[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310325362.3 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715244B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层；形成在第三半导体层上的第四半导体层；形成在第四半导体层上的栅电极；以及形成为与第二半导体层接触的源电极和漏电极。第三半导体层和第四半导体层形成在栅极正下方的区域中，第四半导体层由p型半导体材料形成，并且第二半导体层和第三半导体层由AlGaN形成，以及第三半导体层具有比第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层；形成在所述第三半导体层上的第四半导体层；形成在所述第四半导体层上的栅电极；形成在所述第二半导体层下方的第五半导体层；以及形成为与所述第二半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述第三半导体层和所述第四半导体层形成在所述栅电极正下方的区域中；所述第四半导体层由p型半导体材料形成；所述第二半导体层和所述第三半导体层由AlGaN形成，并且所述第三半导体层具有比所述第二半导体层的Al组成比低的Al组成比,其中在靠近所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的界面处形成2DEG；以及所述第五半导体层通过如下方式形成：移除所述第一半导体层的一部分，然后在已经从其移除所述第一半导体层的所述部分的区域中再生长包含GaN的材料。
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