[发明专利]包括堆叠芯片的半导体存储器件及具有其的存储模块有效

专利信息
申请号: 201711274048.1 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN108155174B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 金钟完;朴晟喆;裵元一 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/535 分类号: H01L23/535;H01L25/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明构思涉及包括堆叠芯片的半导体存储器件及具有其的存储模块。一种半导体存储器件包括:存储结构,其包括一个堆叠在另一个上的第一集成电路芯片和多个第二集成电路芯片,第一集成电路芯片插置在所述多个第二集成电路芯片中的一对之间;接口单元,其设置在第一集成电路芯片上,存储结构通过接口单元连接到第三电路,并且接口单元将操作信号传输到第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片;至少一个芯片间互连器,其与接口单元以及第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片连接;以及与接口单元和第三电路连接的外部互连器。
搜索关键词: 包括 堆叠 芯片 半导体 存储 器件 具有 模块
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:存储结构,其包括一个堆叠在另一个上的第一集成电路芯片和多个第二集成电路芯片,其中所述第一集成电路芯片插置在所述多个第二集成电路芯片的一对之间;接口单元,其设置在所述第一集成电路芯片上,其中所述存储结构通过所述接口单元连接到第三电路,以及其中所述接口单元将操作信号传输到所述第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片;至少一个芯片间互连器,所述至少一个芯片间互连器与所述接口单元以及所述第一集成电路芯片和所述多个第二集成电路芯片连接;以及外部互连器,其与所述接口单元和所述第三电路连接。
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