[发明专利]防止在半导体元件中形成孔洞的方法在审
申请号: | 201710018275.1 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN108288585A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 陈海平;韩晓飞;唐斌;张聚宝;蒋超;廖鸿 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种防止在半导体元件中形成孔洞的方法,包括以下步骤。提供基底。在基底中具有多个隔离结构。隔离结构各自具有突出于基底的突出部。在相邻两个突出部之间具有掩模层。掩模层的顶部宽度小于掩模层的底部宽度。移除掩模层,而在相邻两个突出部之间形成开口。开口的顶部宽度小于开口的底部宽度。在开口中形成保护层。保护层的顶面低于隔离结构的顶面。以保护层为掩模,对隔离结构进行等离子体处理,以移除隔离结构各自的顶端边角部,且加宽开口的顶部宽度。移除保护层。在移除保护层之后,在开口中形成填充层。所述防止在半导体元件中形成孔洞的方法可有效地防止孔洞形成,进而提升半导体元件的可靠度。 | ||
搜索关键词: | 隔离结构 保护层 开口 半导体元件 掩模层 移除 孔洞 突出部 基底 顶面 等离子体处理 孔洞形成 边角部 可靠度 填充层 有效地 加宽 掩模 | ||
【主权项】:
1.一种防止在半导体元件中形成孔洞的方法,其特征在于,包括:提供基底,其中在所述基底中具有多个隔离结构,所述多个隔离结构各自具有突出于所述基底的突出部,在相邻两个突出部之间具有掩模层,且所述掩模层的顶部宽度小于所述掩模层的底部宽度;移除所述掩模层,而在相邻两个突出部之间形成开口,其中所述开口的顶部宽度小于所述开口的底部宽度;在所述开口中形成保护层,其中所述保护层的顶面低于所述多个隔离结构的顶面;以所述保护层为掩模,对所述多个隔离结构进行等离子体处理,以移除所述多个隔离结构各自的顶端边角部,且加宽所述开口的顶部宽度;移除所述保护层;以及在移除所述保护层之后,在所述开口中形成填充层。
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- 2011-11-11 - 2013-08-21 - H01L21/30
- 本发明涉及用于半导体层的氢钝化的方法,其中所述钝化通过使用电弧等离子体源进行,涉及根据该方法制备的钝化的半导体层及其用途。
- 一种实现硅表面结构平滑的方法与设备-201210579182.3
- 王刚;施毅;赵毅;汪翌;吴汪然;孙家宝;王军砖;张荣;郑有炓 - 南京大学
- 2012-12-27 - 2013-04-24 - H01L21/30
- 一种实现硅表面结构平滑的方法,步骤如下:通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间;基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热,在加热过程中加入氩气,氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象,在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移,或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移,然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气;通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短,工艺要求价格低廉,可以实现量产,并有效实现硅原子表面的平滑。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造