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[发明专利]刻蚀方法-CN202010250786.8有效
发明人： 戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次堆叠有控制栅层和浮栅层以及贯穿所述控制栅层和所述浮栅层的第一字线和第二字线。所述第一字线位于逻辑区，所述第二字线位于存储单元区。刻蚀第一厚度的第一字线；刻蚀所述逻辑区中的浮栅层和第二厚度的第一字线，以暴露所述逻辑区中的控制栅层；刻蚀所述逻辑区中的控制栅层和第三厚度的第一字线，以去除所述逻辑区中的控制栅层。因此，在逻辑区刻蚀中，通过先刻蚀第一厚度的第一字线，再同步刻蚀第一字线和浮栅层、控制栅层的同步刻蚀，避免了因第一字线刻蚀速率低而产生刻蚀残留。故所述刻蚀方法能够解决因刻蚀选择比而产生刻蚀残留的问题，保障工艺效果，节约工艺时间。
刻蚀方法

[发明专利]多晶硅刻蚀方法-CN202010190047.4有效
发明人：向磊;戴鸿冉;熊磊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离高于有源区，衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；根据光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去除部分的BARC厚度小于BARC的厚度，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除浅沟槽隔离上方的BARC，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀有源区上方的BARC；根据光阻定义的图形区域对硬掩膜层进行刻蚀，去除光阻和BARC，刻蚀多晶硅层；解决了现有技术中增加BARC过刻蚀过程后特征尺寸均匀性变差的问题，达到了改善特征尺寸的均匀性，以及保证特征尺寸的大小的效果。
多晶刻蚀方法

[发明专利]MIM电容的制作方法-CN202010897047.8有效
发明人：马莉娜;姚道州;肖培;戴鸿冉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种MIM电容的制作方法，包括：通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；刻蚀至目标区域的电介质层的目标深度，去除目标区域的第二电极层；对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，第一次清除处理的反应气体包括氯气；对反应副产物进行第二次清除处理，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；去除光阻。本申请通过两次清除处理去除刻蚀过程中的反应副产物，第一次清除处理的反应气体包括氯气以清除反应副产物中的金属氯化物，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气以去除氯碳化合物，从而能够较为彻底地清除反应副产物。
mim 电容制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202010250776.4在审
发明人： 戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层。采用干法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩膜层以形成图形化的硬掩膜层。以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽。对所述沟槽执行填充工艺，以在所述沟槽中形成浅沟槽隔离结构。其中，由于在刻蚀所述衬底时会不可避免的刻蚀到所述硬掩膜层，易造成削角问题。因此，在刻蚀所述衬底时采用的刻蚀气体对所述硬掩膜层的刻蚀速率低于刻蚀所述硬掩膜层时采用的刻蚀气体对所述硬掩膜层的刻蚀速率，以使在刻蚀所述衬底时，降低刻蚀气体对硬掩膜层的影响，从而能够缓解削角问题，提高所述浅沟槽隔离结构整体轮廓尺寸的精准度。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201910912435.6在审
发明人： 戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上从下至上依次形成有硬掩膜层、底部抗反射涂层和图案化的光刻胶层；对图案化的光刻胶层进行修整处理，在使得图案化的光刻胶层具有预设关键尺寸的同时，得到图案化的底部抗反射涂层；以图案化的光刻胶层和图案化的底部抗反射涂层为掩膜，对硬掩膜层进行刻蚀，得到图案化的硬掩膜层。本发明具有减少半导体制备的工艺复杂度，减少半导体制备所用的时间，提高产能的优点。
图案化光刻胶层底部抗反射涂层硬掩膜层半导体制备衬底半导体器件工艺复杂度修整处理产能刻蚀掩膜预设制备

[发明专利]层间介质层的刻蚀方法-CN201910399028.X在审
发明人： 戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到所述浮栅多晶硅层处收缩；以图案化的光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第二次刻蚀，使第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到靠近浮栅多晶硅层处收缩；此时，第二沟槽内部沉积有聚合物，第二沟槽底部残留有部分层间介质层；去除聚合物。本发明能够在层间介质层中形成具有预定形貌的沟槽。
层间介质层浮栅多晶硅层刻蚀光刻胶层介质层聚合物图案化对层掩模收缩形貌浮栅介质层沟槽形成衬底种层沉积去除半导体残留

[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法-CN201910319943.3在审
发明人：王旭峰;于涛;戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种分栅快闪存储器及其形成方法，在分栅快闪存储器的形成方法中，采用倒梯形的第一沟槽替代现有的垂直形的第一沟槽，以形成更好的浮栅尖端，增大在第一沟槽填充氧化物的填充窗口，从而避免了在第一沟槽中出现孔洞，减小对后续制程的不利影响，还有利于分栅快闪存储器的性能稳定性和制程稳定性。同时，该结构在形成第二沟槽的同时形成了浮栅尖端，减少了专门形成浮栅尖端的步骤，避免了在浮栅尖端下方的耦合氧化层在横向出现凹陷的问题，从而避免了其对分栅式闪存的数据保持能力的影响，同时还提高了生产效率，降低了生产成本。
存储器分栅快闪浮栅尖端制程数据保持能力孔洞性能稳定性耦合氧化层沟槽填充生产效率垂直形倒梯形凹陷氧化物减小闪存栅式填充生产成本替代

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