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[发明专利] 加工基板的方法 -CN201910782502.7 有效
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔 长冈健辅
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2019-08-23
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公布日：
2023-10-13
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主分类号：
H01L21/78 文献下载
摘要： 本发明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。加工 方法
[发明专利] 处理衬底的方法 -CN202310227412.8 在审
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔 星野仁志 ;古田健次
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2018-07-25
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公布日：
2023-06-06
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主分类号：
H01L21/78 文献下载
摘要： 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。处理 衬底 方法
[发明专利] 处理衬底的方法 -CN201810826147.4 有效
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔 星野仁志 ;古田健次
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2018-07-25
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公布日：
2023-05-26
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主分类号：
H01L21/78 文献下载
摘要： 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。处理 衬底 方法
[发明专利] 处理晶圆的方法以及用在该方法中的保护片材 -CN201580084071.7 有效
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2015-08-31
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公布日：
2022-10-11
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主分类号：
H01L21/78 文献下载
摘要： 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，周边边缘区域(3)没有器件并且围绕器件区域(2)形成，其中，器件区域(2)形成有从晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖晶圆(W)上的器件的保护膜(4)的前表面附接到晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，保护膜(4)利用粘合剂(9)粘附到至少周边边缘区域(3)；以及将保护膜(4)的与其前表面相反的后表面附接到缓冲层(13)。从晶圆(W)的平面表面突出的突起(14)被埋入缓冲层(13)中，并且基片(7)的与其前表面(17)相反的后表面(18)基本上平行于晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的侧(6)。该方法还包括：研磨晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)以调节晶圆厚度。本发明还涉及一种用在这种处理方法中的保护片材(5,5’)。处理 方法 以及 中的 保护
[发明专利] 基板处理方法 -CN201711336976.6 有效
发明人：
森数洋司 ;卡尔·海因茨·普利瓦西尔 服部奈绪
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2017-12-14
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公布日：
2022-01-11
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主分类号：
H01L21/76 文献下载
摘要： 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。处理 方法
[发明专利] 生产衬底的方法以及生产衬底的系统 -CN202010078537.5 在审
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔 星野仁志
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2020-02-03
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公布日：
2020-08-11
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主分类号：
H01L21/30 文献下载
摘要： 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层(12)的衬底(16)的方法。该方法包括提供具有第一表面(4)和与第一表面(4)相反的第二表面(6)的工件(2)，以及在工件(2)的内部形成改性层(8)，该改性层(8)包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件(2)的内部形成改性层(8)之后，在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)，以及在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)之后，沿着改性层(8)分割工件(2)，从而获得具有功能层(12)的衬底(16)。沿着改性层(8)分割工件(2)包括向工件(2)施加外部刺激。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。生产 衬底 方法 以及 系统
[发明专利] 晶片分割方法 -CN201610109044.7 有效
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2016-02-26
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公布日：
2020-01-07
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主分类号：
H01L21/301 文献下载
摘要： 晶片分割方法。本发明涉及将一侧具有器件区域的晶片分割成裸片的方法，该器件区域具有由多条分割线划分的多个器件。该方法包括：将保护晶片上的器件的胶带附接至晶片的一侧，通过附接装置将支承胶带的载体附接至胶带的与面向晶片的一侧相反的侧。此外，该方法包括：研磨晶片的与一侧相反的侧以调节晶片厚度；研磨后，将保护层应用到晶片的与一侧相反的侧；和沿分割线切割晶片。以第一切割宽度机械地不完全切割晶片的与一侧相反的侧，在已形成不完全切口或多个不完全切口的区域或多个区域中，以第二切割宽度从晶片的与一侧相反的侧在晶片厚度方向上机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割晶片的剩余部分。第二切割宽度小于或等于第一切割宽度。晶片 分割 方法
[发明专利] 加工衬底的方法 -CN201610806581.7 有效
发明人：
森数洋司 ;卡尔·海因茨·普利瓦西尔 服部奈绪
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2016-09-06
-
公布日：
2019-08-27
-
主分类号：
H01L21/301 文献下载
摘要： 本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。加工 衬底 方法
[发明专利] 处理晶片的方法 -CN201610730785.7 有效
发明人：
卡尔·海因茨·普利瓦西尔
- 专利权人：
株式会社迪思科
申请日：
2016-08-26
-
公布日：
2019-06-11
-
主分类号：
H01L21/683 文献下载
摘要： 本发明涉及一种处理晶片的方法，晶片的一侧具有由多个分割线分隔的多个器件的器件区并具有外围边缘区，外围边缘区不具有器件并且围绕器件区形成，其中器件区形成有从晶片的平面突出的多个突起。该方法包括：将用于覆盖晶片上的器件的保护膜附接至晶片的这一侧，其中保护膜用粘合剂附着至晶片的这一侧的至少一部分；以及提供可固化树脂施加到其前表面的载子。该方法进一步包括：晶片的附接有保护膜的这一侧附接至载子的前表面，使得从晶片的平面突出的突起嵌入到可固化树脂中，并且载子的与其前表面相反的后表面大致平行于晶片的与这一侧相反的一面；以及磨削晶片的与这一侧相反的一面以调整晶片厚度。处理 晶片 方法
