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[发明专利]半导体装置及制造方法-CN202310157416.3在审
发明人：王柏荃;陈冠亘;洪嘉阳;潘昇良;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述半导体装置及其制造方法。此方法包括形成栅电极及位于栅电极上方的栅电极接触层；在栅电极接触层上方形成介电层；以及执行穿过介电层的蚀刻，蚀刻形成暴露栅电极接触层的开口。此方法进一步包括通过将开口暴露于电浆来对通过蚀刻工艺形成的开口进行蚀刻后处理。此方法进一步包括在蚀刻后处理之后通过自下而上沉积工艺在这些开口中形成栅电极触点。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置制造方法和半导体装置-CN201910921660.6有效
发明人：徐永昌;潘昇良;林焕哲;郭国凭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置制造方法，包括蚀刻通孔通过介电层和蚀刻停止层(ESL)到源极/漏极接点、在源极/漏极接点的顶表面中形成凹陷，使得源极/漏极接点的顶表面是凹的、以及在通孔的侧壁上形成氧化物衬垫。氧化物衬垫捕捉藉由蚀刻通过介电层和蚀刻停止层的通孔所留下的杂质，其中蚀刻步骤、形成凹陷的步骤以及形成氧化物衬垫的步骤在第一腔室中执行。半导体装置制造方法更包括执行移除氧化物衬垫的预清洗和在通孔中沉积金属。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制作半导体器件的方法-CN201910688687.5有效
发明人：吴少均;潘昇良;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及用于制作半导体器件的方法。一种方法包括：在第一半导体区域之上形成第一高k电介质层；在第二半导体区域之上形成第二高k电介质层；形成第一金属层，所述第一金属层包括位于所述第一高k电介质层之上的第一部分和位于所述第二高k电介质层之上的第二部分；在所述第一金属层的所述第二部分之上形成蚀刻掩模；以及蚀刻所述第一金属层的所述第一部分。所述蚀刻掩模保护所述第一金属层的所述第二部分。使用亚稳态等离子体来灰化所述蚀刻掩模。然后在所述第一高k电介质层之上形成第二金属层。
用于制作半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202210813126.5在审
发明人：洪嘉阳;林焕哲;潘昇良;陈泳字;王柏荃;陈冠亘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述了半导体器件和制造半导体器件的方法。方法包括形成穿过介电层的第一开口，该第一开口暴露导电区域。在形成第一开口之后使用湿清洁，并且在湿清洁第一开口之后处理第一开口，处理第一开口包括将侧壁处理前体和底部处理前体转变为第一等离子体混合物，侧壁处理前体不同于底部处理前体。在处理第一开口之后，用导电材料填充第一开口。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110920471.4在审
发明人：王柏荃;洪嘉阳;潘昇良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了利用减少或消除材料分离的远程等离子体工艺的半导体器件和制造方法。通过减少材料分离，可以在更光滑的界面上沉积上面的导电材料。通过在更光滑的界面上沉积，可以避免沉积的材料的整体损失，这改善了整体良率。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210275753.8在审
发明人： 潘昇良;陈泳字;李中傑;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，制造方法包含形成栅极结构于半导体基板上；沉积含碳密封层于栅极结构之上；沉积含氮密封层于含碳密封层之上；引入含氧前驱物于含氮密封层上；加热基板使含氧前驱物解离成氧自由基，以将氧自由基掺杂至含氮密封层中；于加热基板后，蚀刻含氮密封层及含碳密封层，使得含氮密封层及含碳密封层的剩余物留在栅极结构的侧壁上作为栅极间隙壁。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110517064.9在审
发明人： 潘昇良;陈泳字;李中杰;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包含形成第一介电层于半导体鳍片上。上述方法包含形成第二介电层于第一介电层上。上述方法包含露出第一介电层的部分。上述方法包含在限制第一介电层的暴露部分的氧化的同时，氧化第二介电层的表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN202010927951.9在审
发明人：吴少均;吴宏基;李家庆;叶品萱;锺鸿钦;李显铭;陈建豪;潘昇良;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910015643.6在审
发明人：张邦圣;尹煜峰;王朝勋;赵高毅;杨复凯;王美匀;张峰瑜;高承远;洪嘉阳;张家胜;孙书辉;谢志宏;潘昇良;郭国凭;吴少均 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。
金属栅极结构栅极电极导电层插塞部件氧化层栅极介电层金属元素顶表面

