专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种衬底加工装置-CN202110159084.3有效
  • 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良;陈铭欣 - 福建晶安光电有限公司
  • 2021-02-05 - 2023-08-25 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种衬底加工方法及其加工装置,通过测量装置确定衬底的厚度和不对称面型,利用激光器对所述衬底进行激光扫描,激光器根据测量出的衬底参数自动设置匹配的激光参数,在所述衬底中形成改质点以使所述衬底收敛为对称面型,均匀衬底的应力,提高衬底的应力收敛性,使衬底对称面型的比例提高至100%,对称面型的衬底有利于提高后续外延层波长的收敛性,进而使得器件良率大大提升。
  • 一种衬底加工装置
  • [发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台-CN202010742195.2有效
  • 王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 - 福建晶安光电有限公司
  • 2020-07-29 - 2023-08-11 - H01L21/67
  • 本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台,涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括:使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触;且第一载具与晶片的接触位置至少为三个;将第一载具由第二载具支撑,第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让;使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致,以及通过改变晶片载具的结构,使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同,从而使蚀刻更加均匀,缩短晶片的蚀刻时间,避免衬底局部过蚀刻的问题,进而提高衬底的品质。
  • 一种晶片蚀刻均匀方法刻蚀机台
  • [发明专利]衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及制造方法-CN202010668211.8有效
  • 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;曾建尧 - 福建晶安光电有限公司
  • 2020-07-13 - 2023-07-18 - H01L33/00
  • 本发明提供一种衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及其制造方法,本发明的方法中,自晶棒切割得到衬底之后,在衬底背面镀膜,形成衬底增强膜,例如在蓝宝石衬底的衬底背面沉积金刚石薄膜,该金刚石薄膜形成蓝宝石衬底的衬底增强膜。由于金刚石的硬度大于蓝宝石衬底的硬度,因此能够通过该金刚石薄膜增强蓝宝石衬底的强度,在满足强度需求的前提下,就可以适当减小衬底的厚度,同时降低衬底加工的成本。另外,金刚石薄膜的导热性优于衬底的导热性,因此在衬底背面沉积金刚石薄膜增加了衬底的导热性,使得衬底在用于外延层生长的过程中,提供温度的均匀性,减少热应力的产生,大幅度提高外延层的质量。由此能够提高后期器件的良率。
  • 衬底加工方法外延半导体发光元件制造
  • [发明专利]上研磨盘、上研磨盘组件以及研磨装置-CN202211679002.9在审
  • 李志宇;周志豪;廖志翔;李贤途;王海呈 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-06-23 - B24B37/08
  • 本申请涉及蓝宝石衬底加工技术领域,特别涉及上研磨盘、上研磨盘组件以及研磨装置,该上研磨盘包括上研磨盘体以及第一环向围挡组件;上研磨盘体设置有第一盘内连接部和第一环形盘部,第一环形盘部围绕第一盘内连接部的外周设置并邻接第一盘内连接部;第一环向围挡组件与第一环形盘部围合成第一环形积液槽,第一环形积液槽沿第一环形盘部的环向设置且位于第一环形盘部的上侧;其中,第一环形盘部设置有与第一环形积液槽连通的N组向下注液孔,每组向下注液孔具有绕第一环形盘部的环向分布的多个向下注液孔;其中,N大于或等于1。本申请能够提高晶片研磨后的平整度及一致性。
  • 研磨组件以及装置
  • [发明专利]一种研磨防锈系统-CN202211721378.1在审
  • 苏明华;林仲和;枋明辉;黄世维;林彦甫;杨胜裕 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-06-02 - B24B37/34
