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[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202310378218.X在审
发明人：坂口庆介;丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中，提高蚀刻处理的均匀性。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、流速调整部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理。流速调整部调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。控制部控制各部。另外，控制部具有获取部和调整部。获取部获取处理槽内的处理液的多个部位的流速与基板的多个部位的蚀刻量进行了对应的信息。调整部基于由获取部获取到的信息来调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711142504.7有效
发明人：大野广基;江头佳祐;五师源太郎;川渕洋介;北山将太郎;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基片处理装置和液体引导部件-CN202280014713.6在审
发明人：李水根;丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放孔，上述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从上述释放孔释放的上述气体的移动，引导上述释放孔的周围的上述处理液以使其在上述第一方向流动。
处理装置液体引导部件

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202310258933.X在审
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够高精度地获取喷嘴的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：检查用基片，其包含基体部和配置于基体部的拍摄部；保持基片或检查用基片的保持部；对保持部进行旋转驱动的驱动部；处理液供给部，其包含对被保持部保持的基片释放处理液的喷嘴；以及控制部。控制部构成为能够执行：第一处理，其在检查用基片被保持部保持的状态下，控制驱动部使保持部旋转，由此将拍摄部相对于喷嘴的位置调节到规定的第一拍摄位置；和第二处理，其在第一处理之后，控制拍摄部，在第一拍摄位置对喷嘴进行拍摄。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202310269892.4在审
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够高精度地获取罩体部件的状态的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：检查用基片，其包括基体部和配置在基体部的拍摄部；能够保持基片或检查用基片的保持部；能够对保持部进行旋转驱动的驱动部；能够向被保持在保持部的基片供给处理液的处理液供给部；从外侧包围保持部的罩体部件；和控制部。控制部能够执行：第一处理，在检查用基片被保持在保持部的状态下，通过控制驱动部使保持部旋转，从而将拍摄部相对于罩体部件的位置调节至规定的第一拍摄位置；和第二处理，在第一处理之后，控制拍摄部，在第一拍摄位置对位于比基体部的外周缘靠罩体部件侧的空间的拍摄对象物进行拍摄。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统-CN201711248022.X有效
发明人：北山将太郎;五师源太郎;大野广基;江头佳祐;川渕洋介;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
处理装置清洗方法系统

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711066490.5有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;川渕洋介;清濑浩巳;增住拓朗;大野广基;束野宪人;丸本洋;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置-CN201810170355.3有效
发明人：川渕洋介;五师源太郎;江头佳祐;大野广基;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基板处理装置具备：主体，其在内部形成有能够收纳基板的处理空间；保持部，其在主体的内部保持基板；供给部，其设置于被保持部保持的基板的侧方，向处理空间内供给处理流体；排出部，其从处理空间内排出处理流体；以及流路限制部，其限制在使处理流体从供给部流通到排出部时形成的流路的上游侧处的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。
处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201880019119.X有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;束野宪人;丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。
处理装置方法

[发明专利]基片液处理装置和基片液处理方法-CN202210287128.5在审
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括：处理槽；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承；升降机构，其使基片支承部件在处理槽内的处理位置与处理槽的上方的退避位置之间升降；摄像部，其设置于能够拍摄处理槽所贮存的处理液内的多个基片的位置；基片位置判断部，其基于摄像部拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由基片支承部件支承的多个基片的实际位置与基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和控制基片液处理装置的动作的控制部。根据本发明，能够确认基片在被浸渍于处理槽所贮存的处理液中的状态下是否被基片支承部件适当地保持。
基片液处理装置方法

[实用新型]基片液处理装置-CN202220636026.5有效
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基片液处理装置。基片液处理装置包括：处理槽；基片支承部件，其将多个基片以铅直姿态在水平方向上隔开预先设定的间隔地排列并支承；升降机构，其使基片支承部件在处理槽内的处理位置与处理槽的上方的退避位置之间升降；摄像部，其设置于能够拍摄处理槽所贮存的处理液内的多个基片的位置；基片位置判断部，其基于摄像部拍摄得到的图像数据，进行基片位置判断，该基片位置判断是判断由基片支承部件支承的多个基片的实际位置与基片应当位于的基准位置的偏差是否在允许范围内；和控制基片液处理装置的动作的控制部。根据本实用新型，能够确认基片在被浸渍于处理槽所贮存的处理液中的状态下是否被基片支承部件适当地保持。
基片液处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201710135952.8有效
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制缺陷的产生并且能够使用干燥液来使基板表面干燥的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在对由基板保持部(31)保持着的旋转的基板(W)的表面供给处理液来进行处理的基板处理装置(16)中，干燥液供给喷嘴(411)向利用处理液进行处理后的旋转的基板的表面供给干燥液，移动机构(41、42、421)使干燥液在基板(W)上的着液点(PA)以从基板(W)的中心部朝向周缘部的朝向移动。控制部(18)进行控制，使得以着液点为基点形成的干燥液的流线中的距离(L)为预先设定的上限距离M以下，其中，该距离(L)是从上述着液点的中心至该干燥液的流线的靠基板的旋转中心侧的端部的距离。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111025262.X在审
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够对每个产品基板掌握液处理的结果是否良好。本公开的一个方式的基板处理方法包括进行液处理的工序、进行检测的工序、进行生成的工序以及进行判定的工序。在进行液处理的工序中，使用处理单元对基板进行液处理。在进行检测的工序中，使用设置于处理单元的多个传感器，来分别检测液处理中的基板的中心部的温度和基板的端部的温度。在进行生成的工序中，基于规定液处理的处理条件的一个或多个参数值、通过进行检测的工序检测出的基板的中心部的温度以及基板的端部的温度，来生成表示液处理中的基板的面内温度分布的温度分布信息。在进行判定的工序中，基于温度分布信息来判定液处理的结果是否良好。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理系统-CN201611185615.1有效
发明人： 丸本洋;河野央;清濑浩巳;中森光则;光冈一行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。
处理方法系统

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN201810723397.5在审
发明人： 丸本洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域(DC)呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置(P2)的距离(R1)，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R2)。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。
干燥液供给位置旋转中心基片干燥处理液基片处理装置存储介质干燥区域干燥条件基片表面基片处理同心圆状逐渐增大挥发性防止液最佳化液膜移动

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