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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]置入散色条于微影工艺的方法-CN201510859640.2有效
发明人：何育如;洪爱真;谢弘璋;吕奎亮;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。
置入散色条工艺方法

[发明专利]用于制造集成电路的光掩模和方法-CN201510052976.8有效
发明人：林俊羽;陈奕杰;邱丰源;郑英周;吕奎亮;张雅惠;刘如淦;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。
用于制造集成电路光掩模方法

[发明专利]图案化鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的多个部件的方法-CN201410808179.3有效
发明人：伍海涛;吕奎亮;谢铭峰;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第一材料形成。该方法也包括：形成围绕掩模的间隔件，间隔件由蚀刻速率低于第一材料的蚀刻速率的第二材料形成，掩模和间隔件一起覆盖细长突出物的第二部分，细长突出物的第二部分大于细长突出物的第一部分。而且，该方法包括去除多个细长突出物的未由掩模和间隔件覆盖的剩余部分。
图案化鳍式场效应晶体管 finfet 器件部件方法

[发明专利]主图案和切割图案的布局优化-CN201410017755.2有效
发明人：张世明;吕奎亮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种更改部件图案的方法，包括：从设计图案中提取主图案和切割图案，以及如果任一部件图案违反了布局规则，则更改主图案和切割图案中的至少一个，其中，按照在形成主图案的过程中改进工艺窗口的一组工艺指南布置主图案。本发明还公开了主图案和切割图案的布局优化。
图案切割布局优化

[发明专利]光刻对准标记和用于半导体制造的器件-CN201610858785.5在审
发明人：陈庆煌;林书宏;吕奎亮;张雅惠;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。
光刻对准标记用于半导体制造器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201210300920.6有效
发明人： 吕奎亮;谢铭峰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底的上方形成多个电路器件。该方法包括在衬底的上方形成有机层。有机层形成在多个电路器件的上方。该方法包括抛光有机层以平坦化有机层的表面。在抛光之前，不高温热处理有机层。有机材料在抛光期间是未交联的。该方法包括在有机层的平坦化的表面的上方沉积LT-膜。在低于约150摄氏度的温度下实施沉积。也在不使用旋转涂布的情况下实施沉积。该方法包括在LT-膜的上方形成经图案化的光刻胶层。
制造半导体器件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的切割掩模图案化工艺-CN201210198957.2有效
发明人：何韦德;吕奎亮;谢铭峰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起上方形成第一层，并利用端部切割掩模对其进行图案化。端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位和配置为使得第一层上的合成图案包括两个紧邻的图案以及位于它们之间的连接部分。该方法进一步包括使用第一层上的图案对伸长凸起进行端部切割。
场效应晶体管 finfet 器件切割图案化工

[发明专利]用于具有线端延长的晶体管的结构和方法-CN201210192137.2有效
发明人：余绍铭;张长昀;张志豪;陈欣志;张开泰;谢铭峰;吕奎亮;林以唐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。
用于有线延长晶体管结构方法

[发明专利]蒸发聚合物喷射沉积系统-CN201110228993.4无效
发明人：张庆裕;吕奎亮;谢铭峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于形成薄膜的蒸发喷射沉积装置包括处理室、流体线以及在处理室附近与流体线连接的喷射头。流体线被设置成向喷射头传输聚合物流体和溶剂混合物。喷射头被设置成接收聚合物流体和溶剂混合物并且雾化该聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式喷出该聚合物流体和溶剂混合物以沉积在表面上，并且由此在溶剂蒸发之后在该表面上形成聚合物薄膜。在实施例中，该蒸发喷射沉积装置可以包括加热装置以对聚合物进行硬烘烤工艺。在实施例中，蒸发喷射沉积装置被设置成向该薄膜聚合物提供沉积后溶剂喷射修整工艺。本发明还提供了一种蒸发聚合物喷射沉积系统。
蒸发聚合物喷射沉积系统

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