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[发明专利]冷边缘低温静电卡盘-CN202180071965.8在审
发明人：安巴理什·查哈特;帕特里克·钟;丹·马罗尔;克雷格·A·罗斯利;大卫·A·塞顿;穆罕默德·苏海尔·谢赫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了静电卡盘。在示例中，静电卡盘包括基板、设置在基板上的接合层、陶瓷板及加热器。陶瓷板包括设置在接合层上方的底表面及用于支撑衬底的凸起顶表面。凸起顶表面包括外直径。加热器被设置在陶瓷板的底表面与接合层之间。加热器元件包括内加热元件和外加热元件。内加热元件被配置在与陶瓷板的底表面相邻的中心圆形区域中，而外加热元件被配置在围绕着中心圆形区域并与陶瓷板的底表面相邻的环状区域中。外加热元件的外直径是从陶瓷板的环状加热器退缩区域嵌入。环状加热器退缩区域介于凸起顶表面的外直径与外加热元件的外直径之间。基板包括多个冷却通道。多个冷却通道被设置在内加热元件下方、外加热元件下方以及环状加热器退缩区域下方。多个冷却通道中的每一者被配置成让冷却流体流动以在陶瓷板的环状加热器退缩区域中产生热传导冷却。
边缘低温静电卡盘

[发明专利]用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件-CN202010870700.1在审
发明人：威廉·博世;拉杰什·多来;塔马拉卡·潘达姆所朴恩;布雷特·理查森;詹姆斯·维特尔;帕特里克·钟 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件，提供了边缘环组件，其包括：配置成围绕静电卡盘(ESC)的上边缘环，所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕顶表面的环形阶梯，所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板，所述上边缘环被设置在环形搁板的上方；下内边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在环形搁板的上方，所述下内边缘环由导电材料限定，所述下内边缘环与所述ESC电绝缘；围绕所述内边缘环的下外边缘环，所述下外边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上方，下外边缘环由电绝缘材料限定。
用于改善晶片极端边缘特征轮廓倾斜组件

[发明专利]用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件-CN201610687047.9在审
发明人：威廉·博世;拉杰什·多来;塔马拉卡·潘达姆所朴恩;布雷特·理查森;詹姆斯·维特尔;帕特里克·钟 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件，提供了边缘环组件，其包括配置成围绕静电卡盘(ESC)的上边缘环，所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕顶表面的环形阶梯，所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板，所述上边缘环被设置在环形搁板的上方；下内边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在环形搁板的上方，所述下内边缘环由导电材料限定，所述下内边缘环与所述ESC电绝缘；围绕所述内边缘环的下外边缘环，所述下外边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上方，下外边缘环由电绝缘材料限定。
用于改善晶片极端边缘特征轮廓倾斜组件

[发明专利]用于沉积斜面保护膜的方法-CN201180049955.0有效
发明人：纽戈·希恩;帕特里克·钟;金润相 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种以保护等离子体室中的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法。该方法包括调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙，所述晶片被设置在可移动电极和固定电极中的一个上，该间隙距离配置为防止在晶片的中心部分上面形成等离子体，该间隙距离尺寸还设置成使得在调节后形成晶片斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件。该方法还包括使沉积气体流入等离子体室。该方法包括使用加热器维持卡盘温度，该卡盘温度被配置成促进斜面边缘上的膜沉积。该方法进一步包括从沉积气体产生局部的等离子体用于在斜面边缘上膜的沉积。
用于沉积斜面保护膜方法

[发明专利]深硅刻蚀上掩膜底切的最小化-CN200880020153.5无效
发明人：塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩;帕特里克·钟;杰基濑户;S.M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在硅层中形成特征的方法。在该硅层上形成具有多个掩膜开孔的掩膜。通过使包含C4F8的无氢沉积气体流入，从该沉积气体形成等离子体，用该等离子体沉积聚合物至少20秒，以及在该至少20秒之后停止沉积该聚合物而在该掩膜上沉积聚合物层。通过使打开气体流入，从该打开气体形成等离子体，该等离子体相对于该多个掩膜开孔侧面的沉积聚合物选择性地除去该多个掩膜开孔下部的沉积聚合物，以及当至少该多个掩膜特征中的一些被打开时，停止该打开而打开该沉积聚合物层。透过该掩膜和沉积聚合物层刻蚀该硅层。
刻蚀上掩膜底切最小化