[发明专利]对接接触结构-CN201910619965.1在审
发明人：徐永昌;潘昇良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供一种对接接触结构。在一实施例中，结构包含位于基底上的第一晶体管，第一晶体管包含第一源极或漏极区域、第一栅极、以及设置于第一栅极和第一源极或漏极区域之间的第一栅极间隔物。此结构包含位于基底上的第二晶体管，第二晶体管包含第二源极或漏极区域、第二栅极、以及设置于第二栅极和第二源极或漏极区域之间的第二栅极间隔物。此结构包含对接接触件，设置于第一源极或漏极区域上方并从第一源极或漏极区域延伸至第一栅极或第二栅极的至少之一，第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至对接接触件中以隔开对接接触件的第一底表面与对接接触件的第二底表面。
漏极区域源极接触件晶体管栅极间隔物基底接触结构延伸隔开

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910063040.3在审
发明人：郭国凭;潘昇良;洪嘉阳;谢志宏;孙书辉;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：灰化工艺与装置经由二次反应形成灰化气体的自由基。本申请披露一种半导体装置的形成方法，其包括：自第一气体产生第一等离子体；在一晶圆处理腔室中，使该第一等离子体扩散穿过第一气体分布板，以形成一第一低能量区；使该第一等离子体自该第一低能量区穿过第二气体分布板，以形成一基板处理区；以及供应第二气体至该基板处理区中，其中该第一等离子体能量化该第二气体，以形成该第二气体的自由基，其中该第二气体的自由基自一基板剥除一层状物。第一气体与第二气体反应，以能量化该第二气体。能量化的第二气体用于自基板灰化光刻胶层。
自由基等离子体气体分布板低能量区基板处理量化灰化基板穿过等离子体扩散半导体装置处理腔室二次反应光刻胶层灰化气体气体产生气体反应等离子层状物剥除晶圆体能申请

[发明专利]等离子体处理方法-CN201910085900.3在审
发明人： 潘昇良;郭国凭;洪嘉阳;陈炳宏;谢志宏;孙书辉;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在此所述的实施例涉及等离子体处理方法。工具包含基座。基座被配置以支撑半导体基板。工具包含偏压源。偏压源电性耦接至基座。偏压源可操作以利用直流(DC)电压偏置基座。工具包含等离子体产生器。等离子体产生器可操作以从基座远端产生等离子体。一种半导体工艺方法包含在工具中的基板上进行等离子体处理。等离子体处理包含将气体流入工具。等离子体处理包含将工具中支撑基板的基座偏置。等离子体处理包含在工具中使用气体点燃等离子体。
等离子体处理偏压源等离子体等离子体产生器可操作基板半导体工艺半导体基板电性耦接电压偏置气体点燃中支撑偏置远端配置支撑

[发明专利]图案化氧化铟锡薄膜的方法-CN200710086796.7无效
发明人：刘胜杰;吴子扬;潘昇良;李元榜;林耀辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明是有关于一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水。本发明包含形成覆盖层于此氧化铟锡薄膜上，以及将氧化铟锡薄膜的暴露区域暴露在水电浆下，利用水电浆来进行导电且透光的氧化铟锡薄膜的图案化。由于水电浆对氧化铟锡薄膜与上方的覆盖层和下方的介电层或基材之间具有优异的蚀刻选择比，因此经图案化后，可以获得相当优异的氧化铟锡薄膜边缘外型。再者，水电浆方法适用于包含氧化铟锡图案化的许多制程，这些制程包括但并不限于光学微机电系统的制程。
图案氧化薄膜方法

[发明专利]使用H₂O等离子体和H₂O蒸气释放电荷的方法及其应用-CN200610078447.6无效
发明人：李元榜;吴子扬;潘昇良;林耀辉;赖育志;陈德芳;林佩璇;吴善华;刘鸿兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种使用纯H₂O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H₂O等离子体或纯H₂O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。
使用 sub 等离子体蒸气释放电荷方法及其应用

[发明专利]使用H₂O电浆同时移除光阻和释放电荷的方法-CN200510079870.3无效
发明人：李元榜;吴子扬;潘昇良;林耀辉;赖育志;陈德芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明是有关于一种以临界(In－Situ)的方式从基板或晶圆剥除光阻层的方法，其是利用一H₂O电浆配方(Recipe)在光阻剥除时，可实质地防止电荷累积在基板或晶圆上。应用上述同时移除光阻以及释放电荷的方法，由于是在晶圆在进行光阻剥除制程时，以临界的方式同时减少晶圆表面上电荷的累积，所以本发明与其它习知制程相比，本发明所用的方法不仅相对简单且有效率，更大幅降低制造时间、能源及成本。
使用 sub 同时释放电荷方法

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