[发明专利]通过选择性削减规则网格的垂直沟道晶体管制造工艺有效
| 申请号： | 201480078811.1 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106463350B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | K·俊;P·莫罗;D·纳尔逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用第一光刻工艺来在衬底上形成网格，所述网格包括第一组网格线和第二组网格线。使用第二光刻工艺来选择性地对所述第一组网格线和所述第二组网格线中的至少一组网格线进行图案化以限定垂直器件特征。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 削减 规则 网格 垂直 沟道 晶体管 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造电子器件的方法，包括：/n在衬底上形成网格，所述网格包括第一组网格线和第二组网格线，所述第一组网格线包括沿第一方向的第一多个分立的线，并且所述第二组网格线包括沿第二方向的第二多个分立的线，所述第二方向与所述第一方向正交，其中，所述第二组网格线与所述第一组网格线交叠；/n在所述网格上方沉积第一硬掩模层；以及/n对所述第一硬掩模层进行图案化以暴露所述第一组网格线中的至少一个网格线的一部分或所述第二组网格线中的至少一个网格线的一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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