型硅半导体材料和n‑型硅半导体材料。方法包括i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm2。
太阳电池改进氢化