  • 本申请提供了一种研磨防锈系统,包括:磁吸模块;砂浆进机管路,其中部分为电磁吸附管路,具体结构包括砂浆进机管路的材质为钢铁,且管路外周设置有电磁铁,用于在砂浆流动过程中将铁屑吸附在管壁;冲洗模块;喷淋模块;计算机模块,用于控制磁吸模块、冲洗模块和喷淋模块。磁吸模块可以最大限度的排出砂浆桶内的铁屑、铁锈等杂质,电磁吸附管路和冲洗模块可以最大限度的排出管路内的铁屑、铁锈等杂质,可以有效的解决晶片刮伤的问题;喷淋模块可以有效防止研磨上下盘面生锈,并且可以降低人力负荷,提高效率;喷淋花洒的间隔喷洒功能,可以最大程度的防止盘面生锈,提高加工良率。
  • 一种研磨防锈系统
  • [发明专利]一种图形化衬底及LED外延片-CN202310000341.8在审
  • 吴福仁;李彬彬;李瑞评;巫婷 - 福建晶安光电有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-05-23 - H01L33/22
  • 本发明通过将凸起结构的侧面设置为凹曲面状,通过增加一次反射射出的入射光区域,减小入射光的多次往返折射,减少因光的反射次数较多而产生的光衰,进而提高LED外延片的光取出效率。将凸起结构的侧面设置为凹曲面状,还可以使垂直入射到凸起结构侧面的光线入射角增加,其折射角随入射角的增加而增加,折射角等于90°时,入射角等于发生全反射时的临界角,当入射角大于等于临界角时,入射光线全部被反射回外延层中,全反射现象产生,增大了光的使用率。凸起结构采用折射率小于衬底的材料,使得临界角减小,增加全反射发生的几率,增加光线出射的机会,提高LED外延片的光提取效率。本发明在凸起结构的侧表面上形成多个不规则的坑洞结构,达到表面粗化效果,这些坑洞结构能够随机散射入射至图形化衬底的光,减少衬底对入射光的吸收,提高光的提取效率。
  • 一种图形衬底led外延
  • [发明专利]一种LED衬底及发光元件-CN202310129806.X在审
  • 李彬彬;吴福仁;李瑞评;刘建明;蔡吉明 - 福建晶安光电有限公司
  • 2023-02-17 - 2023-05-23 - H01L33/10
  • 本发明提供一种LED衬底,包括支撑衬底,及设置于支撑衬底上的晶格匹配层,支撑衬底上设置有第一层周期性凸起结构,晶格匹配层内设置有第二层周期性凸起结构,第二层凸起结构的顶点与第一层凸起结构的顶点不在同一条竖直线上,所述第二层凸起结构中相邻的两个凸起结构间的平面在竖直方向上的投影均落入第一层凸起结构的侧壁上,且不与第一层凸起结构的顶点重合。本发明所提供的LED衬底可以反射所有的入射光线,使得光线的利用率更高,从而使得光提取效率更高,本发明还提供一种发光元件,包括上述LED衬底,该发光元件的出光效率更高。
  • 一种led衬底发光元件
  • [发明专利]滤波器用基板的加工方法、基板及TC-SAW滤波器-CN202180005885.2有效
  • 林彦甫;林仲和;杨胜裕;枋明辉;黄世维 - 福建晶安光电有限公司
  • 2021-09-01 - 2023-05-02 - H03H3/10
  • 本申请提供一种滤波器用基板的加工方法、基板及TC‑SAW滤波器。所述滤波器用基板的加工方法包括:加工具有凸同心圆结构的支撑层衬底;凸同心圆结构中心凸起,包括至少两层圆环结构,圆环结构从所述中心向外高度逐步降低;将支撑层衬底中具有凸同心圆结构的那一侧与压电晶片进行键合得到复合衬底;将复合衬底中的压电层减薄至预定厚度范围内后对其表面进行抛光。本申请利用具有凸同心圆形貌的支撑层衬底,可明显降低压电层的抛光难度,得到厚度基本一致的压电层衬底,从而得到均匀性好的压电层薄膜,进而大幅提高使用该压电层薄膜的滤波器芯片的良率。
  • 滤波器用加工方法tcsaw滤波器
  • [发明专利]抛光头、抛光装置和抛光方法-CN202211728960.0在审
  • 徐德勤;张佳浩;刘增伟;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 - 福建晶安光电有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-11 - B24B29/02
  • 本申请提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法,用于安装被抛光工件,抛光头用于安装被抛光工件,包括:抛光头本体和压电陶瓷,压电陶瓷安装于所述抛光头本体之内,压电陶瓷用于与超声发生器连接以使抛光头振动。有效减小了压电陶瓷与安装在抛光头上的被抛光工件之间的距离,进而减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗,在抛光被抛光工件时使被抛光工件的振幅相对较大,最终达到获得更好的抛光效果的目的;而且,减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗,还可以使被抛光工件在抛光时获得较高的振动频率,进而获得更好的抛光效果。
  • 抛光装置方法

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